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徐琴

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：南京邮电大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇射频
  • 1篇射频功率
  • 1篇射频功率放大...
  • 1篇漂移
  • 1篇器件尺寸
  • 1篇击穿电压
  • 1篇集成电路
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇功率器件
  • 1篇沟槽隔离
  • 1篇沟道
  • 1篇横向功率器件
  • 1篇放大器
  • 1篇CMOS工艺
  • 1篇LD
  • 1篇MOS结构
  • 1篇新结构

机构

  • 2篇南京邮电大学

作者

  • 2篇徐琴
  • 1篇郭宇锋
  • 1篇夏晓娟
  • 1篇张长春
  • 1篇徐光明
  • 1篇黄示

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种横向功率器件结构及其制备方法
本发明提出了一种横向功率器件结构及其制备方法，所述结构不仅可以有效缩小器件尺寸，提高器件的集成度，同时也可优化漂移区浓度，提高击穿电压。而且由于器件尺寸的缩小以及漂移区浓度优化值的提高，其导通电阻也能显著减小，从而整体提...
郭宇锋徐琴黄示徐光明张长春夏晓娟
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射频LDMOS新结构的特性与工艺研究
射频功率放大器是射频集成电路发展的核心推动力，要求构成射频功放的射频器件具有高击穿电压、低导通电阻、高频率、尺寸小、工艺上易实现等特点，为此本文提出了两种射频LDMOS新结构以满足以上特点，并且借助TCAD工具从基本特性...
徐琴
关键词：射频功率放大器CMOS工艺集成电路
文献传递
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