公共文化服务平台

共 8 条记录，以下是 1-8

全选清除导出

排序方式：

用多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器: 提出了一种新的硅基电容式微传声器的制备方法,即采用多孔硅牺牲层技术制备声学孔,采用聚酰亚胺膜作声学振膜.采用该方法制备出的电容式微传声器器件,开路灵敏度为-107.8dB,在400~10kHz之间,频率响应较为平坦,可以...; 宁瑾刘焕章葛永才刘忠立; 关键词：多孔硅牺牲层聚酰亚胺; 文献传递

一种新的非均匀减薄法——选择阳极氧化法: 1991年; 提出了一种新的非均匀减薄法,即选择阳极氧化法。用于n^+-n-n^(++)GaAs高低结雪崩二极管的n^+层厚度的控制,使器件的效率达到理论值。; 高凤升龚秀英葛永才; 关键词：半导体工艺阳极氧化

用多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器被引量：1: 2003年; 提出了一种新的硅基电容式微传声器的制备方法，即采用多孔硅牺牲层技术制备声学孔，采用聚酰亚胺膜作声学振膜，采用该方法制备出的电容式微传声器器件，开路灵敏度为107．8dB，在400～10kHz之间，频率响应较为平坦，可以实现语音通信。; 宁瑾刘焕章葛永才刘忠立; 关键词：多孔硅牺牲层聚酰亚胺

多孔硅在电容式微传声器制备中的应用研究: 2003年; 多孔硅具有选择性生长以及可以迅速释放的特性,是MEMS工艺中很好的牺牲层材料。探讨了多孔硅牺牲层工艺的特点,并通过实验证明了其在电容式微传声器制备中的应用可能。提出可以采用氧化多孔硅材料作牺牲层制备微传声器的空气隙的工艺方法,有效地解决其他牺牲层材料与振膜应力不匹配以及释放时间过长的问题,使微传声器的制备成品率得到提高。同时提出运用多孔硅牺牲层工艺制备微传声器的背极板声学孔,可以获得厚度达10μm以上的单晶硅作背极板,背极板刚性好,不会随着外加声压振动,有效地提高了微传声器的性能。; 宁瑾刘忠立刘焕章葛永才; 关键词：多孔硅牺牲层电容式微传声器

Fabrication of Silicon Condenser Microphone Using Oxidized Porous Silicon as Sacrificial Layer: 2003年; A new technique to fabricate silicon condenser microphone is presented.The technique is based on the use of oxidized porous silicon as sacrificial layer for the air gap and the heavy p+-doping silicon of approximately 15μm thickness for the stiff backplate.The measured sensitivity of the microphone fabricated with this technique is in the range from -45dB(5.6mV/Pa) to -55dB(1.78mV/Pa) under the frequency from 500Hz to 10kHz,and shows a gradual increase at higher frequency.The cut-off frequency is above 20kHz.; 宁瑾刘忠立刘焕章葛永才

用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构被引量：2: 2003年; 提出一种新的牺牲层工艺。先将阳极氧化生成的多孔硅在300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构,然后将其在700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅。用氧化的多孔硅材料作为牺牲层材料,既可以保留多孔硅牺牲层材料释放迅速的优点,又克服了多孔硅在释放时的局限性。实验运用氧化的多孔硅材料作牺牲层成功制备了悬空振膜和悬臂梁结构。; 宁瑾刘忠立刘焕章葛永才; 关键词：氧化多孔硅牺牲层阳极氧化微型传感器

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管被引量：8: 2000年; 报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.; 陆大成韩培德刘祥林王晓晖汪度袁海荣王良臣徐萍姚文卿高翠华刘焕章葛永才郑东; 关键词：氮化镓双异质结

6H-SiC高压肖特基势垒二极管被引量：1: 2001年; 在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖特基势垒二极管 .测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,结果表明 ,肖特基二极管具有较好的整流特性 :反向击穿电压约为 45 0 V,室温下 ,反向电压 VR=- 2 0 0 V时 ,反向漏电流 JL=5× 10 - 4 A· cm- 2 ;理想因子为 1.0 9,肖特基势垒高度为 1.2 4— 1.2 6 e V ,开启电压约为 0 .; 王姝睿刘忠立徐萍葛永才姚文卿高翠华; 关键词：碳化硅肖特基势垒二极管 6H-SIC

全选清除导出

共1页<1>

葛永才