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郭洪英

作品数:7 被引量:4H指数:1
供职机构:烟台大学光电信息科学技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省自然科学杰出青年基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金更多>>
相关领域:理学电子电信文化科学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 2篇多量子阱
  • 2篇多量子阱结构
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇发光
  • 2篇发光特性
  • 2篇ZNO
  • 2篇GAN
  • 1篇单幅
  • 1篇电子散斑干涉
  • 1篇新高考
  • 1篇引导者
  • 1篇质心
  • 1篇散斑
  • 1篇散斑干涉
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇思维
  • 1篇思维训练
  • 1篇图像
  • 1篇图像处理

机构

  • 7篇烟台大学
  • 2篇山东师范大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇太原理工大学
  • 1篇山东职业学院

作者

  • 7篇郭洪英
  • 4篇孙元平
  • 1篇林圣路
  • 1篇周淑菊
  • 1篇孙平
  • 1篇潘定珍
  • 1篇马旭
  • 1篇戴振宏
  • 1篇郭瑨
  • 1篇范俊卿
  • 1篇高秀梅
  • 1篇高秀梅
  • 1篇张伟

传媒

  • 1篇发光学报
  • 1篇山东科学
  • 1篇物理与工程
  • 1篇山东师范大学...
  • 1篇烟台大学学报...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2014
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2007
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
过量镁掺杂的p-GaN的变温霍尔效应研究被引量:1
2007年
利用变温霍尔效应研究了过量镁掺杂p-GaN样品空穴浓度随温度变化以及迁移率与掺杂浓度的关系,指出了过量镁掺杂引起位错密度的增加是导致空穴载流子浓度随掺杂浓度增加而减少的主要原因.尽管适当增加镁的掺杂浓度可以提高样品中空穴的迁移率,但是超高的重掺杂将会导致样品中的空穴浓度和迁移率同时急剧下降.
周淑菊郭洪英孙元平林圣路
关键词:重掺杂
ZnO生长时间对样品的结构和性质的影响
本文利用醋酸锌-KOH体系利用单步水热法合成了ZnO粉体结构.在保持其它生长条件一致的情况下,通过不同的生长时间得到了双六角盘状的ZnO晶体.XRD结果表明,合成的ZnO具有良好的结晶度,为六方纤锌矿结构.与标准图谱74...
郭洪英张伟孙元平周桃飞邱永鑫张宝顺徐科杨辉
关键词:光学性质
文献传递
单幅相位图的二维位移分离技术与图像处理被引量:2
2007年
提出了利用单幅电子散斑物体变形相位图分离二维分量的方法.传统电子散斑干涉技术测量得到的是物体变形的混合相位场.当物体具有对称变形时,可通过图像处理的方法,获得二维变形的分量值.利用三点加载的简支梁进行了实验,给出了实验结果,验证了该方法的正确性,该方法保持了传统电子散斑干涉系统的简单、稳定、便于应用的优点,并进一步得到了二维场分量的信息.
高秀梅孙平郭洪英孙元平
关键词:电子散斑干涉
S引入ZnO的水热生长及其微观发光特性研究
2019年
利用单步水热法制备了纯ZnO和S引入的双棒状ZnO(S-ZnO)孪晶结构,并系统研究了掺杂对ZnO结构、形貌及荧光发光特性的影响。X射线衍射的实验结果表明,在引入S的ZnO样品中没有出现可以检测的新物相,S在样品中主要以杂质的形式存在。荧光光谱数据表明,在低温下纯ZnO样品无可见光发光,但S-ZnO样品出现了较强的绿光发光峰;室温下两个样品均出现了可见光发光:ZnO样品的发光峰位于橙光区(570 nm附近),而S-ZnO位于绿光区(500 nm附近)。微区阴极荧光谱的数据表明,ZnO样品的橙光发光非常弱,几乎不可探测;S-ZnO样品的绿光发光则很强,要远远超过带边发光。本研究结果为进一步理解S在ZnO中引入的缺陷及其发光机理起到重要的作用,对增强ZnO的可见光发光特性进行了有益的探索。
高秀梅郭洪英李亚男
关键词:水热法ZNO
半圆形均质薄片质心计算的六种解法——兼谈大学物理教师的“引导者”角色
2022年
新高考模式下的选科与高校录取模式为大学物理教学带来了许多困难,如何在困境中对学生进行科学素养的培育是普通地方院校理工科教学面临的一大问题。本文从质心的基本定义出发,按照解决问题方法的由繁到简,为半圆形均质薄片质心的求解提供了六种解题方法,兼顾了对具有不同数学和物理基础的学生进行发散性思维训练的方式。在此基础上,探讨了新高考模式下大学物理教师在素质教育中应有的角色。
郭洪英孙元平
关键词:发散性思维训练新高考
InXGal-xN/GaN多量子阱结构中的相分凝现象研究
利用变温光荧光(PL)、阴极荧光(CL)以及时间分辨光荧光(TRPL)技术研究了具有不同渐变In组分的InxGal-xN/GaN多量子阱结构中的相分凝现象。在三个样品的低温光荧光谱中,除了位于430,463,505 nm...
郭洪英郭瑨江飞虹马思政陶飞豹王伟田孙元平
关键词:多量子阱结构
文献传递
In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N多量子阱结构发光特性的测量与分析被引量:1
2009年
利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了InxGa1-xN/InyGa1-yN多量子阱结构外延层,并用变温光致发光(PL)光谱、选择激发光谱以及激发(PLE)光谱等手段研究了该结构的量子效率、多峰效应的起源以及峰位随温度变化等信息。变温PL光谱的结果表明:在温度从30K变化到300K时,其峰值强度只下降了1.36倍且发光波长发生了蓝移。通过选择激发光谱证明了其发光峰位的独立性。PLE结果表明了GaN和势垒层的Stokes位移很小,但是InxGa1-xN阱层的Stokes位移变化很大。同时,提出了一种可同时获得多个吸收边的数据处理方法。
郭洪英潘定珍范俊卿马旭戴振宏孙元平
关键词:INGAN激发光谱
共1页<1>
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