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邵阳

作品数：19 被引量：3H指数：1
供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 18篇晶体管
  • 18篇薄膜晶体
  • 18篇薄膜晶体管
  • 11篇沟道
  • 8篇氧化物
  • 8篇接触电极
  • 8篇金属
  • 6篇金属氧化物
  • 5篇氧化物半导体
  • 5篇源区
  • 5篇栅电极
  • 5篇半导体
  • 3篇淀积
  • 3篇自对准
  • 3篇介质层
  • 3篇金属氧化物半...
  • 2篇电阻率
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇有源
  • 2篇有源层

机构

  • 19篇北京大学

作者

  • 19篇邵阳
  • 18篇张盛东
  • 15篇肖祥
  • 9篇贺鑫
  • 5篇周晓梁
  • 4篇王漪
  • 3篇冷传利
  • 3篇张乐陶
  • 2篇王龙彦
  • 2篇王国英
  • 2篇邓伟
  • 2篇宋振
  • 1篇韩德栋
  • 1篇姚建可
  • 1篇廖聪维
  • 1篇卢慧玲

传媒

  • 1篇青年与社会

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 5篇2017
  • 5篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
金属氧化物薄膜晶体管制备方法
本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其步骤：选取衬底，在衬底制作栅电极；在衬底上生长一层绝缘介质或高介电常数介质，并覆盖在栅电极上作为栅介质层；在栅介质层上生成一层第一金属层；在第一金属层上生成一层第二金属层；在...
张盛东邵阳肖祥贺鑫
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一种自对准薄膜晶体管及其制备方法
发明公开了一种自对准薄膜晶体管及其制备方法，包括以下步骤：将淀积了有源层、栅介质和栅电极的衬底置于电解液中，其中栅介质覆盖有源层的一部分，栅电极至少覆盖栅介质的一部分，对暴露在电解液中的有源层通过电解水的方法进行掺氢处理...
张盛东邵阳肖祥周晓梁
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一种金属氧化物薄膜晶体管制作方法
本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管制作方法，其步骤为：选取衬底，在衬底上制作栅电极；在衬底上生长一层绝缘介质或高介电常数介质，并覆盖在栅电极上作为栅介质层；在栅介质层上生长一层金属层；在金属层中间位置上制备沟道区，在常压...
张盛东邵阳肖祥贺鑫
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新型薄膜晶体管技术与应用
张盛东廖聪维胡治晋韩德栋王漪冷传利肖祥邵阳李建桦张乐陶王玲贺鑫姚建可刘翔何红宇
主要技术内容：进入21世纪，基于薄膜晶体管（TFT）技术的平板显示（FPD）被列为中国国民经济发展的重点产业，成为拉动中国经济发展的新的增长点。但就平板显示技术本身，中国是后发展国家，自主知识产权核心技术匮乏，这严重制约...
关键词：
关键词：薄膜晶体管液晶面板
一种底栅共平面型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种底栅共平面型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成栅电极和栅介质，其中栅电极部分覆盖于衬底上，栅介质覆盖于衬底和栅电极上；在栅介质上采用至少一层含有铝和/或钛的材料淀积源区、漏区导...
张盛东周晓梁肖祥邵阳张乐陶王漪
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一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
本发明提供一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法，其步骤包括：在衬底上淀积一厚的高电阻率金属氧化物半导体层，以及一薄的低电阻率金属氧化物层，形成双层沟道；光刻和刻蚀双层沟道，形成有源区图形；在双层沟道上形成栅...
张盛东肖祥迟世鹏冷传利邵阳
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薄膜晶体管及其制作方法
本发明涉及一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在一衬底的第一表面形成栅电极；在衬底的第一表面形成覆盖栅电极的栅介质层；在栅介质层上形成一金属氧化物半导体层；对金属氧化物半导体层进行处理，使金属氧化物半导体层露出一沟道区；阳...
张盛东邵阳贺鑫肖祥
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一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
本发明提供一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法，其步骤包括：在衬底上淀积一厚的高电阻率金属氧化物半导体层，以及一薄的低电阻率金属氧化物层，形成双层沟道；光刻和刻蚀双层沟道，形成有源区图形；在双层沟道上形成栅...
张盛东肖祥迟世鹏冷传利邵阳
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薄膜晶体管及其制作方法
本发明涉及一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在一衬底的第一表面形成栅电极；在衬底的第一表面形成覆盖栅电极的栅介质层；在栅介质层上形成一金属氧化物半导体层；对金属氧化物半导体层进行处理，使金属氧化物半导体层露出一沟道区；阳...
张盛东邵阳贺鑫肖祥
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底栅氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
本申请涉及一种底栅氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括在衬底上依次堆叠形成底栅电极、底栅介质层、氧化物半导体有源层、沟道保护层以及钝化层和在所述钝化层开口中引出的源、漏电极，所述有源层经图形化形成有源区，所述沟...
张盛东周晓梁邵阳王漪梁婷
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