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詹峻岭

作品数：25 被引量：18H指数：3
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金：国防科技工业技术基础科研项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇会议论文
  • 7篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇核科学技术
  • 1篇机械工程

主题

  • 8篇电路
  • 6篇反熔丝
  • 5篇电离辐照
  • 5篇性能研究
  • 5篇射线
  • 4篇单片
  • 4篇单片机
  • 4篇总剂量
  • 4篇抗辐射
  • 4篇FPGA
  • 3篇性能比较
  • 3篇延时电路
  • 3篇集成电路
  • 3篇Γ剂量率
  • 3篇X射线
  • 2篇单片机系统
  • 2篇电磁
  • 2篇电磁干扰
  • 2篇动态参数
  • 2篇信息保存

机构

  • 24篇中国工程物理...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇西南科技大学

作者

  • 25篇詹峻岭
  • 9篇徐曦
  • 9篇杜川华
  • 5篇赵刚
  • 5篇赵洪超
  • 4篇许献国
  • 3篇袁国火
  • 3篇王旭利
  • 3篇朱小锋
  • 2篇周启明
  • 1篇余军红
  • 1篇杨怀民
  • 1篇牟维兵
  • 1篇杨冠军
  • 1篇余彦胤
  • 1篇姚远程
  • 1篇李长久
  • 1篇赵聚朝
  • 1篇叶鸿
  • 1篇邓建红

传媒

  • 4篇第八届全国抗...
  • 3篇第九届全国抗...
  • 2篇核电子学与探...
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇核技术
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇微电子学
  • 1篇信息与电子工...
  • 1篇第十届全国抗...
  • 1篇全国信息与电...
  • 1篇全国信息与电...
  • 1篇第六届全国抗...
  • 1篇中国工程物理...

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2010
  • 8篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 5篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇1999
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
模数转换器的辐射性能及其试验测试技术研究被引量：3
2009年
介绍了国内外对模数转换器(ADC)抗辐射性能试验测试技术的研究现状以及相关结论。在此基础上提出实时测量模数转换器在辐射环境下工作的动态性能参数来表征器件抗辐射性能的研究思路,同时也提出了对现有模数转换器辐射性能测试系统的改进建议。
王旭利许献国姚远程詹峻岭周启明
关键词：模数转换器抗辐射动态参数测试技术
电子线路IEMP效应计算机模拟技术研究
电磁脉冲(IEMP)环境下工作的电子系统，将受到IEMP的损伤。电子系统中大量采用集成电路，而集成电路对电磁脉冲比较敏感，往生一个较大的电磁脉冲，会使集成块产生误码甚至烧毁。该文主要介绍了IEMP在CMOS集成电咱上的电...
詹峻岭钟洪声
关键词：集成电路电磁干扰计算机模拟
ONO反熔丝FPGA抗龟离辐照性能研究
描述了在受到电离辐照时，ONO薄膜内部电子一空穴的运动规律。采用蒙特卡罗方法，计算了不同能量光子辐照下，ONO反熔丝介质内部的能量沉积和电荷累积，并推算了由此产生的界面电场强度以及阈值电压的漂移。采用反熔丝FPGA芯片A...
杜川华詹峻岭
关键词：现场可编程门阵列电离辐照蒙特卡罗剂量辐照
文献传递
抗X射线复合涂层环境适应性研究
2004年
介绍应用等离子喷涂设备制备抗 X 射线复合涂层的工艺方法,并针对复合涂层的环境适应性问题,研究了降低涂层材料氧化、热应力集中和减小基材变形的技术措施。定量分析了复合涂层的化学成分,测量了复合涂层之间的结合力等参数,并给出了复合涂层高低温、湿热、震动等环境适应性的实验结果数据。研究结果表明,抗 X射线复合涂层可以达到实用化要求。
赵洪超徐曦詹峻岭
关键词：核电子学环境适应性热喷涂
MTM反熔丝FPGA抗总剂量探讨
本文通过大量FPGA辐射效应调研,以具有代表性MTM反熔丝的FPGA总剂量效应的研究。得到MTM(Metal-To-Metal)反熔丝0.6μm和0.25μm工艺RT54SX的总剂量效应,器件表现出好于1000Gy(Si...
袁国火詹峻岭
关键词：总剂量集成电路抗辐射加固
文献传递
BM2801MC时序控制器电路γ瞬时效应试验研究
本文介绍了BM2801MC时序控制器电路加电工作时,在γ剂量率辐照下出现的闭锁效应,结果表明,BM2801MC时序控制器电路受瞬时辐射的闭锁阈值为106Gy(Si)/s量级.
余彦胤詹峻岭
关键词：Γ剂量率闭锁
文献传递
国产加固型80C196KC20RHA单片机与Intel80C196KC20单片机抗γ总剂量性能比较
本文介绍了国产加固型单片机80C196KC20RHA单片机与Intel同型单片机抗辐射性能的比较,通过试验表明该型号的国产单片机抗γ总剂量的能力在5.88×103Gy(Si)以上,远高于Intel同类产品.
赵刚詹峻岭徐曦
关键词：单片机
文献传递
单片机系统γ电离总剂量辐射效应试验研究
对80C196KC单片机系统的电离总剂量辐射效应进行了动态、静态对比试验.结果表明,该单片机系统不加电状态下总剂量失效水平约为5.8×102Gy(Si),而加电动态工作时约为1.25×102Gy(Si).可见,加电动态工...
詹峻岭
关键词：单片机系统
文献传递
反熔丝FPGA电路γ瞬时辐射效应研究
本文简要叙述了基于反熔丝的现场可编程门阵列(FPGA)的基本结构,介绍了瞬态电离辐射效应的基本原理以及FPGA延时电路的工作原理,给出了该电路在'强光一号'加速器上的γ瞬时辐照效应测量结果.分析表明γ瞬时辐射会破坏FPG...
杜川华詹峻岭余军红徐曦
关键词：延时电路Γ剂量率
文献传递
两种CPLD抗瞬时辐照性能比较
本文介绍了Xilinx公司的CPLD XC95144和华微公司的CPLDHWD114144抗瞬时辐射的性能，通过在“闪光I”的对比试验可以得出这两种CPLD在瞬时伽玛辐照下都不易出现闭锁，但在较低的剂量率时都会出现扰，抗...
赵刚叶鸿詹峻岭
关键词：集成电路电磁干扰
文献传递
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