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贺广佑

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇电路
  • 1篇电子电路
  • 1篇转换器
  • 1篇子电路
  • 1篇介质隔离
  • 1篇高稳定
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体工艺
  • 1篇A/D
  • 1篇A/D转换
  • 1篇A/D转换器
  • 1篇CMOS工艺

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇贺广佑
  • 1篇刘道广
  • 1篇王胜强
  • 1篇胡永贵

传媒

  • 2篇微电子学

年份

  • 2篇2001
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
介质隔离高稳定低噪声对管电路的工艺研究被引量：2
2001年
文章采用先进的全介质隔离、高频低噪声、浅结工艺研制高稳定性低噪声对管电路。该器件具有两管电流放大系数对称性好 ( h FE=97% )、噪声系数低 ( NF≤ 3d B)、隔离度高 ( g≥ 40 d B)、共模抑制比高 ( CMRR≥ 80 d B)和截止频率高 ( f T≥ 60 0 MHz)
贺广佑王胜强刘道广
关键词：介质隔离半导体工艺电子电路
一种用于16位A/D转换器的2μm CMOS工艺
2001年
介绍了一种 CMOS 1 6位 A/D转换器的工艺技术。该技术采用 2μm硅栅自对准 CMOS工艺、全离子注入和快速热退火。并分别用 P阱和双阱工艺、多晶硅栅注砷和注 BF2 制作了电路样品。两种工艺均能满足 1 6位 A/D转换器的要求 ,但
胡永贵贺广佑
关键词：CMOS工艺A/D转换器
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共1页<1>
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