王保强
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
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- 器件尺寸对RTD性能的影响
- 由于共振隧穿二极管(RTD)在超高频方面的优异性能,近年来得到了广泛的重视.本文通过对InGaAs/A1As材料的不同尺寸共振隧穿二极管(RTD)的研究,发现对于不同峰谷比和峰值电流密度,通过调整器件尺寸,可以得到符合性...
- 张晓昕曾一平王保强朱占平
- 关键词：分子束外延共振隧穿二极管器件尺寸
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- In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As MM-HEMT材料MBE生长
- 采用MBE生长技术,在半绝缘GaAs衬底上生长了大失配的In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MM-HEMT材料.对其进行了透射电镜(TEM)、PL谱以及Shhubnikov...
- 崔利杰王保强朱战平
- 关键词：分子束外延生长MM-HEMT材料GAAS衬底
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- InGaAs沟道层中In组分含量对MM-HEMT材料性能的影响
- 采用MEB技术制备了一系列沟道层不同In组分含量的MM-HEMT材料.结果发现,随In组分含量的变化,材料的电子迁移率有一最佳值,对这一结果给予了解释.
- 崔利杰朱战平王保强张昉昉曾一平李灵霄林兰英
- 关键词：分子束外延技术MM-HEMT材料材料性能
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- GaAs基MM-HEMT和InP基LM-HEMTMBE生长
- 本文采用MBE生长技术,比较了在InP衬底上生长晶格匹配的LM-HEMT与在GaAs衬底上生长大失配的MM-HEMT的材料的性能.结果发现,二者的电子迁移率与电子浓度都非常接近,这说明我们采用阶梯式变组分的方法生长MM-...
- 崔利杰曾一平王保强朱战平李灵霄林兰英
- 关键词：MBEHEMT电子迁移率
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- SPACER层中的δ掺杂对RTD性能的影响
- 在这篇文章中,我们提出了在传统双势垒结构的SPACER层中增加一层δ掺杂的RTD结构,并成功生长出了峰谷比为2.8谷值电流密度为11.8kA/cm<'2>性能相对优良的RTD,并发现在一定范围内,增加δ掺杂的浓度可以提高...
- 张晓昕曾一平王保强朱占平
- 关键词：RTDΔ掺杂半导体材料
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- GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料的零场自旋分裂
- 采用Shubnikov-de Hass(SdH)振荡测试技术研究了GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料的磁输运特性,并在窄带隙和掺杂浓度高的材料中发现了零场自旋分裂现象.
- 崔利杰曾一平王保强朱战平李灵霄林兰英
- 关键词：分子束外延
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