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郜晓勇

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
相关领域：理学化学工程电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇多孔硅
  • 1篇电池
  • 1篇多晶
  • 1篇形貌
  • 1篇太阳电池
  • 1篇结晶学
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇拉曼光谱仪
  • 1篇光谱
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅化
  • 1篇硅膜

机构

  • 2篇郑州大学

作者

  • 2篇郜晓勇
  • 2篇卢景霄
  • 2篇王海燕
  • 1篇李维强
  • 1篇杨仕娥
  • 1篇段启亮
  • 1篇张宇翔
  • 1篇李红菊
  • 1篇陈永生
  • 1篇孙晓峰
  • 1篇郭敏

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第九届中国太...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
在多孔硅上外延硅膜的研究
固相晶化(SPC)技术制备太阳电池是值得研究的方向.我们用电化学电解的方法在硅片上制备了多孔硅,在多孔硅上用PECVD设备沉积了非晶硅薄膜,对非晶硅薄膜在550℃进行了固相晶化.用拉曼光谱仪、XRD和扫描电镜等手段对硅薄...
郭敏张宇翔李红菊王海燕陈永生杨仕娥郜晓勇李维强卢景霄
关键词：多孔硅硅薄膜拉曼光谱仪太阳电池
文献传递
多孔硅形成机理的逆结晶学模型(英文)被引量：2
2005年
本文概述了多孔硅形成机理和现有模型。通过观察和分析多晶多孔硅化学腐蚀机理提出了一个新模型:多孔硅形成机理的逆结晶学模型。这个模型指出多晶多孔硅均匀形貌具有自选择性,而此自选择性受结晶学原理控制。此模型的提出对研究晶体生长有用。
王海燕卢景霄郜晓勇孙晓峰段启亮
关键词：多孔硅结晶学晶体生长硅化多晶形貌
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