李响
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：天津理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 非晶态SiO_2过渡层对生长C轴取向LiNbO_3薄膜的影响
- 2011年
- 采用磁控溅射方法,在Si衬底和LiNbO3薄膜之间引入SiO2过渡层制备LiNbO3薄膜。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)和扫描电子显微镜(SEM)对LiNbO3薄膜的结晶取向、组成成分和表面形貌进行了表征,重点研究了非晶态SiO2过渡层对LiNbO3薄膜C轴取向的影响。结果表明,非晶态SiO2过渡层为10～50nm时,在Si(100)衬底上制备的LiNbO3薄膜的C轴取向随着过渡层厚度的增加而变强,但当过渡层超过30nm时,对LiNbO3薄膜C轴取向的影响变小;在Si(111)衬底上制备的LiNbO3薄膜,当非晶态SiO2过渡层为10nm时,LiNbO3薄膜具高C轴取向,C轴取向的织构系数(TC)为90%,且结晶质量良好,但随着过渡层厚度增加,LiNbO3薄膜的C轴取向反而变弱。
- 肖庆安玉凯李响许丽丽吴一晨段岭申刘技文
- 关键词：磁控溅射C轴取向
- Mn、Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的制备及物性研究
- 信息时代的到来,对信息的处理、传输和存储的一体化提出了更高的要求,人们期望得到稀磁半导体为代表的自旋电子器件以满足要求。SiC稀磁半导体既具有优良的半导体性能又有磁性,是潜在自旋电子器件的优良材料,受到了人们广泛的关注。...
- 李响
- 关键词：SIC稀磁半导体掺杂磁性
- 文献传递
- Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的磁与电阻率特性被引量：2
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法制备了不同Co掺杂浓度的SiC薄膜。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、Hall以及电阻率-温度(-ρT)曲线测试结果表明,Co掺杂SiC薄膜具有4H-SiC(100)晶体结构和典型的半导体导电特征,未发现Co金属团簇以及其它CoSi第二相化合物生成,显示了Co原子以替位掺杂的形式进入了SiC晶格;电流-电压(I-V)特性测试发现,Co掺杂SiC薄膜是一种非均匀掺杂;PPMS磁性测量表明,Co掺杂SiC薄膜具有明显的室温铁磁性,饱和磁化强度随着Co掺杂浓度的增加而增加,其铁磁性的来源符合缺陷机制的束缚磁极子(BMP)机制。
- 李响安玉凯肖庆段岭申吴忠华刘技文
- 关键词：SICCO掺杂铁磁性
