您的位置: 专家智库 > >

石红春

作品数:10 被引量:30H指数:3
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文基金:国家科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信生物学理学更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇生物学
  • 1篇理学

主题

  • 5篇等静压
  • 5篇热等静压
  • 5篇CVD
  • 4篇气相沉积
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇ZNS
  • 3篇透过率
  • 3篇HIP
  • 2篇热等静压处理
  • 2篇衬底
  • 1篇多光谱
  • 1篇多晶材料
  • 1篇切割机
  • 1篇热压
  • 1篇外用
  • 1篇物相
  • 1篇物相分析
  • 1篇显微结构
  • 1篇相分析

机构

  • 10篇北京有色金属...

作者

  • 10篇石红春
  • 8篇霍承松
  • 8篇鲁泥藕
  • 6篇杨海
  • 5篇付利刚
  • 4篇余怀之
  • 4篇孙加滢
  • 3篇黄万才
  • 3篇苏小平
  • 2篇赵永田
  • 2篇郑冉
  • 1篇林泉
  • 1篇宋睿丰
  • 1篇魏乃光
  • 1篇张福昌
  • 1篇汪飞琴
  • 1篇陈观通
  • 1篇郑安生
  • 1篇刘宇阳

传媒

  • 2篇红外与激光工...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇稀有金属
  • 1篇应用光学
  • 1篇2009年先...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2013
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2004
  • 1篇2003
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
大口径多光谱ZnS头罩的研制被引量:9
2008年
多光谱ZnS是一种综合性能优异的红外光学材料,在长波红外及多波段红外探测成像系统中被广泛应用。化学气相沉积和热等静压后处理是制备多光谱ZnS材料的关键技术。介绍了化学气相沉积工艺和热等静压处理工艺制备多光谱ZnS的工艺原理及沉积大口径头罩的结构设计;报道了研制成功的270mm大口径多光谱ZnS头罩。经测试分析,头罩的全波段透过率均已接近理论水平、吸收系数≤0.01cm-1、折射指数均匀性达到2.2×10-5、硬度160kg/mm2、抗弯强度70MPa、断裂韧性1.0MPa·m1/2。与美国Rohm&Haas公司的多光谱ZnS产品相比,该头罩的主要性能指标与其处于同一水平。
霍承松杨海付利刚石红春鲁泥藕赵永田魏乃光孙加滢余怀之苏小平
关键词:大口径
CVD复制技术制备ZnS头罩
2007年
为减轻生产、加工难度和减少材料浪费,提出了CVD复制技术制备ZnS头罩的方法。着重阐述了衬底和CVD过程对复制ZnS头罩的影响,并列举了复制ZnS头罩时衬底材料的要求。
鲁泥藕霍承松付利刚石红春孙加滢杨海
关键词:衬底
烧结工艺对镁铝尖晶石透明陶瓷物相、显微结构及光学性能的影响
2022年
镁铝尖晶石透明陶瓷是一种优异的中红外材料,被广泛应用在军事领域和民用领域,具有典型的军民通用特点。本工作研究了烧结工艺对镁铝尖晶石透明陶瓷物相、显微结构及光学性能的影响,确定了适合高质量镁铝尖晶石透明陶瓷烧结工艺路线,对加快大尺寸透明陶瓷装甲材料产业化具有重要意义。结果表明:热压Mg Al_(2)O_(4)透明陶瓷中Li离子可能以LiAlO_(2)形式存在;热等静压Mg Al_(2)O_(4)透明陶瓷的优先取向生长面为(311);热压和热等静压工艺制备的Mg Al_(2)O_(4)陶瓷中Al离子、Mg离子偏离化学计量配比且Al和Mg摩尔比大于2,随着热等静压压力增大,陶瓷内部小晶粒增多,同时发现MgAl_(2)O_(4)陶瓷晶粒尺寸控制在20~40μm有利于提升3~5μm平均透过率,处理温度1750℃、压力170 MPa条件下有利于提升MgAl_(2)O_(4)透明陶瓷3~5μm波段的平均透过率,平均透过率大于85%。同时,发现热等静压烧结时间对提升MgAl_(2)O_(4)透明陶瓷的红外透过率作用较小。
郭立赵永田石红春曹波刘宇阳陈观通郑安生马远飞林泉刘晓华
关键词:热压热等静压物相分析显微结构光学性能
一种用于单线金刚石切割CVDZnSe/ZnS薄片的卡具
一种用于单线金刚石切割CVDZnSe/ZnS薄片的卡具,它包括:卡具底板(1),卡具底板上设有调整水平的螺孔以及用于将卡具锁定于切割机工作平台上的T型槽;在卡具底板上垂直固定有两个铝圆柱(5),两个铝圆柱侧面通过螺杆(8...
石红春张树玉赵永田李文江
文献传递
红外用CVD ZnS多晶材料的研制被引量:13
2008年
论述了制备红外用CVD ZnS多晶材料的化学气相沉积工艺和热等静压处理工艺。针对CVD ZnS多晶材料具备优良的光学和力学性能,采用化学气相沉积工艺和热等静压处理技术成功研制出大尺寸多晶材料,其最大尺寸达到250 mm×15 mm。测试了CVD ZnS样品的各项光学、力学性能指标。样品的全波段透过率均接近ZnS材料的本征水平,折射指数均匀性优于2×10-5,在1.06μm的吸收系数为2×10-3cm-1,抗弯强度达到104 MPa。
杨海霍承松余怀之付利刚石红春鲁泥藕黄万才孙加滢郑冉苏小平
关键词:CVDZNS化学气相沉积热等静压处理
CVD复制技术制备ZnS头罩
为减轻生产、加工难度和减少材料浪费,提出了 CVD 复制技术制备 ZnS 头罩的方法。着重阐述了衬底和 CVD 过程对复制 ZnS 头罩的影响,并列举了复制 ZnS 头罩时衬底材料的要求。
鲁泥藕霍承松付利刚石红春孙加滢杨海
关键词:衬底
文献传递
热等静压处理(HIP)对CVDZnS物相结构的影响
采用X射线衍射(XRD)和红外光谱仪(FTIR)对化学气相沉积ZnS和热等静压处理的多光谱ZnS在物相结构和透过率等方面的变化进行了比较分析。结果表明,原生ZnS中除了立方结构的主相外,还存在具有双折射现象的六方结构杂相...
黄万才石红春张福昌鲁泥藕霍承松杨海
关键词:热等静压
文献传递
热等静压(HIP)对CVDZnS光学性能的影响被引量:3
2003年
对化学气相沉积 (CVD)ZnS经热等静压 (HIP)处理前后在光学透过率等方面的改变进行了比较分析。针对温度、原生样品厚度等因素对样品性能的影响做了详细阐述。实验表明 ,热等静压对原生CVDZnS光学性能有促进作用 ,随处理温度的升高 ,透过率在 10 10~ 10 5 0℃之间出现峰值 ;原生样品厚度的影响不容忽视 ,导热均匀的薄样品晶粒均匀且尺寸较大 ,光学及力学性能要好于厚样品。
付利刚苏小平余怀之霍承松宋睿丰石红春鲁泥藕
关键词:透过率
大功率激光窗口ZnSe的制备原理及方法被引量:7
2004年
比较了四种适用于作CO2激光器窗口的材料,Ge、KCl、GaAs和ZnSe,指出ZnSe是大功率激光器最理想的窗口材料,并列举了3种ZnSe的制备原理及方法,阐述了CVD方法制备多晶ZnSe的过程.
鲁泥藕余怀之霍承松汪飞琴石红春
关键词:透过率ZNSE化学气相沉积
热等静压(HIP)对CVDZnSe透过率的影响
首次将热等静压技术应用于CVDZnSe的后处理工艺中。通过对热等静压处理前后样品的金相组织及可见光和红外各波段透过率的测试和分析表明。热等静压处理消除或减弱了材料内部的缺陷(如微孔、晶界等),提高了晶体在可见光及红外的透...
石红春郑冉鲁泥藕黄万才霍承松杨海
关键词:透过率
文献传递
共1页<1>
聚类工具0