席晓文
- 作品数：6 被引量：36H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN高电子迁移率晶体管强电磁脉冲损伤效应与机理被引量：5
- 2016年
- 提出了一种新型GaN异质结高电子迁移率晶体管在强电磁脉冲下的二维电热模型,模型引入材料固有的极化效应,高场下电子迁移率退化、载流子雪崩产生效应以及器件自热效应,分析了栅极注入强电磁脉冲情况下器件内部的瞬态响应,对其损伤机理和损伤阈值变化规律进行了研究.结果表明,器件内部温升速率呈现出"快速-缓慢-急剧"的趋势.当器件局部温度足够高时(2000 K),该位置热电子发射与温度升高形成正反馈,导致温度急剧升高直至烧毁.栅极靠近源端的柱面处是由于热积累最易发生熔融烧毁的部位,严重影响器件的特性和可靠性.随着脉宽的增加,损伤功率阈值迅速减小而损伤能量阈值逐渐增大.通过数据拟合得到脉宽τ与损伤功率阈值P和损伤能量阈值E的关系.
- 刘阳柴常春于新海樊庆扬杨银堂席晓文刘胜北
- 关键词：GAN高电子迁移率晶体管
- 强电磁干扰对达林顿管的损伤效应与机理（英文）被引量：1
- 2018年
- 建立了PNP型达林顿管的二维电热模型,对处于有源放大区的达林顿管的集电极注入高功率微波(HPM)和强电磁脉冲(EMP)时的瞬态响应进行了仿真。结果表明:HPM注入下,器件内部的峰值温度呈周期性的"下降-上升",温度升高过程发生在信号的正半周,靠近达林顿管发射极的晶体管发射结边缘是最易毁伤处;EMP注入下,其损伤机理与HPM注入时的正半周时相似,器件内部峰值温度一直上升,易毁伤部位与HPM注入时相同。得到了损伤功率阈值和损伤能量阈值与损伤脉宽的关系,这两种干扰注入下的损伤能量阈值-脉宽关系和损伤功率阈值-脉宽关系公式相似,并且在相同脉宽下,HPM注入下的损伤能量阈值大于EMP注入下的损伤能量阈值。
- 王乾坤柴常春席晓文杨银堂
- 关键词：达林顿管高功率微波
- 双极晶体管在强电磁脉冲作用下的损伤效应与机理被引量：23
- 2010年
- 针对典型n+-p-n-n+结构的双极晶体管,从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化的分析出发,研究了在强电磁脉冲(electromagnetic pulse,EMP)作用下其内在损伤过程与机理.研究表明,双极晶体管损伤部位在不同幅度的注入电压作用下是不同的,注入电压幅度较低时,发射区中心下方的集电区附近首先烧毁,而在高幅度注入电压作用下,由于基区-外延层-衬底构成的PIN结构发生击穿,导致靠近发射极一侧的基极边缘处首先发生烧毁.利用数据分析软件,对不同注入电压下的器件损伤功率P和脉宽T进行拟合得出了P与T之间的关系式,结果表明由于双极晶体管损伤能量的不确定性,强电磁脉冲损伤的经验公式P=AT-1(A为常数)对于双极晶体管应修正为P=AT-1.4.
- 柴常春席晓文任兴荣杨银堂马振洋
- 关键词：双极晶体管
- GaAs PHEMT强电磁脉冲损伤效应研究
- 强电磁脉冲能够通过多种耦合途径进入电子系统内部，使其功能发生扰乱、退化甚至造成损伤，给系统的可靠性带来严重的威胁。半导体器件作为电子系统的核心单元，研究其在强电磁脉冲作用下的损伤效应和机理具有重要的意义。目前对于半导体器...
- 席晓文
- 关键词：半导体器件
- 外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响被引量：4
- 2017年
- 结合器件仿真软件Sentaurus TCAD,建立了GaAs赝高电子迁移率晶体管器件的电磁脉冲损伤模型.基于此模型,从信号参数和外接电阻两个方面出发讨论了外界条件对器件电磁脉冲损伤效应的影响.结果表明,信号参数的改变能够显著影响器件的损伤时间:信号幅度通过改变器件的吸收能量速度来影响器件的损伤效应,其与器件损伤时间成反比;信号上升时间的改变能够提前或延迟器件的击穿点,其与器件损伤时间成正比.器件外接电阻能够减弱器件的电流沟道,进而延缓器件的损伤进程,且源极外接电阻的影响更加明显.
- 席晓文柴常春刘阳杨银堂樊庆扬
- 关键词：电磁脉冲
- 双极晶体管电磁脉冲损伤机理研究
- 由于半导体器件大部分属于微功耗、微型结构器件，其在外界电应力的作用下可靠性下降，甚至完全失效。电磁脉冲(EMP)是产生外界过电应力的主要原因之一，其对器件的破坏性很大。随着集成度的提高和几何尺寸的缩小，半导体器件越来越容...
- 席晓文
- 关键词：电磁脉冲双极晶体管
- 文献传递
