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张弦

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理

主题

  • 4篇电路
  • 4篇图像
  • 2篇电路单元
  • 2篇窄脉冲
  • 2篇色偏
  • 2篇沙尘
  • 2篇算子
  • 2篇特征描述子
  • 2篇同相
  • 2篇图像处理
  • 2篇图像距离
  • 2篇图像退化
  • 2篇退化图像
  • 2篇齐纳二极管
  • 2篇纹理
  • 2篇脉冲
  • 2篇描述子
  • 2篇结构算子
  • 2篇局部纹理
  • 2篇距离加权

机构

  • 15篇电子科技大学

作者

  • 15篇张弦
  • 9篇方健
  • 9篇刘哲
  • 8篇张波
  • 6篇周贤达
  • 5篇刘伦友
  • 4篇彭真明
  • 3篇王亮亮
  • 3篇乔明
  • 3篇关旭
  • 3篇王凯
  • 3篇罗波
  • 2篇薛方俊
  • 2篇蒲恬
  • 2篇李肇基
  • 2篇尹德阳
  • 2篇郑华靖
  • 2篇曹思颖
  • 1篇杨舰
  • 1篇邱根

传媒

  • 4篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2003
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于并行编码-解码观测器的轴承健康状态评估方法
本发明公开了一种基于并行编码‑解码观测器的轴承健康状态评估方法，基于预设工况下轴承正常工作状态下的若干振动信号样本生成样本集A，并从样本集A中选取若干样本构成训练样本集B，构建包括位置编码模块、编码输入模块、编码器、解码...
米金华李鵾鹏付国忠王志国张弦李维刘震邱根李彦锋
具有环形阴极新结构的高压SOI器件
提出具有环形阴极的横向高压SOI器件新结构，该结构采用环形阴极，利用电场的曲率效应以提高耐压。作为应用实例，在3μm埋氧20μm顶硅上设计出耐压大于600V SOI LDMOS，与常规结构相比，新结构耐压有6.74％的提...
周贤达方健毛焜刘哲张弦张正元李肇基
关键词：材料性能
基于距离加权色偏估计的沙尘退化图像增强方法及装置
本发明涉及图像处理技术领域，提供了一种基于距离加权色偏估计的沙尘退化图像增强方法及装置，主旨在于解决目前对于沙尘图像等恶劣天气下带有大气色偏的退化图像，通常的图像增强算法无法有效地进行色偏恢复和可见度增强，并可能造成进一...
曹思颖彭真明廖靖雯张弦蒲恬
窄脉冲下拉电流式电平位移电路
本发明属于电子技术领域，涉及集成化电平位移电路。主要由输入缓冲1、恒流源开关A和B、脉冲自产生A和B、栅极下拉6和反相器7共七个电路单元构成。低逻辑信号IN通过输入缓冲1产生同相和反相的两个控制信号S1和S2，用以控制恒...
方健乔明张波周贤达刘伦友刘哲毛焜张弦
文献传递
一种基于物理模型约束的红外成像虚警源分类方法
本发明属于红外图像处理及机器视觉应用领域，提供了一种基于物理模型约束的红外成像虚警源分类方法，实现物理特性与图像特征对虚警源的协同建模与表征，满足对地探测中对虚警源的抑制及智能化目标识别的要求。主要方案包括：红外虚警源特...
孙晓丽彭真明邓佳坤伍风翼张弦肖晟远郑华靖
文献传递
窄脉冲下拉电流式电平位移电路
本发明属于电子技术领域，涉及集成化电平位移电路。主要由输入缓冲1、恒流源开关A和B、脉冲自产生A和B、栅极下拉6和反相器7共七个电路单元构成。低逻辑信号IN通过输入缓冲1产生同相和反相的两个控制信号S1和S2，用以控制恒...
方健乔明张波周贤达刘伦友刘哲毛焜张弦
文献传递
基于距离加权色偏估计的沙尘退化图像增强方法及装置
本发明涉及图像处理技术领域，提供了一种基于距离加权色偏估计的沙尘退化图像增强方法及装置，主旨在于解决目前对于沙尘图像等恶劣天气下带有大气色偏的退化图像，通常的图像增强算法无法有效地进行色偏恢复和可见度增强，并可能造成进一...
曹思颖彭真明廖靖雯张弦蒲恬
功率集成电路中抗串扰新隔离结构
提出一种VDMOS与低压控制电路之间抗串扰的新隔离结构。通过二维器件仿真软件MEDICI验证,能够有效防止VDMOS漏极反偏造戍的衬底电流进入CMOS电路,CMOS电路中出现闩锁效应时的VDMOS漏端电压从-1V提高到-...
刘哲方健周贤达刘伦友毛焜张弦张正元冯志诚张波
关键词：功率集成电路闩锁效应
800V级高压驱动集成电路
方健张波乔明李肇基李泽宏王卓杨舰毛琨刘哲张弦王凯尹德扬王亮亮罗波关旭
该成果自主开发了高压集成工艺及技术，立足于国内加工线，在8～10μm和25μm的不同外延层厚度条件下，分别实现了800V级具有欠压保护的高压驱动集成电路。其主要技术性能指标为：最高工作电压大于800V，频率达240kHz...
关键词：
关键词：集成电路LDMOS器件
一种基于物理模型约束的红外成像虚警源分类方法
本发明属于红外图像处理及机器视觉应用领域，提供了一种基于物理模型约束的红外成像虚警源分类方法，实现物理特性与图像特征对虚警源的协同建模与表征，满足对地探测中对虚警源的抑制及智能化目标识别的要求。主要方案包括：红外虚警源特...
孙晓丽彭真明邓佳坤伍风翼张弦肖晟远郑华靖
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