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王漪

作品数：134 被引量：39H指数：3
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 123篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 20篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 60篇晶体管
  • 43篇半导体
  • 32篇沟道
  • 30篇薄膜晶体
  • 30篇薄膜晶体管
  • 21篇存储器
  • 18篇电极
  • 16篇场效应
  • 16篇场效应晶体管
  • 15篇氧化物半导体
  • 15篇栅结构
  • 14篇氧化物
  • 13篇电路
  • 13篇肖特基
  • 11篇氧化锌薄膜
  • 11篇纳米
  • 10篇势垒
  • 9篇导体
  • 9篇电池
  • 9篇氧化物薄膜

机构

  • 134篇北京大学
  • 3篇京东方科技集...
  • 1篇东北大学

作者

  • 134篇王漪
  • 79篇康晋锋
  • 75篇韩德栋
  • 62篇张盛东
  • 58篇刘力锋
  • 29篇张兴
  • 27篇韩汝琦
  • 24篇孙雷
  • 17篇高滨
  • 15篇陈冰
  • 13篇王亮亮
  • 13篇任奕成
  • 13篇蔡剑
  • 13篇徐浩
  • 13篇张一博
  • 13篇韩静文
  • 10篇王薇
  • 10篇赵飞龙
  • 9篇李悦
  • 9篇王旭

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇微纳电子与智...
  • 1篇2008中国...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 2篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 9篇2017
  • 12篇2016
  • 13篇2015
  • 19篇2014
  • 10篇2013
  • 18篇2012
  • 11篇2011
  • 6篇2010
  • 7篇2009
  • 7篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 134 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明在顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备过程中，将沟道区、栅介质层和栅电极层一起剥离，工艺步骤简单，且沟道层、栅绝缘介质层和栅电极层这三层是在真空条...
韩德栋蔡剑王薇王亮亮王漪张盛东任奕成刘晓彦康晋锋
文献传递
超薄膜磁性材料上XY模型的临界现象被引量：2
2003年
采用经典XY模型 ,阐明了三角格子上层状超薄膜磁性材料的相变和临界现象 .并用Monte Carlo方法对该模型的内部能量、比热、chirality等热力学量进行了计算 .使用finite sizescaling分析法对临界现象的性质进行了论述 .通过上述分析和计算 ,发现该模型在反强磁性层与强磁性层内的chirality在一定范围内随温度的变化急剧增加 ,这是一种新的chirality相变 ;而在另一范围内存在Kosterliz Thouless相变和通常的chirality相变 .这种新的chirality相变的临界系数与系统层数增加无关 ,而通常的chirality相变的临界系数随系统层数增加而增加 .
王漪韩汝琦刘晓彦崛口刚
关键词：XY模型MONTE-CARLO模拟磁性薄膜
一种紫外图像传感器的像素单元结构及其制备方法
本发明公开了一种紫外图像传感器的像素单元及其制备方法。该传感器像素单元包括一衬底，在衬底上集成两个薄膜晶体管，一个薄膜晶体管为驱动晶体管，包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极、遮光层和钝化层；另一个薄膜晶体管为探测晶体...
张盛东王漪金玉丰
文献传递
一种杂质分凝肖特基源漏器件及其制备方法
杂质分凝肖特基源漏器件，包括一个垂直方向的环状半导体沟道，一个环状栅电极，一个环状栅介质层，一个源区，一个杂质分凝区，一个漏区，一个杂质分凝区，一个半导体衬底；源区位于垂直沟道的底部，与衬底相接；杂质分凝区介于源区与垂直...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
文献传递
一种染料敏化太阳能电池的纳米复合电极的制备方法
本发明公开了一种染料敏化太阳能电池的纳米复合电极的制备方法，该方法包括：利用阳极氧化的方法首先在透明导电基底上制备TiO<Sub>2</Sub>纳米管阵列；然后在TiO<Sub>2</Sub>纳米管阵列表面涂布一层TiO...
康晋锋印海友刘力锋王漪刘晓彦张天舒王旭韩汝琦
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底栅氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
本申请涉及一种底栅氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括在衬底上依次堆叠形成底栅电极、底栅介质层、氧化物半导体有源层、沟道保护层以及钝化层和在所述钝化层开口中引出的源、漏电极，所述有源层经图形化形成有源区，所述沟...
张盛东周晓梁邵阳王漪梁婷
具有石墨烯纳米带异质结构的隧穿场效应晶体管
本发明涉及隧穿场效应晶体管技术领域，公开了一种具有石墨烯纳米带异质结构的隧穿场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成于所述沟道区的两侧，所述沟道区的材料为石墨烯纳米带，所述源区的材料为p型掺杂的石墨烯...
刘飞刘晓彦杜刚王漪
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基于透明RRAM栅控薄膜晶体管的1T1R阵列及其制备方法
本发明公开了一种基于透明RRAM栅控薄膜晶体管的1T1R阵列及其制备方法，所述1T1R阵列包括逻辑电路、信号输入电路、信号输出电路、电源Vdd；其中所述逻辑电路包括1T1R单元、第一晶体管；所述1T1R单元包括阻变电阻和...
刘力锋王逸然韩德栋王漪刘晓彦康晋锋
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氮化钛/氧化锌电阻式随机存储器的存储单元及制备方法
本发明提供了一种电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法，属于微电子半导体技术领域。该存储单元包括衬底和金属－绝缘体－金属(MIM)结构电阻器，MIM结构电阻器的顶电极为氮化钛，绝缘体为氧化锌薄膜。本发明由于采用了氮化钛/...
康晋锋许诺刘力锋孙啸刘晓彦韩德栋王漪韩汝琦王阳元
文献传递
一种双层肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法
一种双层源/漏肖特基势垒结构的MOS晶体管，包括半导体衬底、沟道区；下层金属硅化物源区、下层金属硅化物漏区；上层金属硅化物源区、上层金属硅化物漏区；栅介质层和控制栅；其中，沟道区呈长方体状，一侧与上、下两层金属硅化物源区...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
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