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许平

作品数：47 被引量：21H指数：3
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程兵器科学与技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 37篇晶体管
  • 33篇双极晶体管
  • 24篇电阻
  • 16篇掺杂
  • 14篇原位掺杂
  • 14篇嵌入式
  • 14篇发射极
  • 10篇晶体管结构
  • 10篇基区电阻
  • 10篇发射区
  • 8篇抬升
  • 8篇金属硅化物
  • 8篇基极
  • 8篇基极电阻
  • 8篇硅化物
  • 7篇集电区
  • 6篇化物
  • 5篇低电阻
  • 5篇多晶
  • 5篇外延层

机构

  • 47篇清华大学
  • 2篇技术公司
  • 1篇上海集成电路...

作者

  • 47篇许平
  • 36篇付军
  • 36篇王玉东
  • 34篇崔杰
  • 33篇张伟
  • 32篇赵悦
  • 31篇刘志弘
  • 18篇吴正立
  • 18篇李高庆
  • 6篇蒋志
  • 5篇钱佩信
  • 2篇朱从益
  • 2篇严利人
  • 2篇徐阳
  • 2篇张伟
  • 1篇黄文韬
  • 1篇刘志农
  • 1篇陈培毅
  • 1篇熊小义
  • 1篇许军

传媒

  • 6篇电力电子
  • 1篇Journa...
  • 1篇中华医院管理...
  • 1篇2011’全...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2016
  • 9篇2015
  • 3篇2014
  • 9篇2013
  • 8篇2012
  • 4篇2011
  • 5篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇1985
共 47 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品输出输入电容大的缺陷而设计。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管包括衬底、埋层、外延层、集电极引出区、场氧层、本征基区、集电极多晶硅引出部、...
赵悦付军王玉东崔杰张伟刘志弘李高庆许平
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嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区，基区上的发射极，以及发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
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嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法
本发明公开了一种嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法，为解决现有制备方法，步骤多且繁琐、生产效率低、生产成本高等问题而设计，本发明制备方法依次包括：制备第一掺杂类型的集电区、在集电区上制备第二掺杂的基区、在基区上制备介质层...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
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隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻R<Sub>B</Sub>的缺点而发明。本发明隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管的抬升外基区由隐埋低电阻金属硅...
付军王玉东崔杰赵悦张伟刘志弘许平
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嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括重掺杂的埋层集电区、集电区、选择性注入集电区、基区、外基区、发射极以及侧墙，外基区采用原位掺杂选择...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
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嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区、基区上的发射极、以及发射极两侧的侧墙，所述外基区采用原位掺杂选择性...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻R<Sub>B</Sub>的缺点而发明。本发明金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管包括衬底、埋层集电区、轻掺杂外...
付军王玉东崔杰赵悦张伟刘志弘许平
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三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，包括具有三面硅化栅极金属硅化物结构的低栅极电阻金属氧化物半导体场效应晶体管和横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的制备，...
付军王玉东吴正立许平崔杰蒋志朱从益赵悦
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一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺
本发明涉及一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺，(1)将非穿通型绝缘栅双极晶体管硅片正面工艺进行完毕；(2)将硅片背面研磨减薄并去除应力；(3)在硅片背面注入硅离子、锗离子或二氟化硼离子进行预非晶化处理；(4)硅...
刘志弘张伟崔杰许平
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嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区，在集电区上的基区和外基区、在基区上的发射极、以及在发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
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