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刘道广: 作品数：72 被引量：88H指数：6; 供职机构：清华大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国防科技技术预先研究基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

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MOS器件开启电压值的贝叶斯统计推断: 2020年; 在实践中准确地测定和表征出MOS器件样管的开启电压,对于大规模集成电路的设计以及将MOS器件作为分立器件的在电路应用,均是至关重要的。文章采用贝叶斯统计推断工具用于器件输入曲线的处理,从中提取出与器件开启有关的更为精准和深入的信息。建立合适的分层模型,应用基于马尔科夫链蒙特卡罗(MCMC)算法的最大后验估计(MAP),求取目标量的后验分布。这类算法为目前概率与统计领域的最高级算法。将该先进算法引入到IC领域来分析处理所获取的大数据是后摩尔时代的一个发展方向。; 严利人刘道广刘志弘梁仁荣; 关键词：开启电压最大后验估计后验分布

横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响(英文)被引量：1: 2007年; 从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响。结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著。发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB。; 高攀张万荣邱建军杨经纬金冬月谢红云张静张正元刘道广王健安徐学良; 关键词：HBT SIGE

具有扩散缓冲层的高压快速软恢复二极管的制造方法: 本发明公开了属于半导体器件范围的一种具有扩散型缓冲层的高压快速软恢复二极管的制造方法。扩散缓冲层快恢复二极管采用两次扩散方法制作缓冲层，在PN结和电极制备之前，首先采用一次磷扩散，在硅片两面生成低浓度和深结深的磷扩散区，...; 周伟松刘道广张斌王培清; 文献传递

基于AlGaN/GaNHEMT的功率放大器的研究进展被引量：3: 2005年; 介绍了几类常见的基于AlGaN/GaNHEMT的微波功率放大器;论述了制造微波功率放大器的两种关键工艺技术———倒装芯片集成(FCIC)和共平面线(CPW);分析了自行研制的微波功率放大器核心器件AlGaN/GaNHEMT的性能。; 王冲刘道广郝跃张进城; 关键词：微波功率放大器微波集成电路 ALGAN/GAN

基于NiZn铁氧体磁膜的RF平面微电感: 采用与集成电路工艺兼容的硅基工艺，制备了一种基于Ni0.4Cu0.2Zn0.4Fe2O4结构的RF平面微电感，结构形式为SiO2绝缘层/NiCuZn铁氧体磁膜层/SiO2绝缘层/Cu线圈。对Ni0.4Cu0.2Zn0.4...; 刘锋杨晨任天令刘理天刘道广; 关键词：射频器件金属材料

基于微电子技术的高压大功率NPN开关晶体管技术研究: 本文基于微电子技术开发研制出了400V/500A的大功率晶体管又名巨型晶体管（Giant Transistor,简称GTR）。通过电参数测试：VceR≥400V,Vebo≥8V,在Ib=10A条件下测试,Ic最大达到17...; 刘道广陈思敏周伟松王均平黄新张斌王培清; 关键词：微电子技术大功率晶体管开关晶体管电参数测试; 文献传递

基于BiCMOS技术高速数字/模拟转换器研究: 本文基于BiCMOS技术,开展了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器位载体,开展了电路设计,工艺制作和测试;在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,...; 刘道广舒曼徐婉静徐世六李荣强石建刚何开全刘玉奎谭开州张静杨秋冬钟怡; 关键词：集成电路数模转换芯片设计; 文献传递

功率金属氧化物半导体场效应晶体管: 本发明提供了功率金属氧化物半导体场效应晶体管，该功率MOSFET包括：衬底、外延区、阱区、源区、沟道区、栅介质、栅、隔离介质及源极金属，其中，沟道区的掺杂量不低于2e18/cm<Sup>3</Sup>。该功率MOSFET...; 万欣周伟松刘道广许军薄涵亮梁仁荣王敬; 文献传递

Optimization Design and Fabrication of Si/SiGe PMOSFETs被引量：1: 2001年; Through the theoretical analysis and computer simulation,the optimized design principles for Si/SiGe PMOSFETs are given,including the choice of gate materials,the determination of Ge percentage and the profile in SiGe channel,the thickness optimization of dioxide and silicon cap layer,and the adjustment of threshold voltage.In light of them,a SiGe PMOSFET is designed and fabricated successfully.The measurements indicate that the transconductance is 45mS/mm (300K) and 92mS/mm (77K) for SiGe PMOSFET's (L=2μm),while it is 33mS/mm (300K) and 39mS/mm (77K) for Si PMOSFET.; 杨沛锋李竞春于奇陈勇谢孟贤杨谟华何林李开成谭开洲刘道广张静易强凡则锐; 关键词：SIGE MOSFET OPTIMIZATION

功率半导体器件辐射效应综述被引量：7: 2017年; 功率半导体器件是航天器电源系统中的核心元件,太空环境中的粒子辐射会使其发生失效。首先,总结了硅功率半导体器件几种主要的辐射效应。然后,介绍了近年来一些新的研究成果和研究热点。最后,对第三代半导体功率器件中的辐射效应进行了简单介绍。; 谭桢魏志超孙亚宾万欣晋虎万慧君王敬刘道广许军; 关键词：硅功率器件总剂量效应单粒子效应