蒋聚小
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- VLSI中钛硅化物肖特基接触特性与退火条件被引量：3
- 2001年
- 基于 Ti Si2 低电阻率的优点 ,采用 Ti制作肖特基二极管。在 VL SI工艺中实现同时完成钛硅化物欧姆接触和肖特基势垒二极管 (SBD)的制作。文中用 AES等技术研究不同退火工艺形成的 Ti/ Si界面形态和结构 ,寻找完善的工艺设计和退火条件。此外还测量 Al/ Ti N/ Ti/ Si结构的金属硅化物 SBD的有关特性。通过工艺实验确定 VL
- 黄榕旭蒋聚小郑国祥俞宏坤任云珠徐蓓蕾
- 关键词：退火肖特基势垒VLSI接触特性
- IC工艺中互连薄膜晶粒生长的实验和理论模型被引量：1
- 2003年
- 通过研究不同淀积温度下铝互连薄膜的晶粒形态 ,研究晶粒的生长规律。建立理论模型描述加热过程中薄膜晶粒的行为 ,可据此进行工艺模拟 ,对 IC制造工艺进行事前评估。根据薄膜晶粒生长的机理 ,得到晶粒尺寸和温度及时间的关系。由于薄膜晶粒的生长使表面能减小 ,晶粒的平均尺寸随生长时间增大。
- 刘键黄榕旭蒋聚小郑国祥
- 关键词：超大规模集成电路IC工艺晶粒生长表面能对数正态分布
- 铝金属化工艺Ti/TiN/Ti/Al/TiN结构肖特基接触与应力状况的研究
- 集成电路工艺技术的发展,使得金属化工艺向着结构多层次化发展,根据上海先进半导体公司的生产实践,该文基于Ti/TiN/Ti/Al/TiN的亚微米金属化结构,主要研究了硅化物的肖特基接触和金属化的应力状况.基于TiSi<,2...
- 蒋聚小
- 关键词：硅化物肖特基势垒退火
- 文献传递
- Ti/Al/TiN金属化结构中应力空洞的形成机理
- 2002年
- 在 VLSI的金属化中 ,应力引起的失效是个引人关注的问题 ,应力释放形成空洞严重影响器件的可靠性。VLSI工艺实践中 ,发现 Ti/Ti N/Ti/Al/Ti N的金属化结构经过热退火后 ,铝条上出现空洞。对于铝空洞形成机理进行了研究与分析 ,发现张应力的释放是空洞的成因 ;而在热退火时 ,作为浸润层的 Ti与 Al反应生成Ti Al3。
- 蒋聚小郑国祥黄榕旭宗祥福
- 关键词：应力退火
