您的位置： 专家智库 > >

赵浙

作品数：9 被引量：7H指数：2
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划浙江省自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域：电子电信理学交通运输工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇GAN
  • 3篇P型
  • 3篇MOCVD
  • 3篇衬底
  • 2篇地压
  • 2篇形貌
  • 2篇石英
  • 2篇汽相沉积
  • 2篇高真空
  • 2篇光电
  • 2篇硅衬底
  • 2篇反应气体
  • 2篇SI衬底
  • 2篇GAN外延生...
  • 2篇MOCVD生...
  • 1篇氮化镓
  • 1篇导体
  • 1篇电器件
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质

机构

  • 9篇浙江大学

作者

  • 9篇赵浙
  • 8篇叶志镇
  • 7篇倪贤锋
  • 7篇朱丽萍
  • 6篇赵炳辉
  • 3篇洪炜
  • 3篇唐海平
  • 2篇黄靖云

传媒

  • 2篇材料导报
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2005
  • 6篇2004
  • 2篇2003
共 9 条 记 录，以下是 1-9
全选 清除 导出
排序方式：
立式高真空MOCVD系统及GaN外延生长与应用
自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置,能够较好的调节反应气体的流动状态,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层.利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功的生长出高质量的GaN晶体薄膜.在蓝宝石衬底上生长出n、...
叶志镇朱丽萍赵炳辉倪贤锋赵浙
关键词：MOCVD系统GAN
文献传递
MOCVD生长GaN材料p型掺杂最新进展被引量：2
2004年
p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺。使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意。最近几年在掺杂工艺的改进和掺杂模型的理论研究方面都取得了显著进展。介绍了p型掺杂GaN中的自补偿模型、共掺杂工艺的原理和进展、PL谱的性质以及一些新的掺杂工艺。
赵浙叶志镇
关键词：MOCVDP型掺杂光电器件
MOCVD方法硅基GaN的生长及其p型掺杂研究
本论文在系统总结了国内外GaN材料制备和器件应用的研究历史和现状的基础上，利用自行开发研制的MOCVD设备，对硅衬底上GaN的外延生长和p型掺杂进行了研究，取得了一些阶段性的成果。主要工作如下：1．使用自行开发的MOCV...
赵浙
关键词：宽禁带半导体硅衬底
文献传递
Si衬底上MOCVD生长GaN的研究
运用高温AlN缓冲层在Si(111)衬底上得到了高度取向的纤锌矿结构GaN.SEM测试微裂纹密度较低,裂纹间距在100ìm以上.x射线衍射的(0002)面ω摇摆曲线半高宽(FWHM)为560arcsec.用拉曼光谱表征样...
唐海平叶志镇朱丽萍赵炳辉洪炜倪贤锋赵浙
关键词：金属有机物化学气相淀积氮化镓
文献传递
硅衬底GaN基LED研究进展被引量：4
2005年
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si 基器件成为一个研究热点。然而,GaN 与 Si 之间的热失配容易引起薄膜开裂,这是限制 LED 及其它电子器件结构生长的一个关键问题。近年来,随着工艺的发展,GaN 晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在Si 衬底上制造出 LED。介绍了 GaN 薄膜开裂问题及近期硅衬底 GaN 基 LED 的研究进展。
洪炜朱丽萍叶志镇唐海平倪贤锋赵浙
关键词：硅衬底光电集成GAN薄膜SI衬底失配
立式高真空MOCVD装置及GaN外延生长与器件制备被引量：1
2004年
自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置 ,能够较好的调节反应气体的流动状态 ,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层。利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功地生长出高质量的GaN晶体薄膜。在蓝宝石衬底上生长出n、p型GaN以及多量子阱多层结构材料 ,并成功制备了GaN基多层量子阱结构的蓝光发光二极管 ,性能良好 ,具有实用价值。
朱丽萍叶志镇赵炳辉倪贤锋赵浙
关键词：MOCVDGAN多量子阱
一种化学汽相沉积装置
本实用新型的化学汽相沉积装置包括用闸板阀连通的生长室和进样室，生长室中有旋转的水平样品盘，其特征是在生长室的顶部设置垂直于样品盘的副气路管道，生长室的侧壁设置水平主气路管道，在副气路管道的出气口连接一锥形石英罩。工作时，...
叶志镇赵炳辉倪贤锋赵浙黄靖云朱丽萍
文献传递
快速热退火对p型GaN电学性质的影响
利用MOCVD方法Si(111)衬底上成功生长出高质量的p-GaN,经原位退火和快速热退火(RTA)处理后,宽穴浓度达到7.84×10<'18>cm<'-13>,迁移率5.54cm<'2>/Vs,电阻率0.144Ωcm<...
洪炜朱丽萍叶志镇唐海平赵浙倪贤锋赵炳辉
关键词：快速热退火GAN电学性质MOCVD
文献传递
金属有机化合物汽相沉积装置
本发明的金属有机化合物汽相沉积装置包括用闸板阀连通的生长室和进样室，生长室中有旋转的水平样品盘，其特征是在生长室的顶部设置垂直于样品盘的副气路管道，生长室的侧壁设置水平主气路管道，在副气路管道的出气口连接一锥形石英罩。工...
叶志镇赵炳辉倪贤锋赵浙黄靖云朱丽萍
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0