刘彦松
- 作品数：6 被引量：76H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SOI高温器件及其在汽车电子等领域中的应用被引量：3
- 1999年
- 石油钻井、航空航天、汽车等工业领域急需能在高温下工作的器件和电路．ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技术在高温器件和电路方面有着广泛的应用前景．
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- 关键词：SOI
- 利用ZnO缓冲层制备AlN薄膜被引量：30
- 2000年
- 采用脉冲激光淀积 (PL D)技术 ,利用 Zn O作为缓冲层 ,在 Si(10 0 )衬底上生长出 Al N薄膜。X-射线衍射图谱表明 ,该 Al N薄膜具有 c轴取向特性。X-光电子能谱测试表明 ,要获得接近理想化学配比的 Al N薄膜 ,需要高真空淀积气氛或合适的 N2 气氛 ;同时还表明 ,Al N薄膜表面容易形成保护性氧化层。剖面透射电子显微镜显微照相显示该 Al N/ Zn O/ Si(10 0 )多层结构清晰可辨 ,层与层之间的界面非常平整。原子力显微镜分析表明 ,采用 Zn O缓冲层可改善 Al N薄膜的表面粗糙度 (RMS=1nm)
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- 关键词：缓冲层PLD氧化锌氮化铝薄膜
- 用PLD法制备声表面波器件用ZnO薄膜被引量：43
- 2001年
- 采用脉冲激光淀积 (PLD)法在单晶Si(10 0 )衬底上淀积了ZnO薄膜。XRD、TEM和AFM分析表明 ,淀积的ZnO薄膜具有良好的c轴取向性和表面平整度。通过改变淀积气氛或在纯氧中高温退火 ,ZnO薄膜的电阻率提高到 10 7Ω·cm。这些结果表明 ,用PLD法淀积的ZnO薄膜能够满足声表面波(SAW )器件的需要。
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- 关键词：脉冲激光淀积压电性声表面波器件氧化锌薄膜
- 脉冲激光淀积高质量ＺｎＯ薄膜
- 脉冲激光淀积（ＰＬＤ）在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＺｎＯ薄膜，ＸＲＤ表明，在１００℃～４００℃温度范围内制备的ＺｎＯ薄膜是高度Ｃ轴择优取向的，ＴＥＭ表明，ＺｎＯ薄膜的生长机制以柱状生长为主。
- 刘彦松黄继颇林成鲁王连卫李伟群
- 关键词：脉冲激光淀积
- 一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法
- 本发明涉及一种在高声速材料(如金刚石、非晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜)衬底上生长c-取向氮化铝(AlN)薄膜的方法。为了提高声表面波(SAW)器件的工作频率，一种有效的方法就是在高声速材料衬底上沉积压电薄膜。本发明通过引入...
- 王连卫林成鲁刘彦松宋志棠刘尔凯
- 文献传递
- 一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法
- 本发明涉及一种在高声速材料(如金刚石、非晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜)衬底上生长c－取向氮化铝(AlN)薄膜的方法。为了提高声表面波(SAW)器件的工作频率,一种有效的方法就是在高声速材料衬底上沉积压电薄膜。本发明通过引入...
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