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武唯康

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇电荷
  • 6篇SOI器件
  • 5篇掺杂
  • 4篇泄漏电流
  • 4篇晶体管
  • 4篇抗辐射
  • 4篇隔离区
  • 4篇背栅
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇有源
  • 3篇正电
  • 3篇正电荷
  • 2篇电极
  • 2篇电极材料
  • 2篇电路
  • 2篇电路技术
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇栅介质

机构

  • 15篇北京大学

作者

  • 15篇武唯康
  • 15篇安霞
  • 15篇黄如
  • 11篇谭斐
  • 9篇张兴
  • 7篇冯慧
  • 7篇黄良喜
  • 4篇刘静静
  • 3篇张曜
  • 1篇杨东

传媒

  • 1篇中国科学：信...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法
本发明公开了一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法，属于CMOS集成电路技术领域。该CMOS器件包括衬底、源区、漏区以及位于衬底上的垂直沟道，在垂直沟道内增加一介质保护区一，该介质保护区一位于垂直沟道中央，将垂直沟道分为两...
黄如谭斐安霞武唯康黄良喜
文献传递
基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法
2014年
自热效应SHE(self-heating effect)是SOI MOSFETs可靠性研究的关键问题之一.在热载流子注入HCI(hot carrier injection)应力下会导致自热效应加剧,低估器件工作寿命,使得寿命预测不准.本文提出了一种基于直流HCI应力下的0.18μmPD-SOINMOSFETs可靠性寿命预测方法.通过栅电阻法提取沟道中因自热效应产生的温度,采用自热修正后的衬底电流/漏电流比率模型预测PD-SOI NMOSFETs在正常工作电压下的寿命值,预测结果与未消除自热影响预测出的寿命值存在较大差异,说明自热修正在寿命预测中不可忽略,否则会低估器件的工作寿命.
冯慧安霞杨东谭斐黄良喜武唯康张兴黄如
关键词：自热效应热载流子注入效应热电阻SOI
一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法
本发明公开了一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法，属于CMOS集成电路技术领域。该CMOS器件包括衬底、源区、漏区以及位于衬底上的垂直沟道，在垂直沟道内增加一介质保护区一，该介质保护区一位于垂直沟道中央，将垂直沟道分为两...
黄如谭斐安霞武唯康黄良喜
文献传递
一种抗单粒子辐射的多栅器件及其制备方法
本发明公开了一种抗单粒子辐射的多栅器件及其制备方法。本发明的多栅器件包括：衬底；在衬底上且分别位于两端的源区和漏区；在衬底上的源区和漏区之间的凸出的鳍型结构和介质层；在鳍型结构和介质层上的栅介质和栅电极；以及在相邻的两个...
黄如武唯康安霞谭斐黄良喜冯慧张兴
文献传递
回形多叉指场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种抗总剂量、微剂量辐射的回行多叉指器件及其制备方法。本发明的回行多叉指器件包括：衬底；在衬底上的浅槽隔离区；在衬底上且被STI区包围的有源区；栅为一条盘绕在有源区上的折线或曲线，栅的两端分别过覆盖STI区；...
黄如武唯康安霞刘静静陈叶华张曜张兴
文献传递
抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法
本发明公开了一种抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括：衬底、埋氧层、半导体体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙、轻掺杂漏LDD区以及防泄漏区；防泄漏区凹陷在埋氧层内，并且位于半导体体区之下...
黄如谭斐安霞黄良喜武唯康张兴
文献传递
一种抗辐射加固的SOI器件及其制备方法
本发明公开了一种抗辐射加固的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括半导体衬底、埋氧层、体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙、LDD区及隔离氧化层，其中，在体区的下表面和埋氧层的上表面之间，以及体区在宽度方向上的两个侧壁...
黄如谭斐安霞武唯康冯慧
文献传递
具有较小版图面积的环栅场效应晶体管及其制备方法
一种具有较小版图面积的环栅场效应晶体管，包括：衬底(1)；在衬底上的浅槽隔离区STI(5)；在衬底上且被STI区包围的源区(2)；被源区包围的栅介质(7)；覆盖在栅介质上的栅电极材料(4)；以及被栅包围在中心的漏区(3)...
黄如武唯康安霞刘静静陈叶华张曜张兴
文献传递
一种抗辐射加固的SOI器件及其制备方法
本发明公开了一种抗辐射加固的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括半导体衬底、埋氧层、体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙、LDD区及隔离氧化层，其中，在体区的下表面和埋氧层的上表面之间，以及体区在宽度方向上的两个侧壁...
黄如谭斐安霞武唯康冯慧
文献传递
回形多叉指场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种抗总剂量、微剂量辐射的回行多叉指器件及其制备方法。本发明的回行多叉指器件包括：衬底；在衬底上的浅槽隔离区；在衬底上且被STI区包围的有源区；栅为一条盘绕在有源区上的折线或曲线，栅的两端分别过覆盖STI区；...
黄如武唯康安霞刘静静陈叶华张曜张兴
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