王培大
- 作品数：11 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程金属学及工艺理学更多>>
- Er^+注入单晶硅中非晶层晶化过程的TEM研究
- 1990年
- 剖面透射电镜的变温观察及高分辨电子显微镜(HREM)象表明,Er^+注入(注入能量350kev,注入剂量1×10^(15)cm^(-2))硅单晶后,在表面可形成一连续非晶层。热退火过程中,非晶层可以从非晶/单晶界面处进行固相外延和在内部成核两种方式进行再结晶以至形成多晶层。再结晶的晶粒中存在大量微孪晶和堆垛层错。
- 严勇王培大胡梅生孙慧龄李齐冯端
- 关键词：离子注入单晶硅晶化TEM
- Er离子注入Si的微结构及其电特性分析
- 孙慧龄王培大严勇
- 关键词：离子注入铒光电子谱法
- 掺稀土半导体的喇曼光谱
- ＜正＞掺稀土半导体,因稀土杂质的4f-4f电子跃迁而产生的尖锐发光线及其在半导体发光器件,激光器及光纤通信中潜在的应用前景而受到了人们的关注。近年来已有不少有关掺稀土GaAs,GaP,InP及Si等半导体材料光学性质的研...
- 韩和相汪兆平李国华王培大孙慧玲
- 文献传递
- 单晶硅中磷离子注入缺陷的HREM研究
- 1989年
- 单晶硅中磷离子注入的剖面透射电镜(X-TEM)及HREM研究表明:能量为150keV,剂量为1×10^(13)cm^(-2)的磷离子注入后,在未经退火时,单晶硅表面以下1100A处可产生厚度为1000A的非晶层,非晶区与单晶区的边界为粗糙界面.在非晶区两侧,存在着大量不同类型的缺陷:{311}面缺陷和{111}堆垛层错.它们分布在不同的层区内,对于非晶区而言,形成大体对称的分布状态.接近非晶区,{111}堆垛层错密度较大,远离非晶区,{311}面缺陷密度较大,深层的完整晶体中,上述面缺陷的密度均很小.
- 严勇李齐冯端孙慧龄王培大
- 关键词：单晶硅离子注入堆垛层错
- 冷发射电子束掺杂磷被引量：2
- 1990年
- 一种新的冷发射电子束掺杂方法已研究成功。这种方法可实现高浓度(C_(max)=2.8×10^(20)/cm^3),超浅结[(x_j)_(min)≤0.1μm],而且损伤比离子注入的小得多。用这种方法制备的太阳能电池控制器件性能很好。
- 李秀琼王培大马祥彬王纯
- 关键词：掺杂磷集成电路
- 一种半导体的掺杂技术
- 本发明公开了一种借助在稀薄气体的两个电极间施加电压产生辉光放电引发半导体掺杂的技术。它能在实现高掺杂浓度的同时获得对浅掺入层的有效控制，并且具有掺杂均匀、损伤小等效果。该技术设备简单，操作方便，成本低廉。
- 李秀琼王培大马祥彬孙惠玲王纯
- 文献传递
- 稀土铒和铬离子注入对电机护环钢SCC性能的影响被引量：1
- 1994年
- 研究了解和铬离子高、中能量重迭注入对５０Ｍｎ１８Ｃｒ４电机护环钢ＳＣＣ性能的影响．ＳＣＣ对比试验结果表明：（１）在ＱＨＪ－７９标准硝酸盐介质中，离子注入试样的ＳＣＣ出现时间（ｔｆ）比不经注入试样的延长了６倍以上，致钝和维钝电流密度下降了一个数量级；（２）在阴极充氢条件下，两种试样均对氢致开裂（ＨＩＣ）不敏感，但离子注入可抑制氢诱发腐蚀．用ＡＥＳ－ＰＲＯ、ＲＢＳ、ＸＰＳ－ＰＲＯ、ＥＤＡＸ、金相及电化学方法分析讨论了护环钢在ＱＨＪ－７９标准介质中的ＳＣＣ机理和离子注入改善ＳＣＣ抗力及抗氢锈发腐蚀性能的机制．
- 靳九成谢中吴翠兰李建明靳诰钟庆东王培大龙奔刘国宾
- 关键词：应力腐蚀开裂锰钢铒
- 改进型潘宁离子源获得难溶金属离子的研究被引量：1
- 1991年
- 本文描述了改进型潘宁离子源在活性化学反应机理作用基础上获得难熔金属离子。研究了源结构和引束上活性气体的影响,并获得有关结果。
- 徐嘉东商作起李建明杨占坤王培大
- 关键词：离子注入潘宁离子源
- GaAs器件的离子注入新技术研究
- 1991年
- 本文介绍了离子注入技术中双偏角注入,大偏角注入和双向双偏注入等新工艺与使用效果。同时,阐析了BF^+对Si^+注入的沾污,以及以上研究在研制高水平GaAs器件中的关键作用。
- 商作起徐嘉东杨占坤李建明王培大
- 关键词：GAAS器件离子注入半导体器件
- Cr^++Er^+重叠注入电机护环钢的抗SCC性能研究被引量：1
- 1992年
- 本丈研究了Cr^+Er^+重叠注入对50Mnl8Cr4电机护环钢抗SCC性能的影响.高SCC比实验结果表明:Cr^+Er^+重叠注入有效地改善了50Mn18Cr4钢的抗SCC性能.SCC出现时间平均延迟了17.7%以上.用XPS、SIMS对注入和未注入试样的表面的化学成分及化学状态进行了剖面分析,用EDAX分析了元素在晶粒和晶界上的相对含量,对Cr^++Er^+重叠注入增强护环钢抗SCC性能的机制进行了讨论.
- 靳九成李建明谢中张小龙王培大刘国宾龙奔
- 关键词：离子注入护环铒
