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付军

作品数：92 被引量：11H指数：2
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防基础科研计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术兵器科学与技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 77篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 4篇文化科学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 64篇晶体管
  • 60篇双极晶体管
  • 32篇电阻
  • 30篇发射区
  • 24篇异质结
  • 24篇锗硅
  • 23篇异质结双极晶...
  • 21篇锗硅异质结双...
  • 19篇多晶
  • 17篇基极
  • 17篇发射极
  • 16篇抬升
  • 16篇基极电阻
  • 16篇掺杂
  • 15篇多晶硅
  • 14篇原位掺杂
  • 14篇嵌入式
  • 14篇自对准
  • 13篇多晶硅发射区
  • 12篇金属硅化物

机构

  • 92篇清华大学
  • 2篇北京有色金属...
  • 2篇天津大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇上海集成电路...

作者

  • 92篇付军
  • 78篇王玉东
  • 64篇崔杰
  • 62篇刘志弘
  • 59篇张伟
  • 56篇赵悦
  • 41篇李高庆
  • 40篇吴正立
  • 36篇许平
  • 9篇严利人
  • 8篇钱佩信
  • 6篇蒋志
  • 6篇周卫
  • 5篇张伟
  • 3篇彭亚涛
  • 3篇郭雅娣
  • 2篇张为
  • 2篇朱从益
  • 2篇安生
  • 2篇王敬

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇电子显微学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇2011’全...

年份

  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2016
  • 21篇2015
  • 7篇2014
  • 16篇2013
  • 18篇2012
  • 7篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1996
共 92 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
全耗尽SOI　MOSFET的阈电压的解析模型被引量：2
1996年
本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。通过与ＰＩＳＣＥＳ的模拟结果以及相应的实验数据的比较，证明本模型的误差较小。此外，本模型还具有计算简便、快速，形式直观，物理意义明确等优点。本模型的建立对于全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ电路模拟、器件物理特性研究及相关的工艺设计是很有意义的。
付军田立林钱佩信罗台秦
关键词：全耗尽MOSFET阈电压场效应器件
一种用于离子注入的激光辅助装置及其使用方法
本发明属于半导体制造装置和方法技术领域，特别涉及一种用于离子注入的激光辅助装置及其使用方法。本发明在离子注入机外部设置激光器，通过透明窗射入到离子注入机内部，又经过透明窗内侧设置的激光反射镜作用，射至晶圆片表面，激光光束...
严利人刘志弘周卫张伟王玉东付军崔杰
带应变增强结构的半导体应变MOS器件及制备工艺
本发明公开了属于半导体器件范围的一种带有应变增强结构的半导体应变MOS器件及制备工艺。在MOS器件源漏接触区两侧制作开槽结构，阻断或者减弱来自源漏两侧的对沟道区的作用，排除了沟道两侧材料对于沟道区的影响，从而使得器件沟道...
严利人周卫付军王玉东刘志弘张伟
文献传递
基于两步等效的片上非等宽螺旋电感的电感值确定方法
本申请提供一种基于两步等效的片上非等宽螺旋电感的电感值确定方法，包括：将片上非等宽螺旋电感初步等效为相等圈数的正多边形非等宽共心闭合金属；根据初步等效的正多边形非等宽共心闭合金属确定总共电感值计算项数，并根据多个无耦合关...
谢双文付军
嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法
本发明公开了一种嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法，为解决现有制备方法，步骤多且繁琐、生产效率低、生产成本高等问题而设计，本发明制备方法依次包括：制备第一掺杂类型的集电区、在集电区上制备第二掺杂的基区、在基区上制备介质层...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
文献传递
负载调制功率放大器
本发明公开一种负载调制功率放大器，主要针对现有技术中功率放大器实现最佳性能的条件较苛刻的问题。该负载调制功率放大器包括依次串联连接的功率分配电路、功放电路、负载预匹配电路和负载电阻R<Sub>L0</Sub>；其中所述负...
彭亚涛付军王玉东崔杰崔文普
文献传递
P－MOSFET的TEM研究被引量：2
1996年
Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的ＴＥＭ研究＊刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信（北京有色金属研究总院，１０００８８北京）（清华大学微电子研究所，１０００８４北京）空穴的迁移率远低于电子迁移率，与Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ相比Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的最大缺点就是电流驱动能力弱。为此，人...
刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信
关键词：P-MOSFETTEM场效应器件
一种片上非等宽螺旋电感计算方法及装置
本发明提供一种片上非等宽螺旋电感计算方法及装置，涉及射频电路设计技术领域。该方法包括：对片上非等宽螺旋电感进行等效处理，得到相等圈数的正多边形闭合共心金属导体，根据片上非等宽螺旋电感的螺旋版图参数和金属相关信息确定正多边...
谢双文付军
隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻R<Sub>B</Sub>的缺点而发明。本发明隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管的抬升外基区由隐埋低电阻金属硅...
付军王玉东崔杰赵悦张伟刘志弘许平
文献传递
嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括重掺杂的埋层集电区、集电区、选择性注入集电区、基区、外基区、发射极以及侧墙，外基区采用原位掺杂选择...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
文献传递
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