张文广
- 作品数：8 被引量：18H指数：3
- 供职机构：上海大学更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 在氧化铝陶瓷上进行金刚石薄膜定向生长的方法
- 本发明述及一种在氧化铝陶瓷上进行金刚石薄膜定向生长的方法，其特征在于采用微波等离子体化学气相沉积法进行金刚石薄膜定向沉积，其工艺步骤如下：a.在未沉积金刚石膜之前，采用碳离子注入处理法<Sup>+</Sup>对氧化铝陶瓷...
- 夏义本王林军方志军莫要武簧晓琴戴雯琦文黎星张文广
- 文献传递
- 采用MPCVD法在硅衬底上选择性生长金刚石膜(英文)被引量：1
- 2001年
- 采用微波等离子体化学气相沉积（ MPCVD）法在附有 SiO2掩摸的硅衬底上选择性沉积出 了金刚石膜。采用扫描电子显微镜（ SEM）和 Raman光谱仪对金刚石膜的表面形貌和结构进行 了表征 ,并讨论了衬底温度对金刚石薄膜选择性沉积的影响，得出了较佳的沉积条件。
- 史伟民王林军张文广居建华夏义本
- 关键词：金刚石膜MPCVD硅衬底
- [001]织构和非织构CVD金刚石膜的电学特性被引量：3
- 2000年
- 研究了[001]织构和非织构金刚石膜的暗电流-电压特性、电流-温度特性以及在稳态X射线辐照下的响应。结果表明[001]织构的金刚石膜相对非织构多晶金刚石膜具有大的暗电流和X射线响应,主要是由于非织构金刚石膜含有大量的晶粒间界,导致对载流子的传输产生强烈散射。在高于500K的温度区域内,随着温度的上升[001]织构和非织构的金刚石膜的电流都将以指数式上升,这与Si占据金刚石格点产生1.68eV的激活能有关。
- 王林军夏义本居建华张文广
- 关键词：CVD金刚石电学特性X射线探测器金刚石膜织构
- 在图形化的Si上选择定向生长(100)金刚石薄膜
- 张文广
- 关键词：金刚石薄膜定向织构生长MPCVDHFCVD
- 偏压对金刚石薄膜选择性成核和生长影响的研究被引量：4
- 2000年
- 利用偏压增强MPCVD法成功地实现了金刚石薄膜在附有SiO2 掩膜图形的镜面抛光的Si( 1 0 0 )上的选择性织构生长 ,列举了最佳偏压成核与选择性生长条件 ,SEM和Raman光谱对所得样品进行了表征 ,并对偏压对选择性成核和生长的影响机制进行了探讨。
- 张文广夏义本居建华王林军
- 关键词：金刚石薄膜
- 全文增补中
- 金刚石膜在偏压电场作用下的成核行为被引量：2
- 1999年
- 探讨了用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在Si(100)衬底上加偏压电场和不加偏压电场情况下金刚石膜的成核行为.并经用原子力显微镜(AFM)分析,偏压电场对金刚石成核有促进作用.文章也分析了偏压电场所以能促进金刚石成核的机制.
- 张文广夏义本居建华王林军
- 关键词：金刚石膜MPCVDAFM
- 金刚石膜/多孔硅复合材料的性能表征被引量：8
- 2001年
- 提出了一种新颖的多孔硅表面钝化技术 ,即采用微波等离子体辅助的化学气相沉积 (MPCVD)方法在多孔硅上沉积金刚石薄膜。采用原子力显微镜 (AFM)、扫描电子显微镜 (SEM )、X射线衍射仪 (XRD)、拉曼光谱仪和荧光分光光度计对多孔硅及金刚石膜的表面形貌、结构和发光特性进行了表征。结果表明采用微波等离子体化学气相沉积法可在多孔硅基片上形成均匀、致密、性能稳定且对可见光具有全透性的金刚石膜。金刚石膜与多孔硅的复合 ,大大稳定了多孔硅的发光波长和强度 ,同时增强了多孔硅的机械强度。
- 王林军夏义本居建华范轶敏张文广莫要武史伟民桑文斌
- 关键词：多孔硅金刚石薄膜表面钝化光致发光复合材料
- 在图形化的Si上选择性定向生长(100)金刚石薄膜
- 该论文采用偏压增强微波等离子体化学气相沉积法(Bias-enhanced MPCVD)在附有SiO<,2>掩膜图形的镜面抛光的Si(100)衬底上成功地选择性生长出高质量[100]定向织构的金刚石图形薄膜;采用热丝化学气...
- 张文广
- 关键词：金刚石薄膜定向织构生长MPCVDHFCVD
- 文献传递
