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陈娇

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇石墨
  • 7篇石墨烯
  • 4篇电阻
  • 4篇载流子
  • 4篇截止频率
  • 4篇金属
  • 4篇晶体管
  • 4篇跨导
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇接触电阻
  • 3篇金属接触
  • 3篇绝缘
  • 3篇触电
  • 2篇载流子浓度
  • 2篇载流子迁移率
  • 2篇上光
  • 2篇迁移率
  • 2篇自对准
  • 2篇绝缘层

机构

  • 9篇中国科学院微...

作者

  • 9篇陈娇
  • 9篇麻芃
  • 9篇彭松昂
  • 9篇金智
  • 5篇张大勇
  • 5篇史敬元
  • 4篇王显泰
  • 3篇郭建楠
  • 3篇潘洪亮

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法，属于纳电子学技术领域，该石墨烯场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极，其中，绝缘层形成于半导体衬底上，导电沟道形成于绝缘层上，导电沟...
麻芃金智史敬元张大勇彭松昂陈娇
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一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构
本发明公开了一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构，该结构是在石墨烯材料与金属的接触区域使用多层石墨烯，在沟道区域使用单层石墨烯。利用本发明，减小了石墨烯与金属接触的电阻，从而有效的增加了石墨烯FET器件的开态电流，提高...
金智陈娇麻芃王显泰彭松昂
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一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法
本发明公开了一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，该方法是在碳基材料的表面形成一掩膜金属层，然后在该掩膜金属层上光刻定义源漏区图形，腐蚀该源漏区图形处的掩膜金属层，并经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极，最后去除沟道区上的...
金智陈娇麻芃王显泰潘洪亮郭建楠彭松昂
一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法
本发明公开了一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法，该方法是利用顶栅金属作为掩膜保护顶栅金属下栅介质，对石墨烯顶栅FET器件进行腐蚀，去除栅源、栅漏间石墨烯沟道区上覆盖的栅介质，然后蒸镀一层金属覆盖栅源、栅漏间石墨烯...
麻芃金智史敬元张大勇彭松昂陈娇
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一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法，该自对准石墨烯场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层、栅金属和自对准金属，其中，绝缘层形成于半导体衬底上，导电沟道形成于绝缘体上，导电...
金智彭松昂麻芃张大勇史敬元陈娇
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一种制备金属与石墨烯欧姆接触的方法
本发明公开了一种制备金属与石墨烯欧姆接触的方法，包括：在衬底上用微机械剥离法或CVD转移法制备单层和少数层石墨烯材料；在该石墨烯材料上旋涂光刻胶；采用光学光刻或者电子束直写的方法刻蚀石墨烯材料上的光刻胶，并用显影液显影，...
金智潘洪亮麻芃郭建楠彭松昂陈娇王显泰
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一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法，属于纳电子学技术领域，该石墨烯场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极，其中，绝缘层形成于半导体衬底上，导电沟道形成于绝缘层上，导电沟...
麻芃金智史敬元张大勇彭松昂陈娇
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一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法
本发明公开了一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，该方法是在碳基材料的表面形成一掩膜金属层，然后在该掩膜金属层上光刻定义源漏区图形，腐蚀该源漏区图形处的掩膜金属层，并经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极，最后去除沟道区上的...
金智陈娇麻芃王显泰潘洪亮郭建楠彭松昂
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一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法，该自对准石墨烯场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层、栅金属和自对准金属，其中，绝缘层形成于半导体衬底上，导电沟道形成于绝缘体上，导电...
金智彭松昂麻芃张大勇史敬元陈娇
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