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鲁东: 作品数：21 被引量：18H指数：2; 供职机构：北京工业大学更多>>; 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市教委科技发展计划更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

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小面积、线性度可调谐的高线性低噪声放大器: 本发明提供一种小面积、线性度可调谐的高线性Cascode低噪声放大器，涉及射频集成电路领域，以解决现有低噪声放大器线性度不具有可调谐性，芯片面积过大的问题。该发明包括由共射级晶体管的集电极连接共基极晶体管的发射极构成的C...; 张万荣丁春宝谢红云金冬月陈亮付强赵彦晓高栋鲁东周孟龙张卿远邵翔鹏霍文娟; 文献传递

单载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器的研究被引量：6: 2013年; 基于器件仿真器Atlas,建立了InP/InGaAsP单向载流子传输的双异质结光敏晶体管(UTC-DHPT)的二维模型,分析讨论了器件性能与外延结构参数的关系.设计出同时具有高响应度(17.93 A/W)和高特征频率(121.68GHz)的UTC-DHPT,缓解了传统的异质结光敏晶体管光电探测器中探测效率和工作速度的矛盾.; 霍文娟谢红云梁松张万荣江之韵陈翔鲁东; 关键词：光敏晶体管响应度

有源电感复用型2.4GHz/5.2GHz双频段LNA被引量：2: 2014年; 采用可调谐有源电感复用结构，设计了一款用于3GTI）-SCDMA和WLAN的2．4GHz／5．2GHz双频段低噪声放大器（DBLNA）。2．4GHz频段电路采用折叠共源共栅（FC）结构，5．2GHz频段电路采用共栅（CG）结构。FC和CG结构均采用可调谐有源电感，通过调谐有源电感的等效阻抗，优化匹配到源阻抗。基于TSMC0．18μmCMOS工艺，实现了有源电感复用型DB-LNA。ADS仿真结果表明，频率为2．4GHz时，S21—35dB，NF一4．42～4．59dB，IIP3—0dBm，P-1dB-14dBm频率为5．2GHz时，S21=34dB，NF=2．74～2．75dB，IIP3=-5dBm，P-1dB=-9dBm。; 周孟龙张万荣谢红云金冬月丁春宝高栋张卿远鲁东霍文娟; 关键词：低噪声放大器双频段 TD-SCDMA

超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管: 本发明公开了一种异质结双极晶体管，尤其是超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用基区Ge组分由发射结侧向集电结侧逐渐递增的阶梯形分布结构，使器件电流增益随温度变化趋势变缓，可在宽温区内防止器件静...; 金冬月胡瑞心张万荣鲁东付强王肖; 文献传递

超结集电区SiGe异质结双极晶体管: 本发明公开了一种超结集电区SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用由n型半导体柱和p型半导体柱交替排列的超结集电区结构，引入横向电场，改善集电区电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的。基区Ge组分采用从发射结侧向集电结...; 金冬月王肖张万荣付强陈亮胡瑞心鲁东; 文献传递

超结集电区微波功率SiGe HBT宽温区高热稳定性设计方法研究: SiGe异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)具有高输出功率、优异的高频特性、较高的线性度，且与成熟的Si工艺相兼容，现已广泛应用于大功率压控振荡器、4通道频率可...; 鲁东; 关键词：SIGE异质结双极晶体管微波功率热稳定性 GE组分分布

高Q值超宽带可调谐有源电感: 本发明提供一种高Q值超宽带可调谐有源电感，涉及射频集成电路技术领域，以解决现有有源电感的电感值、Q值均不高，实部损耗比较大的问题。该发明包括电源、输入端与CMOS源随结构，其中，还包括传输线结构、有源反馈偏置、负阻补偿网...; 张万荣周孟龙谢红云金冬月丁春宝赵彦晓陈亮付强高栋鲁东张卿远邵翔鹏霍文娟; 文献传递

新型宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管被引量：2: 2013年; 宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性,本文利用SILVACO TCAD建立的多指功率SiGe HBT模型,分析了器件纵向结构中基区Ge组分分布对微波功率SiGe HBT电学特性和热学特性的影响.研究表明,对于基区Ge组分为阶梯分布的HBT,由于Ge组分缓变引入了少子加速电场,使它与均匀基区Ge组分HBT相比,具有更高的特征频率fT,且电流增益β和fT随温度变化变弱,这有利于防止器件在宽温区工作时电学特性的漂移.同时,器件整体温度有所降低,但器件各指温度分布均匀性较差.考虑多指HBT各发射极指散热能力存在差异,在器件纵向结构设计为基区Ge组分阶梯分布的同时,对其横向版图进行发射极指间距渐变结构设计,用于改善器件各指温度分布的均匀性,进而提高HBT的热稳定性.结果表明,与基区Ge组分为均匀分布的等发射极指间距结构HBT相比,新器件各指温度分布均匀性明显改善,fT保持了较高的值,且β和fT随温度变化不敏感,热不稳定性得到显著改善,显示了新器件在宽温区大电流下工作的优越性.; 鲁东金冬月张万荣张瑜洁付强胡瑞心高栋张卿远霍文娟周孟龙邵翔鹏; 关键词：SIGE异质结双极晶体管 GE组分分布热稳定性

超结集电区应变硅异质结双极晶体管: 本发明公开了一种应变硅异质结双极晶体管，尤其是同时具有大电流增益和高击穿电压的超结集电区应变硅异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，并在弛豫SiGe集电区中引入n型柱区和p型柱区交替排列的超结结构，其上分...; 金冬月胡瑞心张万荣王肖付强鲁东; 文献传递

基于噪声抵消技术的超宽带低噪声放大器被引量：3: 2015年; 实现了一款超宽带低噪声放大器(UWB LNA)。该UWB LNA由输入级、中间级和输出级组成。在输入级,采用两个共栅配置构成了噪声抵消技术,减少了噪声,在此结构基础上进一步采用了跨导增强技术,提高了增益。同时插入的电感Lin提高了LNA在宽带范围内的增益平坦度。中间级放大器,在漏极并联电感产生零点,提高了LNA的带宽。输出级为源极跟随器,较好实现了LNA的阻抗匹配。基于0.18μm TSMC CMOS工艺仿真验证表明,在4 GHz^10 GHz频带范围内,电压增益(S21)为(19.2±0.3)d B,噪声系数(NF)介于2.1 d B^2.4 d B之间,输入、输出反射系数(S11、S22)均小于-10 d B。在9 GHz时,输入三阶交调点(IIP3)达到-7 d Bm。在1.8 V的电源电压下,功耗为28.6 m W。; 邵翔鹏张万荣丁春宝张卿远高栋霍文娟周孟龙鲁东; 关键词：噪声抵消 CMOS

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