段艳敏
- 作品数：21 被引量：41H指数：3
- 供职机构：中国科学院等离子体物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家磁约束核聚变能发展研究专项更多>>
- 相关领域：核科学技术理学一般工业技术机械工程更多>>
- HT-7装置软X射线诊断系统及锯齿行为研究
- 2008年
- 利用HT-7装置上建立的多阵列软X射线诊断系统对等离子体放电中的锯齿不稳定性进行研究,发现锯齿的出现及其行为特点与等离子体电子密度Ne、电子温度Te、边界安全因子qα、壁条件等放电参数有密切关系。在低杂波电流驱动等离子体放电条件下,观察到m/n=1/1的中间模振荡出现在锯齿的上升阶段,并迅速发展、饱和、衰减,在锯齿塌陷或先兆振荡出现以前消失。分析和讨论了欧姆加热条件下和低杂波加热条件下的锯齿行为。
- 段艳敏陈开云胡立群
- 关键词：锯齿振荡低杂波电流驱动等离子体
- EAST全超导托卡马克上硅漂移探测器软X射线能谱诊断被引量：3
- 2010年
- 采用性能优越的15道硅漂移探测器(SDD)阵列,在EAST全超导托卡马克上建立了1套较为完善的软X射线能谱诊断系统,用以测量等离子体在软X射线辐射能段(1～20keV)的能谱。该诊断系统的观测范围基本覆盖了整个等离子体空间,因此,可满足EAST不同放电位形下电子温度测量的要求。利用该诊断系统,可获得时间分辨达50ms、空间分辨约为7cm的电子温度剖面。通过对比发现,由该诊断系统所得到的电子温度与其它电子温度诊断系统所测量的电子温度基本一致。此外,该诊断系统还可监测在软X射线能量范围内出现的一些金属杂质的特征线辐射。
- 许平林士耀胡立群张继宗段艳敏钟国强卢洪伟陈开云无
- 关键词：电子温度
- 极紫外波段Ar光谱分析在EAST偏滤器杂质屏蔽效应研究中的应用被引量：3
- 2016年
- 在托卡马克偏滤器区域充入杂质气体是检验偏滤器杂质屏蔽效应的重要手段。利用快速极紫外EUV光谱仪对EAST托克马克装置上开展的偏滤器Ar杂质注入实验进行观测。结合NIST原子光谱数据库对2～50 nm范围内不同电离态Ar的线光谱进行了谱线识别,识别出ArⅣ,ArⅨ-Ⅺ,Ar XⅣ-XⅥ等若干个电离态的谱线。为了同时观测等离子体不同区域的Ar杂质行为,在杂质注入实验时重点监测Ar XⅥ35.39 nm（Ar XⅥ电离能918.4 eV,主要分布在等离子体芯部）和ArⅣ44.22 nm（ArⅣ电离能9.6 eV,主要分布在等离子体边界）这两条谱线。利用该两条谱线强度随时间演化的结果初步分析了偏滤器杂质屏蔽效应。在同一充气口不同等离子体位形下的实验结果表明偏滤器对于从偏滤器区域注入Ar杂质的屏蔽效果优于从主等离子体区域注入,并且下偏滤器及内冷泵的综合粒子排除能力优于上偏滤器。
- 张鹏飞张凌许棕段艳敏吴承瑞黄娟吴振伟郭后扬胡立群
- 关键词：偏滤器
- 用增强质子背散射研究注氦纳米晶钛膜中氦的含量被引量：5
- 2005年
- 作者使用增强质子背散射方法,分析了几种Mo基体纳米钛膜中氦的保持量情况.结果表明:采用离子注入法注入的氦在纳米钛膜中能保存较长的时间,氦的释放速率受氦在钛膜及基体中的分布、钛膜中氦浓度大小的影响;Ar,He混合气体放电法工作参数的选择可影响渗氦的效率.
- 段艳敏刘慢天龙兴贵吴兴春罗顺忠刘东剑吴英郑思孝刘宁安竹
- 纳米晶LaNiAl膜的固氦能力及其He在晶格中的占位研究
- 具有使常规体材既纳米化又同时渗He的特色的离子束辅助磁控He、Ar共溅射沉积方法,已经用于沉积纳米晶LaNiAl含氦膜和含氦粉。XRD、PBS,充放H2实验表明: 决定纳米结晶LaNiAl膜的含He量和He位置的关键因素...
- 郑思孝范瑛谭云周德惠廖彬庞洪超宋应民段艳敏廖小东刘仲阳李天富刘蕴韬李峻宏孙凯
- 关键词：氦原子中子衍射
- 文献传递
- HT-7上射频波加热时中子辐射行为的研究被引量：1
- 2011年
- HT-7超导托卡马克进行DD等离子体放电时,中子的辐射与辅助加热射频波的类型(LHW加热、ICRF加热)及功率密切相关.利用BF3与3He正比计数管组成的快速时间分辨中子注量监测系统,研究了不同类型的射频加热对于中子产生机理及高能离子形成的影响.LHW加热功率较低时,易形成逃逸,产生大量的光中子.特定频率的ICRF(27MHz,24MHz)加热时,聚变中子所占份额以及总的中子产额均随波功率的增大而显著增涨.
- 钟国强胡立群王相綦李晓玲林士耀许平段艳敏毛松涛张继忠
- 关键词：射频加热中子托卡马克
- 全超导托卡马克装置欧姆放电逃逸电子行为研究被引量：3
- 2009年
- 电子发生逃逸在托卡马克等离子体中是较常见的现象,特别是在等离子体破裂阶段,会产生大量的逃逸电子。本工作利用硬X射线监测系统,并结合其它相关诊断系统研究世界上第1个运行的全超导托卡马克(EAST)装置在欧姆放电的不同阶段逃逸电子的行为。研究结果表明:在欧姆放电起始阶段,逃逸电子的初级产生过程占主导地位。随着放电的进行,逃逸电子的次级雪崩过程逐渐增长,在放电后期一直到等离子体破裂阶段,雪崩过程将占据主导地位。等离子体破裂后,因存在较高的环电压而产生了高能逃逸电子拖尾。
- 卢洪伟胡立群江勇林士耀陈开云段艳敏许平
- 关键词：逃逸电子硬X射线
- HT-7电子加热实验的软X射线能谱诊断被引量：1
- 2008年
- 介绍了HT-7装置上软X射线能谱诊断系统,用软X射线能谱对HT-7托卡马克上电子温度进行了测量。在离子伯恩斯坦波和低杂波协同实验中,观察到了对等离子体的较好的加热效果。
- 许平林士耀胡立群段艳敏石跃江HT-7物理实验组
- 关键词：电子温度
- 含氦纳米晶钛膜的PBS和XRD研究被引量：3
- 2008年
- 为研究不同晶粒尺寸纳米钛膜的储氦行为,在He-Ar混合气体下,用磁控溅射方法沉积纳米晶钛膜,利用PBS(proton backscattering)、XRD(X-ray diffraction)对膜的氦含量和微观结构及晶粒大小进行了研究。结果表明:在其它实验参数不变的情况下,当沉积温度从60℃升至350℃时得到均匀分布的含氦量(指原子百分比)从38.6%逐渐降至9.2%的钛膜,其平均晶粒由13.1nm增加到44.2nm;当He/Ar分压比分别为6、10、15、19时得到均匀分布的含氦量分别为17.6%、47.2%、48.3%和38.6%的钛膜。He的引入引起(002)晶面衍射峰向小角度移动,但(100)晶面衍射峰不变,即晶胞参数c增加,a不变化;随膜中He含量的增加,衍射峰展宽,晶粒变小,显示出氦的掺入有抑制纳米晶粒长大的趋势。
- 庞洪超罗顺忠龙兴贵安竹刘宁段艳敏吴兴春彭述明杨本福王培禄宋应民郑思孝
- Si(Li)探测器低能区的效率刻度被引量：2
- 2006年
- 通过测量19 keV电子束轰击厚碳靶产生的韧致辐射能谱,在低能区(>1 keV)对Si(Li)探测器进行了探测效率刻度。厚碳靶的理论韧致辐射能谱由Monte-Carlo程序PENELOPE计算,并用241Am标准放射源确定出效率刻度曲线的绝对值。采用本工作的刻度方法确定的效率刻度曲线误差主要来源于用标准放射源绝对化的误差,约为5%。将所得初步实验结果与理论计算值进行了比较,并采用最小二乘法对探测器各厚度参数进行了拟合,除Au接触层厚度外,拟合的各厚度值与探测器生产商提供的数据较为吻合。
- 安竹刘慢天吴英段艳敏
- 关键词：MONTE-CARLO方法
