王培吉
- 作品数：64 被引量：216H指数：9
- 供职机构：济南大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 溶胶-凝胶法制备掺钙钛酸锶铋铁电薄膜被引量：11
- 2008年
- 利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了Ca_xSr_(1-x)Bi_4Ti_4O_(15)(C_xS_(1-x)BT,x=0～1)铁电薄膜。研究了不同Ca^(2+)取代量对薄膜的微观结构、取向生长、铁电性能以及介电性能的影响。结果表明:当Ca^(2+)取代量为x=0.4时,C_(0.4)S_(0.6)BT铁电薄膜样品在一定程度上沿α轴择优取向;样品致密性较好,晶粒呈球型,且大小均匀,尺寸约为100nm。C_(0.4)S_(0.6)BT薄膜的剩余极化强度为8.37μC/cm^2,矫顽场强为72kV/cm:在1Hz～1MHz频率范围内,相对介电常数为234～219,介电损耗为0.009～0.073。
- 范素华徐静胡广达王培吉张丰庆
- 关键词：溶胶-凝胶法铁电性能介电性能
- 第一性原理计算分析SnO_2电子结构和光学性质被引量：13
- 2009年
- 应用密度泛函理论的第一性原理,采用线性缀加平面波(full potential linearized augmented plane wave method,FP-LAPW)的方法计算SnO2材料的电子态密度,能带图,得出总态密度各部分分别由Sn和O原子的相应分态贡献所得。分析其光学性质,发现反射率和吸收谱等谱线的峰值与介电函数虚部峰值对应,各峰值与电子跃迁吸收有关。从理论上指出其光学性质与电子结构之间的内在关系,并与有关参考文献作比较,为以后SnO2材料的深入研究提供理论依据。
- 于峰王培吉张昌文
- 关键词：态密度光学性质介电函数
- 一种新型染料敏化太阳电池光阳极
- 一种基于一维有序纳米ZnO/TiO<Sub>2</Sub>核-壳结构及红外上转换发光材料的染料敏化太阳电池叠层光阳极，包括在生长有透明导电膜ITO(2)的透明玻璃衬底(1)上生长ZnO纳米薄膜层(3)，在ZnO纳米薄膜层...
- 黄金昭魏显起李萍李世帅张仲王培吉
- 利用激光光热技术研究材料应力对热扩散率的影响被引量：3
- 2003年
- 根据光热光谱技术中的激光光热平行检测技术测量了材料具有应力时的热扩散率 ,根据所检测到的光热信号的振幅 ,由非线性拟合 ,确定出材料的热扩散率 ;由于入射光束移动的方便性 ,可实现对材料的点点测量 ,进而测量了材料在应力作用区域不同点上的热扩散率 ,结果发现当材料内存在应力时 ,造成材料的热扩散率变小 ,且随应力起伏变化而变化。同时设计了数据采集软件与双差电路 。
- 王培吉张仲范素华
- 关键词：激光技术热扩散率应力
- 利用激光光热技术研究钛酸钡材料的导热性能被引量：7
- 2006年
- 利用激光光热偏转技术测量了钛酸钡材料的热扩散率。根据所测量材料的光热光偏转信号,通过最小二乘法中的非线性拟合,直接拟合出了材料的热扩散率,克服了光热偏转技术中“Mirage effect”步骤多、计算复杂、误差大的缺点。测量了在不同成型压力和不同烧结温度下钛酸钡材料的热扩散率,得到了热扩散率随成型压力和烧结温度的变化规律。对实验结果进行了分析和讨论。
- 王培吉周忠祥梁伟张奉军张仲范素华
- 关键词：钛酸钡热扩散率
- 钽掺杂对钛酸钡基陶瓷介电性能影响的研究被引量：5
- 2002年
- 研究了微量钽掺杂对钛酸钡基陶瓷介电常数、介电损耗以及温度稳定性等介电性能的影响。利用XRD、SEM等现代分析手段分析了材料的显微结构 ,分析了显微结构与材料介电性能的关系 。
- 范素华王培吉黄世峰罗雄兵郭桂芬
- 关键词：钽掺杂介电性能
- 全息光聚合法制备聚合物波导光栅耦合器被引量：1
- 2007年
- 在光通信及集成光学中,光波耦合器是关键器件之一。本文中选择树脂CN960E60单体作为聚合体系,采用自由基型对532nm波长敏感的单光子引发剂,利用全息光聚合法制备出聚合物波导光栅耦合器。在进行聚合实验之前,首先测定了聚合材料的透射光谱。实验观测结果证实了用光全息聚合方法制作波导光栅耦合器的可行性。
- 王勇王玉荣李萍王培吉王永瑛
- 关键词：波导光栅耦合器全息干涉光聚合
- 退火工艺对CaBi4.3Ti4O15铁电薄膜性能影响被引量：4
- 2008年
- 利用溶胶凝胶法制备了CaBi4.3Ti4O15铁电薄膜材料,研究表明,退火工艺对CaBi4.3Ti4O15铁电薄膜的结构、微观形貌、晶粒取向以及铁电性能影响较大,随着退火温度的提高,晶粒的取向为a轴择优取向,有利于样品的铁电性;气氛对薄膜的电学性能影响也较大,氧气气氛可以很好的抑制氧空位的产生,提高样品的铁电性。在氧气气氛下退火所得到样品的剩余极化强度（2Pr）和矫顽场（2Ec）分别为21.4μC/cm^2和27.7kV/mm,介电常数在250±4%范围内,介电损耗在0.005～0.01之间,测试频率为1～1MHz,显示出较好的频率稳定性。
- 范素华徐静王培吉张丰庆
- 关键词：退火工艺铁电薄膜铁电性能
- Sn_(1-x)N_xO_2材料的电子结构和光学性质
- 2011年
- 采用第一性原理,以W IEN2K软件为平台对Sn1-xNxO2超晶胞体系的态密度(DOS)、能带结构、介电函数和吸收系数进行模拟计算,从理论上指出光学特性与电子结构之间的内在联系。分析结果表明:掺入杂质后体系带隙减小了0.59eV,费米能级向低能方向移动进入价带,并且由半导体变为半金属材料,N的掺入有助于p型SnO2的实现;掺杂前后体系为直接跃迁半导体,其介电函数谱和吸收谱与带隙相对应均发生了红移,并且光学吸收边变宽,增大了光学响应,Sn1-xNxO2材料可广泛应用于红外发光器件。
- 张国莲王培吉张昌文
- 关键词：光电性质第一性原理
- 铋过量对CaBi_4Ti_4O_(15)铁电薄膜性能的影响被引量：2
- 2007年
- 利用溶胶凝胶法制备CaBi4+xTi4O15(CBT-x)铁电薄膜,探索了不同铋含量对CBT-x铁电薄膜样品的相结构、微观形貌和电学性能的影响,研究表明,当x为0.3时,样品的剩余极化强度达到最大值,2Pr=8.7μC/cm2,矫顽场强2Ec=7.6kV/mm,相对介电常数的大小在(160±6)%范围内,损耗因子在0.05～0.08之间,适量的铋含量可以较好地抑制过多的氧空位、焦虑石相和其它杂相的产生。
- 范素华徐静王培吉胡广达张丰庆
- 关键词：铁电薄膜铁电性能介电性能
