陈云良
- 作品数：17 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- N-型ZnSe:Cl的分子束外延生长
- 1993年
- 本文报道利用分子束外延(MBE)技术,采用高纯ZnCl_2作掺杂源,成功地进行了n—型ZnSe:Cl的分子束外延生长。n-ZnSe:Cl/p-GaAs异质结构的伏-安(I—V)特性和热探针测试显示外延层呈n型导电特性。反射高能电子衍射(RHEED)和x射线衍散谱测量表明ZnSe:Cl外延层具有较好的晶体质量。
- 陈云良崔捷沈爱东屠玉珍王海龙
- 关键词：硒化锌分子束外延
- 分子束外延生长p型ZnSe-ZnTe超晶格被引量：1
- 1993年
- 一种p型应变层超晶格已用调制掺杂技术实现,这种超晶格材料是由不掺杂的ZnSe层和掺Sb的ZnTe层交替生长组成的,电学性质已由霍尔效应测量获得。p型应变层超晶格的空穴迁移率为220—250cm^2/V·s,空穴浓度为3—5×10^(14)/cm^3。
- 徐梁王海龙沈爱东崔捷陈云良沈玉华
- 关键词：分子束外延ZNSE-ZNTE超晶格P型
- 高亮度照明雾灯
- 一种高亮度照明雾灯，主要包括含有焦距为f<Sub>n</Sub>的n(n≥1)个聚焦透镜的灯罩，灯罩下的灯芯是固定在灯座上有m≥n的发光二极管构成的列阵。发光二极管的中心置于灯罩上聚焦透镜的中心光轴上。并且发光二极管的发...
- 金志良王海龙李植森陈云良
- 文献传递
- Ⅱ—Ⅵ族宽带隙半导体的分子束外延
- 1992年
- 我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合物的生长速率,包括衬底温度、结晶性及分子束强度,并和实验结果作了比较分析。所获得的生长速率与衬底温度和入射束比的关系能用原子表面覆盖度的动力学方程得到解释。
- 徐梁陈云良王海龙
- 关键词：分子束外延半导体
- 半导体激光十字标线仪
- 一种半导体激光十字标线仪，主要用于橡胶轮胎制造中的材料定位，以及其它工业加工中的材料定位。它含有结构和大小完全相同的相互平行并列置放的两个外壳。两外壳均分成前后两部分活动连接。两外壳内的激光束G<Sub>1</Sub>和...
- 楼祺洪王海龙陈云良金志良李植森符祖良
- 文献传递
- ZnSe-ZnS应变层超晶格的激子吸收谱
- 1992年
- 在16K至室温范围内测量了ZnSe-ZnS应变层超晶格的激子吸收谱.观测到对应于1E-1HH1E-1LH及1E-3HH跃迁的三个激子吸收峰.
- 沈爱东陈云良王海龙王之江吕少哲
- 关键词：吸收谱应变层超晶格
- 分子束外延生长p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料
- 1991年
- 我们以掺Fe的高阻InP作衬底材料,在国产MBE-Ⅲ型设备上,采用调制掺杂技术,成功地生长出了p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料。室温霍耳效应测量表明:载流子浓度为10^(14)/cm^3量级,迁移率为250cm^2/V·s。俄歇谱分析清楚表明,仅在ZnTe层中Sb原子存在,且界面比较分明,调制掺杂已获初步成功。
- 徐梁陈云良沈玉华王海龙
- 关键词：分子束外延超晶格材料P型
- ZnSe-ZnTe应变层超晶格远红外反射谱
- 1990年
- 本文首次报道室温下测量的分子束外延生长的ZnSe-ZnTe应变层超晶格的远红外反射谱.得到了ZnSe、ZnTe横光学声子摸.用长波长超晶格介电理论和多层吸收薄膜理论进行曲线拟合,确定Ⅱ-Ⅵ族ZnS、eZnTe材料的一些基本材料参数,如横光学声子频率、模衰减常数、模振荡强度、高频介电常数等.本文首次报道这些参数.
- 崔捷陈云良王海龙干福熹
- 关键词：应变层超晶格
- Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体应变层超晶格的折射率测量
- 1991年
- ZnS、ZnSe、ZnTe等宽禁带半导体材料构成的超晶格和量子阱结构可望在可见光光电子器件领域发挥重要作用,特别是它们可制成600—700nm光电子器件,在高密度光学信息系统中的应用,前景非常诱人。因此人们正加紧努力研制基于这种材料的光波导。
- 崔捷陈云良王海龙干福熹
- 关键词：半导体应变层超晶格折射率
- MBE生长Zn_（1－x）Cd_xSe／ZnSe超晶格的SIMS和AES谱
- 1996年
- 本文简要叙述了运用ＭＢＥ技术成功生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的一些工艺和参数，并对不同的样品进行了ＳＩＭＳ和ＡＥＳ的测试，首次测得了这种材料的元素分布，结果显示ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格有着良好的纵向元素分布．
- 叶海陈云良王海龙
- 关键词：MBE生长硒化锌ZNCDSE超晶格SIMS
