李齐光
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Cd_(1-x)Mn_xS高压吸收光谱
- 1989年
- 采用流体静压力,在室温和低温下测量了三元混晶半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xS的吸收光谱.室温下获得了Cd_(1-x)Mn_xS光吸收边的一阶和二阶压力系数,并且在吸收边尾部发现一个大的吸收带尾,随着组分x增加,压力系数下降,带尾增强,同时在高压下观察了Cd_(1-x)Mn_xS的压力相变过程.在77K下,高组分混晶Cd_0.67Mn_0.33S吸收光谱中出现两个Mn^(2+)吸收峰,测量了它们的压力系数,并用晶体场理论讨论了实验结果.
- 姜山沈学础李齐光朱浩荣居广林W.Giriat
- 关键词：吸收光谱硫化镉硫化锰
- 流体静压力下半导体性质的研究
- 李齐光
- 流体静压力下Hg_(1-x)Cd_xTe p-n结的伏安特性
- 1990年
- 在77K和室温下,研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.5)p—n结伏安特性随流体静压力的变化,从中得到了禁带宽度E_g的压力系数。结果表明,在低压范围(01.4GPa),E_g～P关系明显偏离线性。实验还观察到,在正、反向小偏压区域,I—V特性随压力的变化呈现“反常”行为。
- 李齐光姜山袁皓心陈泉森沈学础
- 关键词：HGCDTEP-N结流体静压力伏安特性
- Hg_(1-x)Cd_xTe n^+-p光电二极管中的深能级及其电流机构的流体静压力研究被引量：1
- 1990年
- 在流体静压力(0—2GPa)下,对Hg_(1-x)Cd_xTe n^+-p光电二极管(x=0.5)室温电学特性进行了实验和理论研究。通过考虑深能级压力效应及其对深能级辅助隧道电流的影响,较好地解释了实验上观察到的p-n结伏安特性在小偏压范围下呈现的“反常”压力关系。由对实验数据的理论拟合得到两个深能级:D_l(=E_v+0.75E_g)和D_l(=E_v+0.5E_g),以及相应的电子寿命和空穴寿命,并得到了未掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe中深能级的压力系数。
- 袁皓心李齐光姜山陆卫童斐明汤定元
- 关键词：静压力光电二极管
