冯庆浩
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 多晶硅薄膜的ECR-PECVD低温沉积及特性
- 多晶硅(Poly-Si)薄膜以其优异的光电性能与较低的制备成本在能源信息产业中，日益成为一种非常重要的电子材料，在大规模集成电路和半导体分立器件中得到广泛应用。为降低Poly-Si薄膜的生产成本，目前国际上已经发展了多种...
- 冯庆浩
- 关键词：多晶硅薄膜光电性能电子材料化学气相沉积
- 文献传递
- 用ECR-PECVD低温沉积多晶硅薄膜
- 2006年
- 在自行设计研制的先进的电子回旋共振(ECR)等离子体增强化学气相沉(PECVD)装置上,采用ECR-PECVD可控活化低温外延技术,以SiH4+H2为气源,硅和普通玻璃为衬底,低温(小于等于550℃)制备多晶硅(poly-Si)薄膜。利用反射高能电子衍射、透射电子显微镜和原子力显微镜研究了SiH4流量、H2流量和衬底温度等工艺参数的改变对薄膜晶化的影响。通过分析薄膜结构和形貌,得出适宜低温生长多晶硅薄膜的工艺参数。
- 王艳艳秦福文吴爱民冯庆浩
- 关键词：ECR-PECVD多晶硅薄膜反射高能电子衍射透射电子显微镜原子力显微镜
- ECR-PECVD方法低温制备多晶硅薄膜被引量：7
- 2006年
- 采用ECR-PECVD低温沉积方法,以质量分数为5%的SiH4(配Ar气,SiH4:Ar=1:19)和H2为反应气体,在普通玻璃和单晶硅片衬底上直接沉积多晶硅薄膜,以期寻找到适合大规模工业化生产的方法。当衬底温度为500℃时,即能沉积高质量的多晶硅薄膜。沉积前,H2等离子体的清洗时间和流量对多晶薄膜的质量有较大的影响。通过与其他反应气体相比较,我们制备的多晶硅薄膜不含杂质。
- 冯庆浩秦福文吴爱民王阳
- 关键词：多晶硅薄膜化学汽相淀积
- 采用ECR-PECVD技术低温生长多晶硅薄膜
- 在自行设计研制的先进电子回旋共振(ECR)等离子体增强化学气相沉(PECVD)装置上,采用'ECR-PECVD'可控活化低温外延技术,以SiH4+H2为气源,硅和普通玻璃为衬底,低温(≤550℃)制备多晶硅薄膜.利用反射...
- 秦福文吴爱民王艳艳冯庆浩李伯海
- 关键词：ECR-PECVD多晶硅薄膜反射高能电子衍射电子回旋共振
- 文献传递
- 采用ECR-PECVD技术低温生长多晶硅薄膜
- 在自行设计研制的先进电子回旋共振（ECR）等离子体增强化学气相沉 （PECVD）装置上,采用“ECR-PECVD”可控活化低温外延技术,以SiH4+H2 为气源,硅和普通玻璃为衬底,低温（≤550℃）制备多晶硅薄膜。利用...
- 秦福文吴爱民王艳艳冯庆浩李伯海
- 关键词：ECR-PECVD多晶硅薄膜反射高能电子衍射
- 文献传递
