童斐明
- 作品数：7 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- n型碲镉汞MIS器件动态存储时间研究
- 1994年
- 通过对动态存储时间的测量，分析了ｘ＝０．３１的ｎ型碲镉汞（Ｈ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ）ＭＩＳ器件的少子暗电流机理．理论计算和实验结果都表明，在其工作温度区域（～７７Ｋ），通过禁带中深能级中心辅助的间接隧道电流将限制器件的电学性能。
- 黄河汤定元童斐明郑国珍
- 关键词：MIS器件碲镉汞N型
- 表面氧化层对Hg_(1-x)Cd_xTe霍耳数据的影响被引量：1
- 1993年
- 报道了表面氧化层对Hg_(1-x)Cd_xTe霍耳数据影响的实验研究结果。利用两层模型对实验结果进行了解释。
- 黄河郑国珍童斐明汤定元
- 关键词：氧化层碲镉汞
- 用电子束感生电压方法研究碲镉汞光二极管被引量：1
- 1984年
- 本文报道用电子束感生电压方法观察碲镉汞光二极管光敏区响应分布,直接显示p-n结耗尽区位置的实验结果。在p型碲镉汞上制成了肖特基势垒二极管。用它测量了碲镉汞的少数载流子扩散长度。
- 童斐明陈伯良张明
- 关键词：肖特基势垒二极管碲镉汞固溶体电压
- Hg_(1-x)Cd_xTe光电二极管反向漏电机制分析
- 1990年
- 分析了可能导致Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结反向软击穿的若干漏电机制。位于结区中的深能级和沉淀及混晶材料中的组份涨落和杂质浓度涨落等都可能产生过量隧道电流。用一些理论模型对实验数据进行了拟合和比较。对于我们的离子注入N^+-P结,P型材料的高补偿度可能是导致漏电的主要原因。
- 袁皓心童斐明汤定元
- 关键词：二极管HG1-XCDXTE漏电流
- Hg_(1-x)Cd_xTe N^+-P栅控二极管表面沟道漏电的理论和实验研究被引量：3
- 1992年
- 制备了HgCdTe离子注入N^+-P栅控二极管.测量结果表明,由P区一侧表面强反型引起的表面沟道漏电严重限制着器件性能,对这种漏电机制进行了详细的理论分析.在考虑了窄禁带HgCdTe的特殊性质后,计算了表面沟道电流决定的P-N结正、反向I-V特性和R_0A的温度特性,以及它们与表面状态的关系.理论与实验定性相符.
- 袁皓心童斐明汤定元
- 关键词：光电二极管汞镉碲
- Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件G-V特性被引量：1
- 1989年
- 基于G-V关系分析了Hg_(1-x)Cd_xTeMIS器件的少数载流子暗电流机制.对于N型Hg_(1-x)Cd_xTeMIS器件,当温度T<130K时,占优势的暗电流机制是通过禁带态的间接隧道电流;而当T>130K时则是耗尽区的产生-复合电流.在低温区,从价带到禁带态的电子热激发限制了间接隧道电流,根据R_0A对温度的依赖关系推算出禁带态位置约在价带顶上面50meV处.在P型样品中,反型层量子化效应强烈地影响少子暗电流的大小.
- 黄河童斐明汤定元
- 关键词：碲镉汞MIS器件
- Hg_(1-x)Cd_xTe n^+-p光电二极管中的深能级及其电流机构的流体静压力研究被引量：1
- 1990年
- 在流体静压力(0—2GPa)下,对Hg_(1-x)Cd_xTe n^+-p光电二极管(x=0.5)室温电学特性进行了实验和理论研究。通过考虑深能级压力效应及其对深能级辅助隧道电流的影响,较好地解释了实验上观察到的p-n结伏安特性在小偏压范围下呈现的“反常”压力关系。由对实验数据的理论拟合得到两个深能级:D_l(=E_v+0.75E_g)和D_l(=E_v+0.5E_g),以及相应的电子寿命和空穴寿命,并得到了未掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe中深能级的压力系数。
- 袁皓心李齐光姜山陆卫童斐明汤定元
- 关键词：静压力光电二极管
