唐军
- 作品数：24 被引量：81H指数：5
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
- 相关领域：理学医药卫生电子电信经济管理更多>>
- SiC/Al_2O_3界面结构的同步辐射X射线掠入射衍射研究
- 2012年
- 采用固源分子束外延技术,以Al2O3为衬底,在1100℃下制备SiC薄膜。利用同步辐射X射线掠入射(GID)实验技术对生长的样品的界面结构进行了研究。结果表明,薄膜面内存在压应变,同时发现薄膜晶体质量在远离薄膜和衬底界面区会逐渐变好。GID和X射线衍射的摇摆曲线结果表明薄膜中镶嵌块的扭转大于倾斜,说明SiC薄膜在垂直方向的晶格排列要比面内更加有序。
- 刘忠良康朝阳唐军陈香存徐彭寿潘国强
- 关键词：碳化硅薄膜蓝宝石衬底
- 预沉积Ge对Si(111)衬底上SSMBE外延生长SiC薄膜的影响被引量：1
- 2008年
- 利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,在Si(111)衬底上预沉积不同厚度(0、0.2、1nm)Ge,在衬底温度900℃,生长SiC单晶薄膜.利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术,对生长的样品进行了研究.结果表明,预沉积少量Ge(0.2nm)的样品,SiC薄膜表面没有孔洞存在,AFM显示表面比较平整,粗糙度比较小,FTIR结果表明薄膜内应力比较小.这说明少量Ge的预沉积抑制了孔洞的形成,避免衬底Si扩散,因而SiC薄膜的质量比较好.没有预沉积Ge的薄膜,结晶质量比较差,SiC薄膜表面有孔洞且有Si存在.然而预沉积过量Ge(1nm)的样品,由于Ge的岛状生长,导致生长的SiC表面粗糙度变大,结晶质量变差,甚至导致多晶产生.
- 刘忠良任鹏刘金锋唐军徐彭寿
- 关键词：锗碳化硅硅衬底
- 具有SiC缓冲层的Si衬底上直接沉积碳原子生长石墨烯被引量：3
- 2011年
- 石墨烯是近年发现的一种新型多功能材料. 在合适的衬底上制备石墨烯成为目前材料制备的一大挑战. 本文利用分子束外延(MBE)设备, 在Si衬底上生长高质量的SiC缓冲层, 然后利用直接沉积C原子的方法生长石墨烯, 并通过反射式高能电子衍射(RHEED)、拉曼(Raman)光谱和近边 X 射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等实验技术对不同衬底温度(800、900、1000、1100 °C)生长的薄膜进行结构表征. 实验结果表明, 在以上衬底温度下都能生长出具有乱层堆垛结构的石墨烯薄膜. 当衬底温度升高时, 碳原子的活性增强, 其成键的能力也增大, 从而使形成的石墨烯结晶质量提高. 衬底温度为1000 °C时结晶质量最好. 其原因可能是当衬底温度较低时, 碳原子活性太低不足以形成有序的六方C-sp2环. 但过高的衬底温度会使SiC缓冲层的孔洞缺陷增加, 衬底的Si原子有可能获得足够的能量穿过SiC薄膜的孔洞扩散到衬底表面, 与沉积的碳原子反应生成无序的SiC, 这一方面会减弱石墨烯的生长, 另一方面也会使石墨烯的结晶质量变差.
- 唐军康朝阳李利民徐彭寿
- 关键词：石墨烯分子束外延SI衬底碳化硅
- 影响移动支付接受与使用之因素研究
- 移动支付是移动通信技术与银行转帐业务相结合的新业务，突破了时间和空间的限制，满足了人们随时随地的消费需求，是人类历史上迄今为止最便捷的支付方式，在社会生活中蕴藏着非比寻常的革命性力量，有将颠覆传统支付方式的趋势，最终深刻...
- 唐军
- 关键词：移动支付移动通信影响因素
- 文献传递
- 不同极性6H-SiC表面石墨烯的制备及其电子结构的研究被引量：2
- 2011年
- 在超高真空设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC两个极性面(0001)和(0001-)面(即Si面和C面)外延石墨烯(EG).利用低能电子衍射(LEED)和同步辐射光电子能谱(SRPES)对样品的生长过程进行了原位研究,而后利用激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(XANES)等实验技术对制备的样品进行了表征.结果表明我们在两种极性面均制备出了质量较好的石墨烯样品.而有关两种石墨烯的对比性研究发现:Si面EG呈同一取向而C面EG呈各向异性;Si面EG与衬底存在类似于金刚石C—sp3键的界面相互作用,受到衬底的影响较大,而C面EG与衬底的相互作用较弱,受到衬底的影响较小.
- 康朝阳唐军李利民潘海斌闫文盛徐彭寿韦世强陈秀芳徐现刚
- 关键词：石墨烯6H-SIC电子结构
- 4H-SiC衬底表面SiC薄膜的同质外延生长被引量：5
- 2012年
- 以4H-SiC为衬底,在不同衬底温度下进行SiC薄膜的同质外延生长。利用反射式高能电子衍射(RHEED)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)等测试手段,对生长样品的结构和结晶质量进行了表征。根据测试结果发现,在衬底温度为1200℃时能够得到质量较高的薄膜,在另外两个温度(1100℃和1300℃)条件下得到的薄膜质量是较差的。
- 刘忠良康朝阳唐军徐彭寿
- 关键词：碳化硅薄膜碳化硅衬底
- 衬底温度对Al2O3(0001)表面外延6H-SiC薄膜的影响被引量：3
- 2011年
- 采用固源分子束外延技术,以α-Al2O3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6H-SiC薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、X射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进行了表征。结果表明:在衬底温度为1 100℃时生长的薄膜质量较好,在较低温度(1 000℃)和较高温度(1 200℃)条件下生长的薄膜质量较差。同时发现,衬底温度为1 000℃时生长的薄膜面内存在拉应变,随着衬底温度的升高,应变转变为压应变。在衬底温度为1 100℃生长的薄膜受到的应变较小。这可能是薄膜与衬底的晶格失配和热膨胀系数差异共同作用的结果。
- 刘忠良康朝阳唐军徐彭寿
- 关键词：碳化硅薄膜蓝宝石衬底
- Si(111)衬底上多层石墨烯薄膜的外延生长被引量：5
- 2011年
- 利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上沉积碳原子外延生长石墨烯薄膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)、红外吸收谱(FTIR)、拉曼光谱(RAMAN)和X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等手段对不同衬底温度(400、600、700、800℃)生长的薄膜进行结构表征.RAMAN和NEXAFS结果表明:在800℃下制备的薄膜具有石墨烯的特征,而400、600和700℃生长的样品为非晶或多晶碳薄膜.RHEED和FTIR结果表明,沉积温度在600℃以下时C原子和衬底Si原子没有成键,而衬底温度提升到700℃以上,沉积的C原子会先和衬底Si原子反应形成SiC缓冲层,且在800℃沉积时缓冲层质量较好.因此在Si衬底上制备石墨烯薄膜需要较高的衬底温度和高质量的SiC缓冲层.
- 李利民唐军康朝阳潘国强闫文盛韦世强徐彭寿
- 关键词：SI(111)衬底
- SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善被引量：3
- 2009年
- 用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器。利用X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱,I-V曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光电性能进行了研究。实验结果表明:SiC缓冲层改善了ZnO薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少ZnO与Si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面态。
- 康朝阳赵朝阳刘峥嵘孙柏唐军徐彭寿谢家纯
- 关键词：ZNO薄膜SI(111)衬底光电性能
- 退火时间对6H-SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和结构的影响被引量：12
- 2010年
- 在分子束外延(MBE)设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC(0001)表面外延石墨烯,并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)等实验技术对制备的样品进行了表征.RHEED结果发现,不同退火时间的样品在SiC衍射条纹的外侧都出现了石墨烯的衍射条纹.AFM测试表明,外延石墨烯的厚度随退火时间增加而增大,且样品孔洞减少、表面更加平整.Raman测试表明,外延石墨烯拉曼谱中2D峰和G峰的位置相对高定向热解石墨(HOPG)中2D峰和G峰的位置蓝移,且退火时间增加,峰的蓝移量减小.对样品中碳原子K边NEXAFS谱测量显示,样品中存在sp2杂化的碳原子,退火时间增加使碳原子的1s→π以及1s→σ吸收的强度增大,且1s电子到π态的吸收峰相对HOPG的向高能偏移.
- 唐军刘忠良康朝阳闫文盛徐彭寿潘海斌韦世强高玉强徐现刚
- 关键词：RAMAN石墨烯6H-SIC退火时间RHEEDNEXAFS
