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沈玉华

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇超晶格
  • 1篇异质结
  • 1篇品格
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格匹配
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇PBTE
  • 1篇P型
  • 1篇SN
  • 1篇ZNSE-Z...
  • 1篇超晶格材料
  • 1篇Y

机构

  • 3篇中国科学院上...

作者

  • 3篇王海龙
  • 3篇沈玉华
  • 2篇徐梁
  • 2篇崔捷
  • 2篇沈爱东
  • 2篇陈云良
  • 1篇张位在
  • 1篇朱筱春
  • 1篇陈鹤明
  • 1篇曹根娣

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1989
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
分子束外延生长p型ZnSe-ZnTe超晶格被引量：1
1993年
一种p型应变层超晶格已用调制掺杂技术实现,这种超晶格材料是由不掺杂的ZnSe层和掺Sb的ZnTe层交替生长组成的,电学性质已由霍尔效应测量获得。p型应变层超晶格的空穴迁移率为220—250cm^2/V·s,空穴浓度为3—5×10^(14)/cm^3。
徐梁王海龙沈爱东崔捷陈云良沈玉华
关键词：分子束外延ZNSE-ZNTE超晶格P型
竖直液相外延炉生长Pb_(1-x)Sn_xTe/PbTe_(1-y)Se_y晶格匹配异质结激光器
1989年
本文根据Vagard定律,得到了Pb_(1-x)Sn_xTe/PbTe_(1-y)Se_y异质结晶格匹配条件,设计了生长参数,首次采用竖直液相外延炉生长了Pb_(1-x)Sn_xTe/PbTe_(1-y)Se_y品格匹配异质结,并制成了二极管激光器。
王海龙沈玉华曹根娣张位在朱筱春陈鹤明
关键词：晶格匹配异质结激光器
ZnSe-ZnS超晶格材料的光学特性
1992年
本文首次报道了ZnSe-ZnS应变层超晶格的分子束外延生长.对材料进行了光荧光谱、远红外反射谱及喇曼光谱测量.得到了激子发射峰的移动随ZnSe阱宽及温度的变化以及发射峰半宽随温度的变化.首次在室温下测量到该材料的三级纵声学声子折叠模.通过对远红外反射谱的计算机拟合,确定了ZnSe、ZnS材料的几个基本声子参数.我们还首次在室温下观测到ZnSe-ZnS多量子阱标准具有明显的脉冲压缩效应.
王海龙崔捷沈爱东陈云良徐梁沈玉华
关键词：半导体材料光学特性
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共1页<1>
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