寇彦雨
- 作品数：9 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- S波段微波脉冲功率放大模块研制
- 介绍了S波段脉冲功率放大模块的设计过程及测试结果,模块的核心器件采用了S波段硅双极微波功率晶体管,以负载牵引法测量功率管的阻抗参数为参考结合Wilkinson功分器/合成器设计器件匹配电路,实现模块尺寸为53.3 mn×...
- 张鸿亮刘英坤邓建国潘茹何宇新寇彦雨
- 关键词：S波段微波性能
- 文献传递
- L波段GaN小型化功率模块研发被引量：7
- 2020年
- 本文介绍了一种基于GaN器件的L波单级功率模块设计方法。根据小栅宽管芯模型,在ADS设计环境中,利用Load-Pull算法推算出大栅宽管芯的输入、输出阻抗,在此基础上进行预匹配器件和外电路设计的小型化设计。研制成功的GaN功率模块外形尺寸为39 mm×25mm×3.1 mm,相对带宽24%,在1.1~1.4 GHz频带内具有输出功率大于100 W,功率增益大于14.5 dB,漏极效率大于50%的性能指标。
- 寇彦雨银军康建磊赵鹏阁
- 关键词：GAN小型化功率放大器L波段
- S波段微波脉冲功率放大模块研制
- 介绍了S波段脉冲功率放大模块的设计过程及测试结果,模块的核心器件采用了S波段硅双极微波功率晶体管,以负载牵引法测量功率管的阻抗参数为参考结合Wilkinson功分器/合成器设计器件匹配电路,实现模块尺寸为53.3 mm×...
- 张鸿亮刘英坤邓建国潘茹何宇新寇彦雨
- 关键词：S波段
- 文献传递
- 硅微波脉冲功率晶体管中的可靠性设计技术
- 本文主要介绍了硅微波脉冲功率晶体管设计中应用的低热阻的均匀热分布技术、防二次击穿设计技术、多层难熔金属及双层金属化结构、钝化技术、内匹配技术等几种可靠性设计技术及原理。
- 张鸿亮刘英坤徐守利寇彦雨
- 关键词：低热阻内匹配
- 文献传递
- 1.3GHz700W高效率GaN功率管研发
- 2021年
- 本文介绍了一种基于GaN HEMT器件结构的1.3 GHz GaN器件设计方法。根据小栅宽管芯模型,在软件设计环境中,利用Load-Pull算法推算出大栅宽管芯的输入、输出阻抗,在此基础上进行预匹配器件和外电路设计。研制成功的GaN HEMT器件工作频率1.3 GHz,连续波工作,饱和输出功率大于700 W,饱和漏极效率大于75%,带宽10 MHz,功率增益大于18 dB。
- 寇彦雨王天宋俊魁
- 关键词：GAN
- L波段小型化150W GaN功率载片的研制
- 2024年
- 介绍了一种采用氮化镓(GaN)材料的L波段高增益小型化功率载片设计方法。该GaN功率载片基于高电子迁移率晶体管芯片,采用负载牵引测试技术提取大信号阻抗参数,并依据该大信号阻抗参数设计阻抗匹配电路网络。在L波段990 MHz~1130 MHz频段内,36 V直流工作电压、150μs脉冲宽度、15%占空比工作条件下,实现输出功率大于150 W、功率增益优于35 dB、功率附加效率大于52.5%的性能指标,并在20 mm×14 mm×2.8 mm的尺寸内,实现高增益、高效率的百瓦量级小型化功率载片研制目标。
- 董四华银军赵景波高永辉寇彦雨郝海飞
- 关键词：氮化镓小型化L波段
- 实现L波段器件50Ω阻抗匹配的方法
- 本发明公开了一种实现L波段器件50Ω阻抗匹配的方法，涉及L波段器件匹配电路技术领域。所述方法包括如下步骤：在L波段器件的封装壳体内采用介电常数为30‑50的陶瓷基片作为衬底材料，通过T型网络将芯片的虚部阻抗抵消，实部阻抗...
- 银军寇彦雨段雪黄雒光余若祺张志国斛彦生吴志国刘新高学邦
- 文献传递
- 金属陶瓷盖板
- 本实用新型公开了一种金属陶瓷盖板，属于微波器件封装技术领域。包括金属化层、陶瓷盖板和封口环，所述金属化层加镀在陶瓷盖板的上表面，陶瓷盖板的下表面设置有封口环。本实用新型为表面覆盖金属化层的金属陶瓷盖板，可有效解决不断提高...
- 寇彦雨银军
- 文献传递
- 实现L波段器件50Ω阻抗匹配的方法
- 本发明公开了一种实现L波段器件50Ω阻抗匹配的方法，涉及L波段器件匹配电路技术领域。所述方法包括如下步骤：在L波段器件的封装壳体内采用介电常数为30‑50的陶瓷基片作为衬底材料，通过T型网络将芯片的虚部阻抗抵消，实部阻抗...
- 银军寇彦雨段雪黄雒光余若祺张志国斛彦生吴志国刘新高学邦
