史伟民
- 作品数：155 被引量：227H指数：8
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 超声波辅助下水浴真空物理气相沉积厚膜的系统装置
- 本实用新型超声波辅助下水浴真空物理气相沉积厚膜的系统装置，主要包括有具有真空室、沉积厚膜的TFT基片、基片温度控制仪、真空抽气泵、循环冷却水管、膜原料蒸发管及其水浴加热槽超声波产生器。本实用新型的装置结构简单，易于操作，...
- 刘功龙史伟民吕燕芳廖阳杨伟光袁安东瞿晓雷
- 文献传递
- 一种ZnS包覆的ZnO纳米阵列核壳结构的制备方法
- 本发明涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。生长出来的ZnOZnS纳米阵列核壳结构可作为铜锌锡硫（CZTS）太阳能电池的窗口层。属太阳能电池薄膜器件...
- 史伟民袁安东张月璐廖阳杨伟光李季戎钱隽王国华王晨韩洋沈心蔚陶媛
- 文献传递
- 不同取向金刚石薄膜的红外椭圆偏振光谱特性研究被引量：8
- 2006年
- 采用红外椭圆偏振光谱仪对HFCVD方法所制备的不同取向金刚石薄膜的光学参数进行了测量．结果表明（001）取向金刚石薄膜具有较佳的光学质量，在红外波段基本是透明的．在2．5-12．5μm红外波长范围内，（001）取向金刚石膜的折射率和消光系数几乎不随波长的改变而变化，折射率为2．391，消光系数在10^-5范围内；对于（111）取向金刚石膜，其折射率和消光系数随波长的改变有微小变化，折射率和消光系数都低干（001）取向膜．通过计算拟合得到（001）取向金刚石膜的介电常数为5．83，优干（111）取向膜。
- 苏青峰夏义本王林军刘健敏史伟民
- 关键词：CVD金刚石膜折射率消光系数
- 非晶硅薄膜上碘化汞多晶薄膜的生长及其性能被引量：5
- 2008年
- 采用改进后的带有真空活塞的热壁物理气相沉积装置在非晶硅薄膜上制备HgI2多晶薄膜,使薄膜生长的操作过程更加简单安全。用边抽真空边生长薄膜的方式,可以获得较大的生长速率。通过改变不同的沉积参数,对获得的薄膜,采用XRD、SEMI、-V特性以及电容频率特性等手段对其进行表征,结果表明,获得了沿〈001〉晶向柱状生长且晶粒大小均匀、电阻率为2.5×1011Ω.cm、相对介电常数为5.53的薄膜。
- 郑耀明史伟民魏光普秦娟徐环
- 关键词：多晶非晶硅物理气相沉积
- 用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法
- 本发明涉及一种用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法。属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。本发明方法主要过程为：(1)将镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃作为衬底，并进行洁净处理；(2)非晶硅薄膜的制备，用气相沉积法在玻璃衬底上沉积...
- 史伟民金晶陈盛陈洁利余俊阳黄璐
- 文献传递
- 声光晶体TeO_2的生长及缺陷研究被引量：6
- 2001年
- 本文研究了直拉TeO2 晶体中的主要晶体缺陷形成机理 ,讨论分析了TeO2 单晶生长的工艺参数对晶体缺陷的影响。结果表明 :晶体裂缝主要与温度梯度有关 ,温度梯度大于 2 0～ 2 5℃ /cm及出现界面翻转时 ,易造成晶体的开裂 ,位错密度增加 ;晶体中的包裹体主要为气态包裹体 ,它的形成主要与籽晶的转速和晶体的提拉速度有关 ,转速 15～ 18r/min ,拉速 0 .55mm/h ,固液界面微凹 ,可以减少晶体中的气态包裹体 ;晶体台阶由晶体生长过程中温度和生长速度的起伏引起 ,当台阶间距较宽时 ,易形成包裹体。
- 季小红桑文斌刘冬华李冬梅钱永彪史伟民闵嘉华
- 关键词：声光晶体晶体缺陷工艺参数单晶生长直拉法
- CuPc薄膜及其厚度对太阳电池性能的影响被引量：3
- 2008年
- 酞菁铜是一种重要的有机光电半导体材料,其优异的稳定性和良好的光电性能,越来越受到人们的重视.对真空蒸发法制备的酞菁铜薄膜进行了XRD、Raman光谱、紫外-可见光谱,以研究该薄膜的结构及光学性能,并对肖特基型太阳电池ITO/CuPc/Al进行研究,通过改变CuPc的厚度,讨论其对该太阳电池电学性能的影响.
- 张瑜史伟民郑耀明王林军朱文清夏义本
- 关键词：太阳能电池
- 一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法
- 本发明公开一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法。具有以下工艺步骤：首先，将硅衬底/金刚石薄膜进行清洗预处理；之后，将预处理后的金刚石薄膜放入紫外臭氧清洗机中进行表面修饰与改性，降低薄膜表面的带隙与表面态，提高薄膜结...
- 苏青峰史伟民王林军黄健周平生李杰袁安东钱隽
- 多循环快速热退火辅助金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法
- 本发明涉及一种多循环快速热退火辅助金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将氯化镍溶于酒精和甲苯的混合溶液，并加入乙基纤维素，配成粘稠性溶液；将该溶液旋涂，...
- 金晶戴文韫瞿晓雷邱宇峰史伟民
- 文献传递
- 两种制备多晶铜铟硒薄膜方法的比较
- 2007年
- 采用真空顺序蒸发铜铟金属预置层后真空硒化退火的方法(硒化法),以及真空三元叠层蒸发后氮气气氛退火的方法(叠层法)分别制备了太阳电池吸收层材料CuInSe2薄膜。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散X射线分析技术等分析手段对薄膜进行了表征。结果表明:两种方法制备的薄膜形貌都比较致密均匀,晶粒直径分别约1.5μm和约1μm。组分分析表明所制薄膜均为富铜CIS。硒化法制备的CIS薄膜具有单一的黄铜矿相结构;而叠层法制备的薄膜含有少量杂相,如-βIn2Se3等。因此硒化法制备的薄膜更适于作为太阳能吸收层材料。
- 林飞燕秦娟徐环史伟民魏光普
- 关键词：铜铟硒薄膜太阳电池
