刘键
- 作品数：5 被引量：20H指数：2
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- IC工艺中互连薄膜晶粒生长的实验和理论模型被引量：1
- 2003年
- 通过研究不同淀积温度下铝互连薄膜的晶粒形态 ,研究晶粒的生长规律。建立理论模型描述加热过程中薄膜晶粒的行为 ,可据此进行工艺模拟 ,对 IC制造工艺进行事前评估。根据薄膜晶粒生长的机理 ,得到晶粒尺寸和温度及时间的关系。由于薄膜晶粒的生长使表面能减小 ,晶粒的平均尺寸随生长时间增大。
- 刘键黄榕旭蒋聚小郑国祥
- 关键词：超大规模集成电路IC工艺晶粒生长表面能对数正态分布
- 复合效应对掺杂氧化物透明导电薄膜的影响被引量：15
- 2001年
- 首次引入复合效应对不同价态差的掺杂氧化物透明导电 (TCO)薄膜的载流子浓度及其迁移率进行了分析。对于较高温度下制备的 TCO薄膜 ,对载流子迁移率起主要作用的散射机制是带电离子散射和电中性复合粒子散射。带电离子散射迁移率与带电离子的有效电荷数大致呈反比关系 ,在载流子浓度相同的情况下 ,随着复合几率增大 ,价态差分别为 3和 4的 TCO薄膜中的带电离子的平均有效电荷分别趋于 1和 2 ,因此带电离子散射迁移率也随之增大 ,分别趋于价态差为 1和 2的 TCO薄膜的带电离子散射迁移率。而对于价态差为 3的 TCO薄膜 ,由于电中性复合粒子数量较少 ,对载流子的散射最弱 ,因此在复合几率较大的情况下 ,价态差为 3的 TCO薄膜有可能获得比价态差为 1的 TCO薄膜更高的载流子迁移率。
- 孟扬林剑刘键沈杰蒋益明杨锡良章壮健
- 关键词：透明导电薄膜
- 用于IC氧化层和氧化炉管在线监控的表面光电压技术被引量：1
- 2003年
- 表面光电压法 (SPV)是一种高灵敏度的、非破坏性的在线监控技术。能精确测量硅片的少子扩散长度、少子寿命、重金属沾污浓度等参数。对 IC生产的质量保证是非常重要的检测手段。文中介绍了用于监控 IC生产栅氧化层和氧化炉管系统的 SPV技术 ,并讨论了铁以外其它沾污的 SPV检测。
- 李清华刘键罗俊一李晴郑国祥
- 关键词：表面光电压在线监控SPV集成电路氧化层
- 透明导电IMO薄膜的载流子浓度测量被引量：3
- 2001年
- 用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟 ( In2 O3:Mo,IMO)薄膜在可见光区域的平均透射率 (含 1 .2 mm厚玻璃基底 )超过 80 % ,电阻率最低达 1 .7× 1 0 - 4Ω·cm。采用等离子振荡波长法、van-der-Pauw法和光谱拟合法等三种方法对IMO薄膜和 ITO薄膜的载流子浓度进行了测量和比较 ,结果表明 IMO薄膜的载流子浓度还不到 ITO薄膜的三分之一。因此 ,IMO薄膜对可见光的吸收小 ,有很大的发展空间可以通过提高载流子浓度而进一步提高电导率 ,对近红外线也有较高的透射率 。
- 孟扬沈杰蒋益明刘键林剑杨锡良陈华仙章壮健
- 关键词：透明导电薄膜载流子浓度
- 小尺寸铝金属化PVD技术与互连薄膜的研究
- 开发旨在减小RC延时和降低功耗的新互连技术是ULSI的发展需要.在互连薄膜领域,一个最重要的课题是如何设计一种简单可行、兼容性强、生产率高的工艺流程来解决台阶覆盖等可靠性问题.该文将阐述的主要技术课题有:(Ⅰ)通过不同衬...
- 刘键
- 关键词：热负载晶粒生长
- 文献传递
