李瑞伟
- 作品数：20 被引量：39H指数：3
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 集成电路工艺模拟中的离子注入设备模型研究被引量：1
- 2002年
- 以离子注入工艺为例 ,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响 ,提出了建立设备模型的必要性 。
- 李煜李瑞伟王纪民
- 关键词：离子注入沟道效应集成电路
- 漏雪崩应力下热载流子注入引起的MOSFET退变特性研究被引量：1
- 1993年
- 本文对亚微米MOSFET在漏雪崩恒流应力(DAS)条件下热载流子注入引起的退变现象做了实验研究。实验结果表明:在一般的恒流应力条件下,栅氧化层中由空穴注入形成的空穴陷阱电荷对器件特性起主要影响作用。恒流应力过程中,任何附加的电子注入都可使器件退变特性发生明显变化,实验结果还证实,漏雪崩应力期间形成的空穴陷阱电荷可明显降低器件栅氧化层的介质击穿特性。
- 程玉华李瑞伟李志坚
- 关键词：场效应晶体管雪崩载流子注入
- 不同应力条件下亚微米MOSFET's热载流子退变特性实验研究
- 1993年
- 本文对N沟道亚微米器件在不同应力条件下的热载流子退变特性进行了实验研究。实验结果表明:热空穴注入对器件的热载流子退变特性有重要影响。文章对不同应力条件下器件中的热空穴注入与热电子注入的相互作用进行了分析。
- 程玉华李瑞伟李志坚
- 关键词：场效应晶体管载流子退变
- 内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序
- 2003年
- 以离子注入工艺为例 ,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响 ,提出了建立设备模型的必要性 ,并且编程加以实现 .
- 李煜李瑞伟王纪民
- 关键词：离子注入沟道效应编程
- 集成电路片内铜互连技术的发展被引量：18
- 2001年
- 论述了铜互连取代铝互连的主要考虑 ,介绍了铜及其合金的淀积、铜图形化方法、以及铜与低介电常数材料的集成等。综述了 ULSI片内铜互连技术的发展现状。
- 陈智涛李瑞伟
- 关键词：集成电路铜互连
- N-掺杂浓度对小尺寸nMOSFETs热载流子寿命的影响被引量：5
- 2000年
- 从模拟和试验二方面对 N- 区的结构参数影响器件可靠性的规律进行了细致的研究 .考虑到工艺条件 ,主要讨论 N-区的掺杂浓度 ( NN- )的变化对器件可靠性的影响 .通过模拟和从实际工作中得到的结果 ,对于 0 .35— 1 .2μm器件 ,我们将 N- 区的掺杂浓度优化为 7× 1 0 17— 1×1 0 18/cm3.利用优化结果进行试验生产 ,并对器件寿命进行测量的结果表明 ,沟道长度 0 .8μm以上的均可以在 5V的电源电压下可靠地工作 1 0年 (工业标准 ) ;0 .4μm的器件 ,可以在 4V的电源电压下达到 1 0年的工作寿命 (热载流子寿命 ) .
- 张炯李瑞伟
- 关键词：热载流子NMOSFETS
- AC热载流子应力下nMOSFET’s的退变研究被引量：1
- 1999年
- 本文研究了固定漏电压、栅脉冲ＡＣ应力条件下ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件特性的退化情况．不同高低电平栅脉冲的应力实验结果表明，ＡＣ热载流子应力条件下器件特性的退化与栅脉冲高低电平的覆盖的范围密切相关．ＡＣ应力条件下器件退化是否增强，取决于ＡＣ应力过程是否经历了不同模式的ＤＣ应力．
- 张炯李瑞伟张文良
- 关键词：热载流子效应
- 1-1.5微米成套工艺开发及1兆位汉字库只读存储器
- 李志坚杨之廉徐葭生李瑞伟蒋志吴正立周育诚张树红王水弟
- “1-1.5微米成套工艺开发及1兆位汉字库只读存储器研制”是国家计委和机械电子部在“七五”期间下达的重点科技攻关项目，属于电子工业领域，它涉及发展我国超大规模集成电路(VLSI)所需的工艺技术、设计技术、测试技术和有关专...
- 关键词：
- 关键词：超大规模集成电路只读存储器
- 反向关态电流在热载流子蜕变效应研究中的应用被引量：1
- 1998年
- 本文研究了ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件的反向关态电流（Ｉｏｆｒ）特性．我们发现，刚受过热载流子应力的器件Ｉｏｆｒ呈现一个突然的增高，而在随后的一段时间里（我们定义其为弛豫时间）又呈指数下降，这一现象是由于在热载流子应力过程中注入的热空穴的消散造成的．所以我们认为Ｉｏｆｒ不但可以作为热空穴注入的有力证据，而且可以作为热空穴研究的有效手段．
- 张炯李瑞伟钱伟
- 关键词：ICNMOSFET
- 高耐压、大功率MOS集成电路关键器件的设计与工艺
- 为了提高ＭＯＳ晶体管漏端Ｐ－Ｎ结的击穿电压，该文设计了一种环形多晶硅栅结构，并在漏Ｐ－Ｎ结靠沟道区一侧设置Ｎ〈’－〉区。并成功地进行了实验研究，获得了满意的结果。所制成的ＭＯＳ管的漏Ｐ－Ｎ结击穿电压可以在３５￣７０Ｖ之间...
- 吴正立李瑞伟蒋志王勇王纪民
- 关键词：高耐压大功率
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