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霍文娟: 作品数：24 被引量：27H指数：3; 供职机构：北京工业大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市教委科技发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

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InP基双异质结晶体管光电器件的研究: 光电子集成技术(OEIC)是当前高速、大容量综合业务数据网络的支撑技术之一，低成本OEIC芯片成为研究热点。其中结合半导体电器件特性和半导体光器件特性的晶体管光电器件大大提高了高集成和低成本OEIC芯片实现的可能性，因此...; 霍文娟; 关键词：光电器件电路设计双异质结; 文献传递

高Q值超宽带可调谐有源电感: 本发明提供一种高Q值超宽带可调谐有源电感，涉及射频集成电路技术领域，以解决现有有源电感的电感值、Q值均不高，实部损耗比较大的问题。该发明包括电源、输入端与CMOS源随结构，其中，还包括传输线结构、有源反馈偏置、负阻补偿网...; 张万荣周孟龙谢红云金冬月丁春宝赵彦晓陈亮付强高栋鲁东张卿远邵翔鹏霍文娟; 文献传递

小面积、线性度可调谐的高线性低噪声放大器: 本发明提供一种小面积、线性度可调谐的高线性Cascode低噪声放大器，涉及射频集成电路领域，以解决现有低噪声放大器线性度不具有可调谐性，芯片面积过大的问题。该发明包括由共射级晶体管的集电极连接共基极晶体管的发射极构成的C...; 张万荣丁春宝谢红云金冬月陈亮付强赵彦晓高栋鲁东周孟龙张卿远邵翔鹏霍文娟; 文献传递

Al组分对MOCVD制备的Al_xGa_(1-x)N/AlN/GaNHEMT电学和结构性质的影响被引量：3: 2013年; 采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的Al x Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了Al x Ga1-x N势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明,在一定的Al组分范围内,二维电子气(2DEG)浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而,过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大,2DEG迁移率降低,该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证。在最佳Al组分(25%)范围内,获得的HEMT材料的2DEG浓度和室温迁移率分别达到1.2×1013cm-2和1 680 cm2/(V·s),方块电阻低至310Ω/□。; 陈翔邢艳辉韩军霍文娟钟林健崔明范亚明朱建军张宝顺; 关键词：AL组分 ALGAN 高电子迁移率晶体管电学性质 MOCVD

行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管: 本发明公开一种行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管（DHPT）。采用双异质结结构，包括一InP发射区-InGaAsP基区构成的（e-b）异质结和一InGaAsP基区-InGaAsP集电区构成的（b-c）异质结，...; 江之韵谢红云张良浩霍文娟张万荣; 文献传递

新型宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管被引量：2: 2013年; 宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性,本文利用SILVACO TCAD建立的多指功率SiGe HBT模型,分析了器件纵向结构中基区Ge组分分布对微波功率SiGe HBT电学特性和热学特性的影响.研究表明,对于基区Ge组分为阶梯分布的HBT,由于Ge组分缓变引入了少子加速电场,使它与均匀基区Ge组分HBT相比,具有更高的特征频率fT,且电流增益β和fT随温度变化变弱,这有利于防止器件在宽温区工作时电学特性的漂移.同时,器件整体温度有所降低,但器件各指温度分布均匀性较差.考虑多指HBT各发射极指散热能力存在差异,在器件纵向结构设计为基区Ge组分阶梯分布的同时,对其横向版图进行发射极指间距渐变结构设计,用于改善器件各指温度分布的均匀性,进而提高HBT的热稳定性.结果表明,与基区Ge组分为均匀分布的等发射极指间距结构HBT相比,新器件各指温度分布均匀性明显改善,fT保持了较高的值,且β和fT随温度变化不敏感,热不稳定性得到显著改善,显示了新器件在宽温区大电流下工作的优越性.; 鲁东金冬月张万荣张瑜洁付强胡瑞心高栋张卿远霍文娟周孟龙邵翔鹏; 关键词：SIGE异质结双极晶体管 GE组分分布热稳定性

基于噪声抵消技术的超宽带低噪声放大器被引量：3: 2015年; 实现了一款超宽带低噪声放大器(UWB LNA)。该UWB LNA由输入级、中间级和输出级组成。在输入级,采用两个共栅配置构成了噪声抵消技术,减少了噪声,在此结构基础上进一步采用了跨导增强技术,提高了增益。同时插入的电感Lin提高了LNA在宽带范围内的增益平坦度。中间级放大器,在漏极并联电感产生零点,提高了LNA的带宽。输出级为源极跟随器,较好实现了LNA的阻抗匹配。基于0.18μm TSMC CMOS工艺仿真验证表明,在4 GHz^10 GHz频带范围内,电压增益(S21)为(19.2±0.3)d B,噪声系数(NF)介于2.1 d B^2.4 d B之间,输入、输出反射系数(S11、S22)均小于-10 d B。在9 GHz时,输入三阶交调点(IIP3)达到-7 d Bm。在1.8 V的电源电压下,功耗为28.6 m W。; 邵翔鹏张万荣丁春宝张卿远高栋霍文娟周孟龙鲁东; 关键词：噪声抵消 CMOS

SiGe HBT双频段可变增益放大器设计被引量：2: 2012年; 提出了一款新型的双频段可变增益放大器(DBVGA),分别工作在3G-WCDMA的2.2GHz和WLAN的5.2GHz两个频段。放大器分为增益控制级、输入输出级和放大级。其中,增益控制级采用电流驱动技术和发射极串联电感来减小噪声和输入阻抗的影响,进而实现大动态的增益变化。输入级通过电容电感串并联方法实现双频段的输入匹配。放大级使用Cascode结构和电流复用技术来提高增益和减小功耗。采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计芯片版图,版图面积为0.5mm2。仿真结果表明,当控制电压从0V到1.4V变化时,DBVGA在2.2GHz和5.2GHz下的增益可变范围分别达到30dB和16dB,最大增益处的噪声分别为2.3dB和3.2dB,输入和输出驻波比约1.5。; 路志义谢红云张万荣霍文娟郭振杰邢光辉张瑜洁丁春宝金冬月; 关键词：电流复用 HBT

低功耗宽带CMOS低噪声放大器: 2014年; 实现了一款低功耗的宽带低噪声放大器(LNA)。该低噪声放大器由三级电路组成,由于每一级都采用了电流复用技术,显著地降低了功耗。在电路中产生负零点来抵消极点,提高增益平坦度。低Q值电路拓展带宽。经0.18μm TSMC CMOS工艺仿真验证,在3 V的电源电压下,功耗仅为4.89 mW。另外在1 GHz^4.5 GHz频带范围内,电压增益(S21)为(14.8±0.4)dB,噪声系数(NF)介于3.1 dB^4.2 dB之间,输入、输出反射系数(S11、S22)均小于-10 dB。在4 GHz时,输入三阶交调点(IIP3)达到-11 dBm。结果表明该LNA性能良好。; 邵翔鹏张万荣丁春宝张卿远高栋周孟龙鲁东霍文娟; 关键词：低噪声放大器低功耗电流复用 CMOS

采用新型电流舵结构的增益可调UWBLNA被引量：1: 2013年; 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款工作在3 GHz^5 GHz频段的增益可调超宽带低噪声放大器(LNA)。LNA输入级采用局部反馈的共栅结构,实现了超宽带输入匹配和良好的噪声性能;放大电路级采用提出的新型电流舵结构,实现了放大器增益连续可调;输出级采用源极跟随器,获得了良好的输出匹配。利用ADS2009进行仿真验证,结果表明,在3 GHz^5 GHz工作频段内,LNA获得了25 dB的增益可调范围,最高增益达到24 dB,输入端口反射系数小于-11 dB,输出端口反射系数小于-14 dB,最小噪声系数为2.3 dB,三阶交调点(IIP3)为4 dBm,在1.2 V电压下,电路功耗仅为8.8 mW。; 张卿远张万荣丁春宝邢光辉周孟龙高栋鲁东霍文娟邵翔鹏; 关键词：超宽带 CMOS 增益可调低噪声放大器

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