黄示
- 作品数：8 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 电荷共享效应的RESURF横向功率器件击穿电压模型被引量：1
- 2014年
- 分析降低表面场(reduced surface field,RESURF)横向功率器件耐压机理,假定共享区电荷沿对角线分配给横向和纵向耗尽区,建立了一个新的RESURF横向功率器件击穿电压模型.该模型能准确描述漂移区全耗尽和不全耗尽情况下的耐压特性,并具有数学表达式简单以及物理概念清晰的优点.在此基础上,导出了一个新的RESURF判据,进而给出了一个用于指导器件设计的漂移区剂量上下限.解析结果与实验结果吻合较好,验证了击穿电压模型和RESURF判据的正确性.
- 张珺郭宇锋黄示姚佳飞林宏肖建
- 关键词：电荷共享击穿电压
- 一种高压LDMOS器件
- 本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，...
- 郭宇锋徐光明花婷婷黄示张长春夏晓娟
- 文献传递
- 硅基横向功率器件耐压新技术—漂移区形状调制技术
- 横向高压DMOS（lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistors，LDMOS）是功率集成电路（Power Integr...
- 黄示
- 关键词：导通电阻
- 文献传递
- 一种高压LDMOS器件
- 本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，...
- 郭宇锋徐光明花婷婷黄示张长春夏晓娟
- 文献传递
- 漂移区部分氧化柱体硅LDMOS
- 提出了一种漂移区部分氧化柱体硅LDMOS.此结构将N型漂移区用N型硅柱和氧化柱相互交替来代替,利用氧化柱对漂移区电场的调制作用改善电场分布,从而提高器件击穿电压.三维器件仿真软件Davinci仿真结果表明在漂移区厚度为0...
- 黄示郭宇锋姚佳飞徐光明
- 关键词：击穿电压电场分布漂移区
- P+P-top层SOID-RESURFLDMOS高压器件新结构
- 了PP+P-top层SOID-RESURFLDMOS高压器件新结构.通过在漂移区中部引入一重掺杂的P+P区,其在PP+P结处产生一个附加的电场峰值,从而优化了漂移区的表面电场分布.并通过二维器件仿真软件MEDICI仿真了...
- 徐光明郭宇锋花婷婷黄示
- 关键词：击穿电压导通电阻电场分布
- 横向超结器件衬底辅助耗尽效应的研究与展望被引量：1
- 2013年
- 横向超结双扩散MOS(SJ-LDMOS)的性能优越,在高压集成电路和功率集成电路中具有广阔的应用前景,而衬底辅助耗尽效应是制约横向超结功率器件性能的重要因素之一。分析了SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的产生机理,总结了当前国内外消除SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的技术,比较了各种技术的比导通电阻与击穿电压的关系。最后,从设计技术、工艺及理论模型三个方面,对横向超结器件的发展方向进行了展望。
- 黄示郭宇锋姚佳飞夏晓娟徐跃张瑛
- 关键词：击穿电压比导通电阻
- 一种横向功率器件结构及其制备方法
- 本发明提出了一种横向功率器件结构及其制备方法，所述结构不仅可以有效缩小器件尺寸，提高器件的集成度，同时也可优化漂移区浓度，提高击穿电压。而且由于器件尺寸的缩小以及漂移区浓度优化值的提高，其导通电阻也能显著减小，从而整体提...
- 郭宇锋徐琴黄示徐光明张长春夏晓娟
- 文献传递
