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电子科技大学IC设计中心

作品数：121 被引量：338H指数：11
相关作者：熊富贵唐新伟罗卢杨衡草飞武洁更多>>
相关机构：南京邮电大学光电工程学院桂林电子科技大学信息与通信学院中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术机械工程更多>>

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共 24 条 记 录，以下是 1-10
熊富贵
作品数：8被引量：85H指数：5
供职机构：电子科技大学IC设计中心
研究主题：PSM 开关变换器 响应速度 模糊控制 调制
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐新伟
作品数：5被引量：39H指数：3
供职机构：电子科技大学IC设计中心
研究主题：SOI高压器件 击穿电压 纵向电场 新结构 调制
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
衡草飞
作品数：4被引量：19H指数：2
供职机构：电子科技大学IC设计中心
研究主题：栅电荷 FET VDMOS 导通电阻 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗卢杨
作品数：4被引量：20H指数：2
供职机构：电子科技大学IC设计中心
研究主题：LDMOS SOI-LDMOS SOI RESURF 耐压特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
武洁
作品数：3被引量：26H指数：2
供职机构：电子科技大学IC设计中心
研究主题：LDMOS 模糊控制 频率抖动 宏模型 单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
向军利
作品数：3被引量：18H指数：2
供职机构：电子科技大学IC设计中心
研究主题：栅电荷 FET VDMOS 导通电阻 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黎育煌
作品数：3被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学IC设计中心
研究主题：BCD工艺 VDMOS器件 H桥 电平位移 栅极驱动电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏汝新
作品数：3被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学IC设计中心
研究主题：功率集成电路 集成电路 开关电源 单晶硅 电源管理
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈志军
作品数：3被引量：5H指数：1
供职机构：电子科技大学IC设计中心
研究主题：BICMOS 过热保护电路 过热保护 CMOS集成电路 自补偿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨仕强
作品数：2被引量：10H指数：1
供职机构：电子科技大学IC设计中心
研究主题：CMOS 高增益宽带 高增益 宽带 跨阻放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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