姚文卿
- 作品数：5 被引量：9H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法
- 一种自钝化非平面结三族氮化物半导体器件，包括蓝宝石衬底并外延生长有三族氮化物缓冲层和n型三族氮化物负电极接触底层并淀积有电介质层；在淀积的电介质层上开有器件发光区窗口；在窗口区上再次外延生长有负电极接触顶层、防裂层、n型...
- 陆大成王晓晖姚文卿刘祥林
- 文献传递
- 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法
- 一种自钝化非平面结三族氮化物半导体器件,包括蓝宝石衬底并外延生长有三族氮化物缓冲层和n型三族氮化物负电极接触底层并淀积有电介质层;在淀积的电介质层上开有器件发光区窗口;在窗口区上再次外延生长有负电极接触顶层、防裂层、n型...
- 陆大成王晓晖姚文卿刘祥林
- 文献传递
- InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管被引量：8
- 2000年
- 报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.
- 陆大成韩培德刘祥林王晓晖汪度袁海荣王良臣徐萍姚文卿高翠华刘焕章葛永才郑东
- 关键词：氮化镓双异质结
- 6H-SiC高压肖特基势垒二极管被引量：1
- 2001年
- 在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖特基势垒二极管 .测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,结果表明 ,肖特基二极管具有较好的整流特性 :反向击穿电压约为 45 0 V,室温下 ,反向电压 VR=- 2 0 0 V时 ,反向漏电流 JL=5× 10 - 4 A· cm- 2 ;理想因子为 1.0 9,肖特基势垒高度为 1.2 4— 1.2 6 e V ,开启电压约为 0 .
- 王姝睿刘忠立徐萍葛永才姚文卿高翠华
- 关键词：碳化硅肖特基势垒二极管6H-SIC
- 用离子束混合及快速热处理方法形成钽的硅化物
- 1989年
- 本文描述用离子束透过钽金属膜进行混合和快速热处理方法来形成钽的硅化物.用溅射方法在P型硅衬底上淀积一层金属钽,然后用砷离子束透过钽金属模进行混合,采用快速热处理后形成了平整的硅化钽薄层.使用厚度为500埃的钽金属膜,得到钽的硅化物薄层电阻为5.5Ω/□.研究了砷离子能量、剂量及钽膜厚度对钽的硅化物薄层电阻的影响.用透射电镜和台阶仪对所形成的硅化钽进行了分析和厚度测量.
- 姚文卿Heiner Rvssel
- 关键词：离子束混合
