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盛锋锋
作品数:
16
被引量:4
H指数:2
供职机构:
中国科学院上海技术物理研究所
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中国科学院国防科技创新基金
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电子电信
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合作作者
杨建荣
中国科学院上海技术物理研究所
孙士文
中国科学院上海技术物理研究所
徐超
中国科学院上海技术物理研究所
虞慧娴
中国科学院上海技术物理研究所
周昌鹤
中国科学院上海技术物理研究所
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一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法
本发明公开了一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法,适用于晶体密度大于熔体密度的材料的大直径高质量单晶体生长。本发明利用碲锌镉(CdZnTe)熔体凝固时体积缩小的物理性质,设计了一种中部有缩颈的坩埚,并使晶体在坩...
孙士文
何力
杨建荣
周昌鹤
虞慧娴
徐超
盛锋锋
文献传递
一种碲锌镉晶体表面沉淀物腐蚀坑的识别方法
本发明公开了一种碲锌镉晶体表面沉淀物腐蚀坑的识别方法。包括晶体表面预处理、晶体表面清洗、配制腐蚀液并腐蚀晶体表面和观察识别晶体缺陷4个步骤,其特征在于:在观察识别晶体缺陷的步骤中使用常规光学显微镜对碲锌镉晶片表面的腐蚀坑...
盛锋锋
杨建荣
孙士文
周昌鹤
虞慧娴
徐超
文献传递
磁光-光致发光分析CdZnTe单晶带边浅杂质能级
2017年
通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光(Photoluminescence,PL)光谱测量,发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响能量低于1.5 eV的深能级发光过程.进一步对CdZnTe晶锭的不同位置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试,获得高分辨光谱信息.拟合分析结果表明:(1)在不含Te沉淀物的CdZnTe样品内部存在应力分布,并因此导致轻、重空穴带分裂;(2)1.57 eV发光特征源于浅施主杂质与价带间的复合过程.
祁镇
盛锋锋
朱亮
杨建荣
陈熙仁
邵军
两步法消除碲锌镉材料中富碲沉淀相缺陷的热处理方法
本发明公开了一种两步法消除碲锌镉材料中富碲沉淀相缺陷的热处理方法,该方法先将碲锌镉材料放置在富碲状态下进行热处理,使富碲沉淀相缺陷中过量的碲原子从样品中排出,然后再用富镉热处理对样品进行处理,使Cd原子进入液态的富碲沉淀...
杨建荣
徐超
盛锋锋
孙士文
文献传递
一种检测碲锌镉晶体沉淀物面密度的方法
本发明公开了一种检测碲锌镉晶体沉淀物面密度的方法。其方法是:使用腐蚀剂腐蚀碲锌镉晶体(111)B表面,在光学显微镜50倍放大倍数下,结合沉淀物腐蚀坑的形貌特征,通过扫描特定大小的视场内的沉淀物腐蚀坑数量来计算沉淀物面密度...
盛锋锋
崔晓攀
徐华莲
孙世文
杨建荣
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两步法消除碲锌镉材料中富碲沉淀相缺陷的热处理方法
本发明公开了一种两步法消除碲锌镉材料中富碲沉淀相缺陷的热处理方法,该方法先将碲锌镉材料放置在富碲状态下进行热处理,使富碲沉淀相缺陷中过量的碲原子从样品中排出,然后再用富镉热处理对样品进行处理,使Cd原子进入液态的富碲沉淀...
杨建荣
徐超
盛锋锋
孙士文
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一种缩颈型晶体坩埚
本专利公开了一种基于缩颈型晶体坩埚,它适用于晶体密度大于熔体密度的材料的大直径高质量单晶体生长。该坩埚利用碲锌镉(CdZnTe)熔体凝固时体积缩小的物理性质,设计了一种中部有缩颈的坩埚,并使晶体在坩埚内自上向下生长,当熔...
孙士文
何力
杨建荣
周昌鹤
虞慧娴
徐超
盛锋锋
文献传递
一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法
本发明公开了一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法,适用于晶体密度大于熔体密度的材料的大直径高质量单晶体生长。本发明利用碲锌镉(CdZnTe)熔体凝固时体积缩小的物理性质,设计了一种中部有缩颈的坩埚,并使晶体在坩...
孙士文
何力
杨建荣
周昌鹤
虞慧娴
徐超
盛锋锋
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CdZnTe的红外光调制反射光谱研究
祁镇
盛锋锋
陈熙仁
杨建荣
邵军
一种消除碲锌镉材料沉淀相缺陷的热处理方法
本发明公开了一种消除碲锌镉材料沉淀相缺陷的热处理方法。方法采用的装置包括石英管热处理腔体、双温区加热炉、配备N<Sub>2</Sub>气源、H<Sub>2</Sub>气源和Ar气源三种气源且可增压的高纯气体系统和样品热处...
杨建荣
盛锋锋
徐超
孙士文
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