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张照云

作品数：79 被引量：25H指数：3
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金：中国工程物理研究院电子工程研究所科技创新基金中国工程物理研究院科学技术发展基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 57篇专利
  • 16篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 23篇电子电信
  • 12篇电气工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 28篇加速度计
  • 24篇加速度
  • 23篇石英
  • 22篇刻蚀
  • 19篇极板
  • 16篇微加速度计
  • 15篇结构层
  • 14篇激光
  • 11篇电极
  • 10篇掩膜
  • 10篇金属
  • 10篇键合
  • 10篇硅片
  • 9篇封装
  • 8篇易加工
  • 8篇真空封装
  • 8篇振梁加速度计
  • 8篇自混合干涉
  • 8篇微开关
  • 8篇激光测量

机构

  • 77篇中国工程物理...
  • 12篇中国工程物理...
  • 8篇重庆大学

作者

  • 79篇张照云
  • 42篇苏伟
  • 41篇熊壮
  • 36篇彭勃
  • 33篇唐彬
  • 28篇高杨
  • 20篇刘显学
  • 18篇陈颖慧
  • 16篇许蔚
  • 14篇杨杰
  • 10篇施志贵
  • 8篇沈朝阳
  • 7篇赵兴海
  • 7篇赵翔
  • 7篇赵宝林
  • 7篇屈明山
  • 6篇高扬
  • 6篇李枚
  • 5篇谢国芬
  • 4篇王旭光

传媒

  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇中国惯性技术...
  • 2篇太赫兹科学与...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇中国激光
  • 1篇电镀与涂饰
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇光电工程
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇信息与电子工...
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇二〇〇八年激...

年份

  • 8篇2024
  • 13篇2023
  • 3篇2020
  • 7篇2019
  • 5篇2018
  • 8篇2017
  • 10篇2016
  • 8篇2014
  • 6篇2012
  • 1篇2011
  • 6篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
共 79 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于五层SOI硅片的MEMS单片集成方法
本发明公开了一种基于五层SOI的MEMS单片集成方法，包括：在硅片上采用标准的SOI CMOS工艺完成集成电路部分的制作；在硅片上淀积钝化层保护集成电路部分；在硅片背面光刻，刻蚀背面硅至绝缘层，并刻蚀暴露出的绝缘层；在硅...
张照云唐彬苏伟陈颖慧彭勃高扬熊壮
文献传递
激光自混合变速测量的离散Chirp-Fourier变换方法
对激光自混合用于变速运动物体的速度测量进行了探索。建立了激光自混合用于变速测量的数学模型;提出了基于该模型的特征参量提取方法,该方法基于离散Chirp-Fourier变换理论。对激光自混合输出信号进行离散Chirp-Fo...
张照云高杨赵兴海赵翔
关键词：离散CHIRP-FOURIER变换快速傅里叶变换自混合干涉激光测量
文献传递
一种低应力摆式微加速度计
本发明涉及微电子机械系统技术领域，提供一种低应力摆式微加速度计，包括依次布置的上极板、中间极板和下极板。上极板和下极板均包括第一键合边框、电极区和第一应力主隔离梁，第一键合边框的内侧形成第一容置空间，电极区和第一应力主隔...
刘显学谢国芬张照云杨杰王斌陈俊
石英摆式加速度计及其制备方法
本发明公开了一种石英摆式加速度计，包括上极板、中间极板和下极板，所述上极板和所述下极板均由键合区、电容平板区和电极引线区组成，所述键合区围在所述电容平板区的四周，所述电极引线区一端悬空，另一端穿过所述键合区与所述电容平板...
张照云苏伟唐彬许蔚熊壮
文献传递
一种基于五层SOI硅片的MEMS单片集成结构
本实用新型公开了一种基于五层SOI的MEMS单片集成结构，包括：在硅片上采用标准的SOI？CMOS工艺完成集成电路部分的制作；在硅片上淀积钝化层保护集成电路部分；在硅片背面光刻，刻蚀背面硅至绝缘层，并刻蚀暴露出的绝缘层；...
张照云唐彬苏伟陈颖慧彭勃高扬熊壮
文献传递
一种高冲击石英微开关
本发明涉及微电子机械系统技术领域，公开了一种高冲击石英微开关。包括由下至上通过键合连接的下极板、中间极板和上盖板。其中，中间极板包括中间基板和设置于中间基板下表面的中间电极层。中间基板包括中间边框、第一质量块和第一悬臂梁...
刘显学张照云杨杰谢晋
双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法
本发明提供了双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。该加工方法包括：利用双掩膜首先刻蚀硅结构层上的细线宽结构部分，然后...
张照云彭勃施志贵高杨苏伟
文献传递
一种SOI MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法
一种SOI？MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法，包括在SOI硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极；在SOI硅片结构层表面溅射金属铝；在SOI硅片结构层表面光刻，定义出MEMS结构图形；腐蚀SOI硅片结构层...
张照云唐彬苏伟陈颖慧彭勃高扬熊壮
文献传递
一种石英微开关
本发明涉及微电子机械系统技术领域，公开了一种石英微开关，该开关包括由下至上通过键合连接的下极板、中间极板和上盖板。其中，中间极板包括中间基板和设置于中间基板下表面的中间电极层；中间基板包括中间边框、质量块和悬臂梁；中间电...
谢晋刘显学张照云杨杰
一体式高冲击石英微开关
本发明涉及微电子机械系统技术领域，公开了一种一体式高冲击石英微开关。基于熔石英基片一体成型的石英微开关主体，石英微开关主体包括基座、悬臂梁、质量块、下极板、下极板悬臂梁和下极板质量块。质量块通过悬臂梁连接至基座的上端，下...
张照云刘显学杨杰谢晋
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