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文献类型

  • 3篇期刊文章
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  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇离子注入
  • 2篇集成电路
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道效应
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇血管
  • 1篇血管病
  • 1篇离子
  • 1篇离子注入工艺
  • 1篇模拟程序
  • 1篇脑血
  • 1篇脑血管
  • 1篇脑血管病
  • 1篇刻蚀
  • 1篇疾病
  • 1篇疾病治疗
  • 1篇干法刻蚀
  • 1篇半导体

机构

  • 5篇清华大学

作者

  • 5篇李煜
  • 3篇李瑞伟
  • 3篇王纪民
  • 1篇付玉霞
  • 1篇陈慧军
  • 1篇李睿
  • 1篇苑纯
  • 1篇陈硕
  • 1篇赵锡海
  • 1篇罗建文
  • 1篇王新元

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
集成电路工艺模拟中的离子注入设备模型研究被引量:1
2002年
以离子注入工艺为例 ,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响 ,提出了建立设备模型的必要性 。
李煜李瑞伟王纪民
关键词:离子注入沟道效应集成电路
内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序
2003年
以离子注入工艺为例 ,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响 ,提出了建立设备模型的必要性 ,并且编程加以实现 .
李煜李瑞伟王纪民
关键词:离子注入沟道效应编程
脑血管多模态影像关键技术研究
赵锡海李睿陈慧军罗建文苑纯王新元陈硕李煜
研究目的: 脑血管病预警的影像学技术研究,旨在针对脑血管疾病的特点,研究开发集磁共振和超声的多模态成像和图像后处理技术,实现对脑血管粥样硬化易损斑块的准确评估,为临床诊断和治疗提供重要依据,从而提高脑血管病的防控效能。 ...
关键词:
关键词:脑血管病疾病治疗
集成电路工艺模拟的设备模型研究
李煜
文献传递
氮化硅干法刻蚀工艺设备模型的试验与测量
2005年
通过对氮化硅薄膜干法刻蚀工艺实验结果的测量,得到硅片表面非均匀性分布的具体测 量数据,并对这种现象的成因进行了定性的理论分析,为下一步建立刻蚀工艺设备模型准备了充足 的实验数据。
李煜李瑞伟王纪民付玉霞
关键词:干法刻蚀半导体工艺
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