徐嘉东
- 作品数：23 被引量：37H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：中国矿业大学科技基金中国科学院院长基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术医药卫生一般工业技术更多>>
- 能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源
- 本发明涉及一种用在离子注入机设备中的离子源装置，特别是一种能引出低熔点金属离子的离子源，该方法针对潘宁离子源的对阴极做了改进，改进的办法是使对阴极内部挖空，在对阴极面打一个小孔，这样对阴极就成为一个带有孔洞的圆杯状腔壳，...
- 徐嘉东李建明杨占坤
- 文献传递
- 改进型潘宁离子源获得难溶金属离子的研究被引量：1
- 1991年
- 本文描述了改进型潘宁离子源在活性化学反应机理作用基础上获得难熔金属离子。研究了源结构和引束上活性气体的影响,并获得有关结果。
- 徐嘉东商作起李建明杨占坤王培大
- 关键词：离子注入潘宁离子源
- GaAs器件的离子注入新技术研究
- 1991年
- 本文介绍了离子注入技术中双偏角注入,大偏角注入和双向双偏注入等新工艺与使用效果。同时,阐析了BF^+对Si^+注入的沾污,以及以上研究在研制高水平GaAs器件中的关键作用。
- 商作起徐嘉东杨占坤李建明王培大
- 关键词：GAAS器件离子注入半导体器件
- 油冷却潘宁离子源引固态离子的研究与应用
- 油冷却潘宁源能电离引出气态物质离子，通过改进还能电离引出固态物质元素的离子，到目前为止，引出的固态物质熔点从156℃的铟到3000℃的钽都能引出所需的离子。束流达到靶上的强度从1μA左右到几十个μA。并在LC-4型高能离...
- 徐嘉东李建明
- 关键词：离子注入
- 文献传递
- 质子轰击GaAs的X光衍射检测分析
- 本工作采用X光衍射方法对经质子轰击工艺的GaAs样品做了分析测试,得出了GaAs经质子轰击及随后退火工艺造成缺陷的信息情况,本工作发现多个能量的叠加质子轰击及退火能改进GaAs材料的表层质量.
- 李建明徐嘉东杨占坤
- 关键词：GAAS质子轰击
- 文献传递
- 使多个V形光伏器件组件连接的方法
- 本发明是一种使多个V形光伏器件组件连接的方法，涉及半导体技术领域，是在多个V形光伏器件组件中选择光伏器件板表面法线方向相同，并且具有相同或相近电输出参数的光伏器件板，将这些同法线方向的光伏器件板的电输出端连接在一起，进而...
- 李建明种明徐嘉东刘海涛边莉迟迅翟永辉
- 文献传递
- 离子注入工艺中热靶的研究
- 介绍热靶的研制和解决热靶产生的热电子及感应电流对注入样品剂量的影响问题.
- 徐嘉东杨占坤李建明
- 关键词：离子注入工艺技术
- 文献传递
- 对N型InP注入氦离子的电特性研究
- 本实验针对N型InP做氦离子注入及随后的退火,并用C-V测试方法测量样品中缺陷的电特性,测量结果显示,氦离子注入在InP中引起的损伤可以形成P型导电区域,经过一定的退火,P型导电区可以得到一定的恢复而形成一种NPN的电结...
- 杨占坤徐嘉东李建明张秀兰
- 关键词：INPC-V测试半导体材料
- 文献传递
- 制造半导体双极器件的方法
- 本发明涉及一种半导体电路器件结构，特别是一种制造半导体双极器件的方法，该方法包括如下步骤：1)取一半导体材料；2)向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的P型导电埋层区域；3)退火。
- 徐嘉东李建明张秀兰
- 文献传递
- 制造半导体双极器件的方法
- 本发明涉及一种半导体电路器件结构，特别是一种制造半导体双极器件的方法，该方法包括如下步骤：1)取一半导体材料；2)向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的P型导电埋层区域；3)退火。
- 徐嘉东李建明张秀兰
- 文献传递
