杜川华
- 作品数：48 被引量：38H指数：4
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 发文基金：国防科技工业技术基础科研项目中国人民解放军总装备部预研基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 一种反熔丝FPGA的抗辐射性能研究
- 简述了A1020B反熔丝FPGA的基本结构，并利用ⅥVHDL语言设计了一种触发延时电路，在反应堆、钴源和强光1号加速器上进行了抗辐射性能试验研究，试验结果表明：A1020B反熔丝FPGA具有很好的抗核辐射能力。
- 赵洪超余军红杜川华
- 关键词：Γ剂量率
- 文献传递
- 计算X射线通量的几种方法的比较
- 本文阐述了目前计算X射线在材料中通量的几种方法：利用质量衰减系数直接计算的理论方程和描述粒子运动统计规律的蒙特卡罗方法。文中分别采用理论方程、蒙特卡罗软件MCNP4C和EGSnrc三种途径计算了黑体谱X射线穿过几种常用复...
- 杜川华许献国赵洪超
- 关键词：通量计算
- 文献传递
- ONO反熔丝FPGA抗电离辐照性能研究
- 描述了在受到电离辐照时,ONO薄膜内部电子—空穴的运动规律。采用蒙特卡罗方法,计算了不同能量光子辐照下,ONO反熔丝介质内部的能量沉积和电荷累积,并推算了由此产生的界面电场强度以及阈值电压的漂移。采用反熔丝FPGA芯片A...
- 杜川华詹峻岭
- 关键词：FPGA电离辐照蒙特卡罗
- 文献传递
- 适用于敏感电路的抗瞬时电离辐射复位后运行状态重构方法
- 本发明公开了适用于敏感电路的抗瞬时电离辐射复位后运行状态重构方法，本发明属于电子技术领域，包括在敏感电路的执行程序中设置异常复位标志，并在敏感电路外围接入具有若干不同地址存储空间的非易失铁电存储器和/或者磁存储器；在电路...
- 杜川华
- 自然γ测井中MC法模拟探测器探测深度被引量：1
- 2020年
- 采用MCNP模拟计算了不同γ射线能量或矿层密度下探测器的探测深度,研究γ射线能量或矿层密度的变化对探测器探测深度的影响.模拟结果表明:探测器探测深度与γ射线能量成正比,与矿层密度成反比;当矿层厚度小于探测器探测深度时,采取放射性成像分析地层信息的方法存在较大误差.并且通过对模型井进行放射性成像的方式阐释了此方法的可靠性.对于实验井或模型井的矿层厚度选择,可以用MCNP模拟的方法计算探测深度作为参考.
- 刘珉强杜川华赵洪超汪宏年
- 关键词：MCNP
- 宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法研究被引量：1
- 2017年
- 借助于计算机开展器件和电路辐射效应的数值模拟,已成为抗辐射加固电路设计、制造和辐射性能预测、评估的重要环节。文章深入研究了国际上先进的光电流模型,提出了一种适用于较宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法。针对一种CMOS电压反馈型运算放大器,建立了器件和整体电路的瞬时电离辐射效应SPICE模型,采用MATLAB和HSPICE相结合的方法计算了电路在多种约束条件下(电路设计参数、辐射条件等)的瞬时电离辐射响应(瞬态峰值电平和恢复时间)。本研究为其他类型CMOS集成电路在较宽剂量率范围下的瞬时电离辐射效应建模和仿真提供了参考。
- 杜川华周开明熊涔
- 关键词：剂量率运算放大器电路仿真
- 反熔丝FPGA电路γ瞬时辐射效应研究
- 本文简要叙述了基于反熔丝的现场可编程门阵列(FPGA)的基本结构,介绍了瞬态电离辐射效应的基本原理以及FPGA延时电路的工作原理,给出了该电路在'强光一号'加速器上的γ瞬时辐照效应测量结果.分析表明γ瞬时辐射会破坏FPG...
- 杜川华詹峻岭余军红徐曦
- 关键词：延时电路Γ剂量率
- 文献传递
- 新型3D合金屏蔽效能的MCNP模拟被引量：3
- 2020年
- 用Monte Carlo程序(MCNP)模拟研究不同掺杂组分与不同掺杂质量分数合金对低能X射线谱的屏蔽效能.模拟结果表明:合金的屏蔽效能与掺杂组分原子序数呈正相关,与掺杂质量分数呈正相关(ΔZ>0)或负相关(ΔZ<0);ΔZ绝对值越大,合金的屏蔽效能变化越大,且变化幅度与掺杂质量分数呈正相关;TaW合金的屏蔽效能最好,掺杂质量分数的变化对其屏蔽性能影响最小;在低能能谱范围内,不同能量X射线透射率的MCNP模拟结果与实验结果基本一致.
- 刘珉强朱小锋杜川华
- 关键词：屏蔽效能
- 一种基于CPLD的数据接口卡的设计
- 介绍一种基于CPLD、适用于高速率连续数据传输场合的数据接口卡的设计,利用 VHDL硬件描述语言输入方式,设计数字电路,并给出几种不同条件下的仿真波形,该接口卡已调试通过并能正常工作。
- 杜川华
- 关键词：信息处理技术CPLDVHDL
- 文献传递
- UWB电磁脉冲圆孔耦合计算及试验研究被引量：6
- 2011年
- 采用电磁场数值计算软件CST计算了前沿为400ps的UWB电磁脉冲辐射场通过不同直径的圆形孔耦合到金属屏蔽腔体内的电场,对相同尺寸的带圆孔的金属屏蔽腔体在UWB辐射模拟源上进行了验证试验。通过理论计算和试验测试得到的电场衰减系数符合较好,证明采用的UWB电磁脉冲圆孔耦合计算及试验的方法是可行、正确的。
- 杜川华谢泽元许献国
- 关键词：CST超宽带电磁脉冲电场
