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安霞

作品数：120 被引量：25H指数：2
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 115篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 39篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 37篇锗
  • 35篇电路
  • 35篇集成电路
  • 24篇沟道
  • 23篇衬底
  • 22篇界面态
  • 20篇晶体管
  • 17篇淀积
  • 17篇场效应
  • 17篇场效应晶体管
  • 17篇超大规模集成
  • 17篇超大规模集成...
  • 17篇大规模集成电...
  • 14篇迁移率
  • 13篇总剂量
  • 13篇泄漏电流
  • 13篇半导体
  • 12篇电荷
  • 12篇态密度
  • 12篇界面态密度

机构

  • 120篇北京大学
  • 1篇长春理工大学

作者

  • 120篇安霞
  • 117篇黄如
  • 89篇张兴
  • 29篇黎明
  • 24篇林猛
  • 22篇谭斐
  • 18篇云全新
  • 18篇郭岳
  • 16篇杨东
  • 15篇武唯康
  • 12篇黄良喜
  • 12篇李志强
  • 10篇李敏
  • 9篇冯慧
  • 9篇刘朋强
  • 9篇艾玉杰
  • 8篇王润声
  • 7篇许晓燕
  • 7篇浦双双
  • 7篇郝志华

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇中国科学：信...

年份

  • 5篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 9篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
  • 7篇2016
  • 10篇2015
  • 12篇2014
  • 14篇2013
  • 24篇2012
  • 15篇2011
  • 8篇2010
  • 1篇2005
共 120 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种估算集成电路辐照效应的方法
本发明涉及一种集成电路辐照效应的估算方法，属于集成电路领域。该估算方法主要包括以下步骤：A.将受到辐照后的集成电路中的NMOS器件在源、漏之间形成的导电通路作为一个寄生晶体管；B.利用陷阱电荷数与辐照剂量的关系式：Q<S...
薛守斌王思浩谭斐安霞黄如张兴
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一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法
本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括：制备化学机械抛光停止层；淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜；将多晶硅薄膜加工成条状；在条状多晶硅的顶面...
艾玉杰许晓燕黄如安霞郝志华范春晖浦双双王阳元
一种单粒子辐照引入的涨落的表征方法及应用
本发明公开了一种单粒子辐照引入的涨落的表征方法及应用，通过测试提取单粒子辐照前后多个不同尺寸器件的阈值电压分布，获得单粒子辐照引起的阈值电压涨落，进而对工艺涨落模型进行修正，修正辐射环境下工作的电路设计裕度要求。本发明计...
安霞任哲玄李艮松张兴黄如
文献传递
一种应变锗器件的制备方法
本发明公开了一种应变锗器件的制备方法，属于半导体器件制造工艺领域。该制备方法通过离子注入对源漏区域表面进行预非晶化，并在源漏区域中注入张应变诱导元素，然后对衬底进行退火，使非晶区域固相外延再结晶。本发明采用固相外延方法可...
安霞张冰馨黎明林猛郝培霖黄如张兴
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一种抗总剂量辐射的FinFET器件及其制备方法
本发明公开了一种抗总剂量辐射的FinFET器件及其制备方法。所述器件在半导体衬底上通过刻蚀形成“哑铃”形Fin条结构，一方面，增强了栅对“哑铃”形Fin条较薄中部电势控制能力，能够有效减少辐照在STI区引起的陷阱电荷对F...
安霞任哲玄王家宁黄如张兴
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一种制备超窄槽的方法
本发明提供了一种制备超窄槽的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括：首先在衬底上制备化学机械抛光停止层；然后淀积一氮化硅层，在氮化硅层上淀积一多晶硅层；随后将多晶硅加工成窄槽；再将多晶硅上定义出的窄槽转移...
黄如浦双双许晓燕安霞郝志华范春晖王润声艾玉杰
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一种适用于锗基阱的制备方法
一种适用于锗基阱的制备方法，包括如下步骤：对锗基衬底进行清洗；在锗基衬底上淀积一层注入掩蔽层；注入所需的杂质；退火实现杂质的激活；去除注入的掩蔽层；用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度。利用离子注入的方法精确控制阱的深度与...
黄如林猛刘朋强张冰馨安霞黎明张兴
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一种锗基CMOS的制备方法
本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度，并在注入后通过牺牲氧化的方法改善由于离子注入、淀积掩蔽层与场区氧化物带来的锗基衬底表面的粗糙度的退化。本发明...
黄如林猛黎明安霞赵阳张冰馨刘朋强夏宇轩张兴
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一种半导体锗基衬底材料及其制备方法
本发明提供一种半导体锗基衬底材料及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明在半导体基片上形成一多孔层，在多孔层上设置半导体锗片，形成多孔层上半导体锗基衬底材料。本发明利用多孔层的低介电常数，在多孔层上形成半导...
黄如郭岳安霞杜菲张兴
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一种锗硅沟道鳍式场效应晶体管及其制备方法
本发明公布了一种锗硅沟道鳍式场效应晶体管及其制备方法。该锗硅沟道鳍式场效应晶体管通过热氧化形成体在绝缘层上(BOI)结构，切断了源漏间的泄漏电流通道，能够有效抑制器件的泄漏电流，并且比SGOI FinFET具有更小的埋氧...
安霞张冰馨胡向阳黎明黄如张兴
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