刘希从
- 作品数：19 被引量：167H指数：10
- 供职机构：国防科学技术大学航天与材料工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信金属学及工艺更多>>
- 铝碳化硅复合材料T/R组件封装外壳的研制被引量：19
- 2003年
- 介绍了铝碳化硅复合材料T/R组件封装外壳的研制。用磷酸铝溶液、聚乙二醇、蒸馏水、糊精和淀粉配制碳化硅浆料的粘结剂,采用双向模压法制备带金属镶嵌件的近净成型的碳化硅预制件。碳化硅预制件经压力浸渗后得铝碳化硅复合材料构件坯料。构件坯料用金刚石砂轮和电火花进行少量机械加工,并进行化学镀镍后得到铝碳化硅复合材料T/R组件封装外壳。
- 熊德赣刘希从赵恂卓钺
- 关键词：封装预制件T/R组件压力浸渗
- 铝碳化硅复合材料及其构件的制备方法
- 本发明为铝碳化硅复合材料及其构件的制备方法。用磷酸和氢氧化铝配制磷酸铝溶液，将其与聚乙二醇、蒸馏水、糊精、糯米粉混合得磷酸铝粘接剂；磷酸铝粘接剂与碳化硅微粉混匀得碳化硅浆料，用单向或双向模压制备碳化硅预制件生坯或带镶嵌件...
- 熊德赣赵恂卓钺刘希从白书欣
- 文献传递
- AlSiC电子封装材料及器件物理性能研究进展被引量：1
- 2007年
- AlSiC电子封装材料及器件的关键指标是膨胀系数、热导率和气密性。不同工艺条件下制备的AlSiC电子封装材料物理性能相差较大。尽管已建立一些理论模型预测AlSiC电子封装材料的膨胀系数和热导率，但由于基体塑性变形、粘接剂类型及含量、粉末尺寸等许多因素影响，理论结果与实验结果相差较大。热循环过程中，基体合金类型、增强体尺寸、预处理方法和热循环次数等明显影响AlSiC电子封装材料的尺寸稳定性。温度循环对AlSiC电子封装材料物理性能的影响尚未见公开报道。
- 熊德赣刘希从程辉白书欣杨盛良卓钺赵恂
- 关键词：热导率尺寸稳定性温度循环
- 超磁致伸缩薄膜材料及其应用被引量：23
- 2000年
- 超磁致伸缩薄膜是一种应用于微型机电系统及传感器的新型材料 ,它具有很高的机电耦合系数、较高的响应速度以及非接触式驱动等优点。对磁致伸缩薄膜的研究现状进行了综述 ,介绍了磁致伸缩薄膜的制备方法 ,性能特征及应用前景。
- 谢海涛斯永敏杨德明刘希从
- 关键词：超磁致伸缩
- 热处理对Tb_(0.27)Dy_(0.73)Fe_2巨磁致伸缩薄膜性能的影响被引量：10
- 2001年
- 本文研究了热处理对Tb0 2 7Dy0 73Fe2 薄膜磁性及巨磁致伸缩性能的影响。XRD分析表明制备态的Tb0 2 7Dy0 73Fe2 薄膜为非晶态 ,并且在 4 5 0℃退火仍然保持非晶态 ,制备态的Tb0 2 7Dy0 73Fe2 薄膜显示垂直磁各向异性 ,在退火后向平行磁各向异性变化。热处理提高了Tb0 2 7Dy0 73Fe2 薄膜在低磁场下的磁致伸缩特性。
- 谢海涛刘希从斯永敏马青松万红
- 关键词：非晶态
- 受电弓滑板用轻质高碳-石墨/铝复合材料被引量：11
- 2003年
- 对国内外受电弓滑板材料进行了分析对比,提出了采用轻质高碳-石墨/铝复合新材料的 观点,并进行了小型样品的试制,得出了轻质高碳-石墨/铝复合新材料的基本力学和电学性能的数据。
- 卓钺刘希从文思维白书欣熊德赣
- 关键词：受电弓滑板电力机车电学性能
- 重熔铸造SiC_p/Al复合材料研究前景被引量：3
- 1998年
- 综述了ＳｉＣｐ／Ａｌ复合材料的发展概况及应用前景，分析了重熔铸造法制备ＳｉＣｐ／Ａｌ复合材料中需要解决的问题，技术难点及解决的基本方法。
- 张迎元谢永强刘希从
- 关键词：金属基复合材料铝
- 逾渗模型在计算材料学中的研究进展被引量：19
- 2004年
- 逾渗理论是处理强无序和随机几何结构系统的最好理论方法之一 ,它为描述空间随机过程提供了一个明确、清晰、直观的模型 ,广泛应用于相变和临界现象的研究。本文简要介绍了逾渗理论 ,综述了近年来逾渗模型在计算材料学中的应用 ,特别是在脱合金腐蚀、巨磁阻材料、栅介质击穿、导电复合材料等方面的最新研究进展。
- 齐共金张长瑞曹英斌吉洪亮刘希从
- 关键词：计算材料学巨磁阻材料导电复合材料
- AlSiC电子封装材料及构件研究进展被引量：25
- 2006年
- AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装。综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展。
- 熊德赣程辉刘希从赵恂鲍小恒杨盛良堵永国
- 关键词：预制件液相浸渗机械加工表面处理
- AlSiC电子封装基片的制备与性能被引量：12
- 2006年
- 采用模压成形制备SiC预制件和真空压力浸渗相结合的技术，成功制备出AISiC电子封装基片。研究磷酸铝含量和成形压力对SiC预制件抗弯强度和孔隙率的影响规律，并对所制备的AISiC电子封装基片的性能进行评价。结果表明，在磷酸铝含量为0．8%，成形压力为200MPa时，经600℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为8．46MPa，孔隙率为37％。当温度为100～500℃时，AISiC电子封装基片的热膨胀系数介于6．88×10^-6和8．14×10^-6℃^-1之间，热导率为170W／（m·K），抗弯强度为398MPa，气密性小于1×10^-8Pa·m^3／s。用钯盐活化进行化学镀镍，得到光亮、完整的镀层。镀层于450℃恒温120s后，镀层不变色，未见起皮和鼓泡。
- 熊德赣刘希从鲍小恒白书欣杨盛良赵恂
- 关键词：气密性真空压力浸渗化学镀镍
