王宇
- 作品数：11 被引量：8H指数：2
- 供职机构：山东师范大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电子电信文化科学交通运输工程更多>>
- 二氧化锡纳米线自催化生长及其发光特性研究被引量：3
- 2013年
- 在没有添加任何催化剂情况下,通过热蒸发锡粉制备了二氧化锡纳米线。利用扫描电子显微镜,X射线衍射和透射电镜对上述纳米线进行了结构表征。实验结果表明二氧化锡纳米线直径在100～400nm,长度达数十微米。PL分析表明当激发波长为325nm时,在581nm处出现较强的黄色发光峰;在激发波长为250nm时,在可见光区域579nm处形成较强的发光峰,同时伴随一个385nm处较弱的发光峰。二氧化锡纳米线的生长机制符合气-固生长模式。
- 李玉国翟冠楠张晓森王宇方香
- 关键词：SNO2纳米线自催化光致发光
- SnO_2纳米线的制备及结构表征
- 2013年
- 以SnO2粉末和碳粉的混合物为源,高纯氮气为载气,利用化学气相沉积法在1 000℃下,在溅有Au的单晶Si衬底上制备了SnO2纳米线。用SEM、XRD测试技术对样品进行了结构、形貌的表征,利用PL技术分析了样品的发光特性。由分析可知,样品均为四方金红石结构,退火时间对样品形貌具有一定的影响,但不影响其结构。所制备的SnO2纳米线结晶质量较高,其生长遵循VLS机制。
- 方香李玉国王宇刘永峰
- 关键词：化学气相沉积
- 利用磁控溅射及热蒸发法制备SnO2纳米线及结构表征
- 2012年
- 以Sn为原料，采用磁控溅射及热蒸发法制得SnO2纳米线，用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、能量弥散X射线谱（EDS）、傅氏转换红外线光谱分析（FTIR）、拉曼光谱分析（Raman）等测试手段对纳米结构进行表征，结果表明，合成的二氧化锡纳米结构具有金红石结构，二氧化锡纳米材料的生长机制遵循气一液一固生长机制，生长过程中的温度和退火时间对二氧化锡纳米结构的形貌起着极其重要的作用，可以通过这些因素对二氧化锡纳米材料实行可控生长。
- 张晓森李玉国翟冠楠王宇方香
- 关键词：热蒸发磁控溅射
- 一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法
- 本发明公开了一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法，步骤如下：（1）制备溅有Pt薄膜的硅衬底：使用磁控溅射仪在硅片上制备厚度为10～50nm的Pt薄膜；（2）氮化硅纳米线的合成：将上述...
- 李玉国王宇方香卓博世彭瑞芹张晓森
- 文献传递
- 全球化背景下中国政治合法性建设研究
- 政治合法性问题自被提出之日起就深受广大政治理论研究者和政治理论实践者关注,也是一个政治学领域经久不衰的热点问题。现代社会政治权力不是与生俱来的,若想得到普遍接受和认可,就必须具备合法性,只有具备合法性的政治权利才能顺利和...
- 王宇
- 关键词：政治合法性
- 文献传递
- 二氧化硅纳米花的制备及发光特性研究
- 2014年
- 采用磁控溅射和化学气相沉积技术制备出二氧化硅纳米花。利用扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)对上述纳米结构进行结构表征。用荧光光谱仪(PL)对其光致发光特性进行了研究。结果表明在激发波长为325nm时,在394nm处出现一个发光峰,表现出良好的发光特性。
- 李玉国刘永峰王玉萍王宇方香
- 关键词：SIO2溅射光致发光
- 一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法
- 本发明公开了一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法，步骤如下：（1）制备溅有Pt薄膜的硅衬底：使用磁控溅射仪在硅片上制备厚度为10～50nm的Pt薄膜；（2）氮化硅纳米线的合成：将上述...
- 李玉国王宇方香卓博世彭瑞芹张晓森
- 文献传递
- 基于公共交通大数据的上海市居民出行时空特征研究
- 交通系统是维系城市运转的重要基础之一，但城市的过快发展已经给交通带来了巨大压力，城市交通的拥堵又制约了城市的健康发展。虽然，目前城市管理中所实施的车辆限号、分时限行等交通调控措施可以在一定程度上减缓交通拥堵现象，但难以从...
- 王宇
- 关键词：公共交通
- 文献传递
- 墨子育人思想对我国现代职业教育改革与发展的启示研究
- 坚持立德树人、全面发展是深化职业教育教学改革的基本原则之一,“育人”是职业教育永恒的主题。促进我国新时期职业教育改革与发展,迫切需要我们从中国传统文化中汲取“育人之道”。山东是中华文明的重要发祥地,孔子、孟子创立的儒家学...
- 王宇
- 关键词：墨子育人思想职业教育
- 文献传递
- SnO/_2纳米结构的形貌与退火温度及时间的关系研究
- 半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。尤其当半导体材料的尺度达到纳米数量级时，此时的纳米级半导体材料受到量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应、量子隧道效应等效应的影响会出现，会出现许多特...
- 王宇
- 关键词：发光特性
- 文献传递
