虞慧娴
- 作品数：33 被引量：26H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学自动化与计算机技术更多>>
- 红外探测器用碲锌镉晶体材料的合成技术研究
- 碲锌镉晶体是研制碲镉汞红外焦平面探测器所需的衬底材料，其制备技术由源材料合成、晶体生长、衬底加工和测试评价四个部分组成。本文针对合成工艺中的放热过程和合成料化学计量比的控制方法进行了研究。实验使用可视监控系统观测了碲锌镉...
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- 关键词：碲锌镉衬底红外
- 一种利用温度梯度合成碲锌镉多晶的合成装置
- 本专利公开了一种利用温度梯度合成碲锌镉多晶的合成装置。本合成装置包括加热氧化铝炉膛，内衬炉膛，控温系统，反应器皿，且可以进行两段独立或联合升降温。所述方法通过改变高温区和低温区的温场分布来实现温度梯度的调控，通过改变晶料...
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- 文献传递
- 一种无蜡磨抛碲锌镉晶片的方法
- 本发明公开了一种无蜡磨抛碲锌镉晶片的方法，首先设计制作磨抛夹具转接盘，将转接盘水平放置在磨抛夹具吸附平面上，再将晶片放置在转接盘的中央以覆盖转接盘上的所有真空导流小孔。然后，将研磨夹具与真空发生器相连接，晶片被吸附固定。...
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- 文献传递
- 一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法
- 本发明公开了一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法，该方法先使用体积分数为3％-5％的溴甲醇溶液，对单晶材料(111)B面进行30-60分钟的化学减薄，去除材料加工损伤层，获得表面光亮平整的样品。再使用Everson腐蚀液...
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- 文献传递
- 碲锌镉衬底研究进展
- 碲锌镉是制备碲镉汞红外焦平面探测器的一种理想衬底材料。本文介绍了上海技术物理研究所在碲锌镉衬底研制方面的最新进展。采用垂直布里奇曼法实现了Ф90mm单晶的常规生长,可以小批量制备50×50 mm~2衬底。成功试验生长了Ф...
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- 关键词：碲锌镉CDZNTEEPD夹杂
- 文献传递
- CZT晶体用化学机械抛光液的制备及其性能研究被引量：1
- 2015年
- 化学机械抛光工艺是碲锌镉(Cadmium Zinc Telluride,CZT)晶体表面处理的关键技术之一。其中,化学机械抛光液是影响晶片表面质量的重要因素。目前用于CZT晶片的抛光液主要是依靠进口的碱性抛光液,这严重制约了我国CZT晶体研究的发展。采用硅溶胶和次氯酸钠(NaClO)溶液作为主要原料,制备了碱性化学机械抛光液。然后采用该抛光液对CZT晶片表面进行了化学机械抛光,并对抛光表面进行了表征。实验结果表明,抛光后晶片表面的粗糙度小于2 nm,因此采用硅溶胶-次氯酸钠碱性抛光液可制备出高质量的CZT抛光表面。
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- 关键词：化学机械抛光CZT粗糙度
- 表面处理对Au-CdZnTe电极接触性能的影响被引量：2
- 2016年
- 碲锌镉(CdZnTe)是制备X射线、γ射线探测器的一种理想半导体材料。CdZnTe欧姆接触电极是制备CdZnTe核辐射探测器的关键技术之一。表面加工状态是影响欧姆接触性能的重要因素,文中研究了4种表面处理工艺对Au-CdZnTe电极接触性能的影响。研究发现对晶片表面进行溴甲醇腐蚀处理和机械化学抛光均有助于提升Au-CdZnTe电极欧姆接触性能。对晶片进行机械化学抛光后再进行溴甲醇腐蚀处理,使用这种晶片所制备的电极具有更加优良的综合电学性能。
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- 关键词：碲锌镉表面处理欧姆接触
- 一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法
- 本发明公开了一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法，适用于晶体密度大于熔体密度的材料的大直径高质量单晶体生长。本发明利用碲锌镉（CdZnTe）熔体凝固时体积缩小的物理性质，设计了一种中部有缩颈的坩埚，并使晶体在坩...
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- 文献传递
- 碲锌镉晶体材料合成技术研究被引量：3
- 2016年
- 碲锌镉晶体是研制碲镉汞红外焦平面探测器所需的衬底材料。其制备技术由源材料合成、晶体生长、衬底加工和测试评价四个部分组成。对源材料合成工艺中的放热过程和合成料化学计量比的控制方法进行了研究。通过测量合成反应过程中石英坩埚的温度,计算了合成反应过程的放热速率。用可视监控系统观测了碲锌镉多晶合成反应的动态过程,揭示了影响合成反应速率的因素。在此基础上,用温度梯度法和定向凝固法技术实现了对合成反应速率和合成料化学计量比的有效控制。
- 徐超周昌鹤孙士文虞慧娴杨建荣
- 关键词：碲锌镉衬底红外
- 一种用于动态观察碲锌镉材料化学腐蚀坑的装置与方法
- 本发明公开了一种用于动态观察碲锌镉材料化学腐蚀坑的装置与方法，装置由样品腐蚀单元、自动进液单元、废液回收单元和观察测控单元组成。将样品固定在可进行光学观察的腐蚀槽中，通过自动进液单元实现一种或多种腐蚀液和清洗液的自动注入...
- 虞慧娴杨建荣孙士文
