李玉国
- 作品数：68 被引量：111H指数：6
- 供职机构：山东师范大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- SiC/SiO_2镶嵌结构薄膜光致发光特性研究被引量：7
- 2004年
- 采用 SiC/SiO_2复合靶,用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了 SiC/SiO_2纳米镶嵌结构复合薄膜,并应用傅里叶红外吸收(FTIR),X 射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光性能。结果表明,样品经高温退火后在 SiO_2基质中有 SiC 纳米颗粒形成。以 280 nm 波长光激发样品薄膜表面,显示出较强的 365 nm 的紫外光发射以及 458 nm 和 490 nm 处的蓝光发射,其发光强度随退火温度从 800℃升高至 1 050℃而增强。其发光归结为薄膜中与 Si-O 相关的缺陷形成的发光中心。
- 石礼伟李玉国王书运薛成山庄惠照
- 关键词：磁控共溅射光致发光
- 二氧化锡纳米线自催化生长及其发光特性研究被引量：3
- 2013年
- 在没有添加任何催化剂情况下,通过热蒸发锡粉制备了二氧化锡纳米线。利用扫描电子显微镜,X射线衍射和透射电镜对上述纳米线进行了结构表征。实验结果表明二氧化锡纳米线直径在100～400nm,长度达数十微米。PL分析表明当激发波长为325nm时,在581nm处出现较强的黄色发光峰;在激发波长为250nm时,在可见光区域579nm处形成较强的发光峰,同时伴随一个385nm处较弱的发光峰。二氧化锡纳米线的生长机制符合气-固生长模式。
- 李玉国翟冠楠张晓森王宇方香
- 关键词：SNO2纳米线自催化光致发光
- 射频磁控共溅射高温NH_3退火制备CuO/SiO_2复合薄膜的微观结构
- 2008年
- 采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在NH3保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,形成CuO结构,对其微观结构进行分析。随着退火温度的升高,CuO由单斜晶相逐渐转变为立方晶相,CuO薄膜结晶质量提高。样品于900℃和1 100℃退火后,形成有序散落的微米级颗粒,前者由粒状团簇组成,颗粒表面比较粗糙,后者由片融状小颗粒融合而成,颗粒表面比较光滑。
- 石锋李玉国孙钦军
- 关键词：微观结构
- VISI系统结构金属焊料研究
- 薛成山庄惠照李怀祥王显明李玉国
- 该研究是我国超大规模集成电路技术生产中需要解决的关键技术，具有显著的效益。
- 关键词：
- 关键词：焊料集成电路
- Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征被引量：2
- 2008年
- 分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积(CVD)、电泳沉积法制备GaN薄膜。利用扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和发光特性的分析比较。射频磁控溅射方法中,把SiC中间层沉淀到Si衬底上,目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力。结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量。热壁化学气相沉积法制备GaN晶体膜时,选择H2作反应气体兼载体,有利于GaN膜的形成。电泳沉积法显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。结果表明:溅射法制备的GaN薄膜结晶效果好;CVD法制备时GaN薄膜应用范围广;电泳沉积法操作方便、简单易行。
- 张敬尧李玉国崔传文张月甫卓博世
- 关键词：GAN薄膜SI基溅射化学气相沉积电泳沉积
- 氢退火注碳外延硅发光特性研究被引量：1
- 2005年
- 外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀相继处理之后,发出位于 431 nm 左右的蓝色荧光峰。随电化学腐蚀条件的增强,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于 716 nm 处的红光峰。样品中随碳注入而注入的杂质 C=O复合体镶嵌在退火过程所形成的纳米硅颗粒的表面,形成典型的纳米硅镶嵌结构。正是这种结构导致了蓝光发射。
- 王强李玉国石礼伟薛成山
- 关键词：电化学腐蚀
- 注碳外延硅光致蓝光发射研究
- 2003年
- N型外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀后,发出峰值波长位于431nm左右的蓝色荧光。随电化学腐蚀条件的变化,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于716nm处的红光峰。研究认为样品中C=O复合体杂质镶嵌在退火过程所形成的纳米硅颗粒的表面而形成的纳米硅镶嵌结构导致了蓝光发射。
- 李玉国王强石礼伟薛成山
- 关键词：电化学腐蚀
- 县级行政区旅游产业全域发展模式研究——以沂南县为例
- 县级行政区也就是县域,是国家行政区划的基本单位,县域经济是国民经济的基本构成要素,县域旅游则是县域经济的重要组成部分,而且是县域经济中最活跃、贡献最大的一部分。随着旅游业的发展,县域旅游逐渐成为专家、学者们研究的热点问题...
- 李玉国
- 关键词：旅游产业SWOT分析法
- 文献传递
- 一种蓝色发光二极管的制备方法
- 本发明提供一种蓝色发光二极管的制备方法，a.先向电阻率为30－50Ω· cm的N型单晶硅中注入能量为20～50keV、5×10<Sup>16</Sup>ions/cm<Sup>2</Sup>的碳离子；b.再将已注入碳离子...
- 李玉国薛成山王强史礼伟
- 文献传递
- 注C^+外延硅的光致发光特性被引量：1
- 2003年
- 在 N型外延硅中注入 C+并经高温退火形成了 Si C沉积 .不同条件下进行阳极氧化腐蚀后 ,在 2 6 0 nm光激发下获得了 340 nm和 4 30 nm的紫外和紫光峰 ,它们的单色性很好 ,半高宽 (FWHM)约为 10 nm.在以上条件下 Si C沉积并未多孔化 ,认为 340 nm和 4 30 nm峰可能源于样品中的 C、O杂质镶嵌于纳米硅表面所形成的发光中心 .讨论了各种发光中心形成的可能条件 ,并对实验结果做出了初步解释 .
- 李玉国王强薛成山李怀祥石礼伟
- 关键词：单色性发光中心光致发光特性
